삼성전자, 3차원 반도체 시대 이끌 ‘TSV D램’ 8월 양산

▲삼성전자가 2011년 8월 업계 처음으로 '3D-TSV' 기술을 적용, 개발한 초고속 서버용 32GB D램 모듈. 삼성전자는 이르면 8월 본격 양산에 돌입한다.(사진제공=삼성전자)

삼성전자가 차세대 반도체 패키징 기술로 각광받는 3D-TSV(Through Silicon Via, 실리콘 관통전극) 공법을 적용한 반도체 양산을 이르면 다음달부터 개시한다. 지난 2011년 8월 TSV 기술 개발을 완료한 이후 3년만이다.

14일 관련업계에 따르면, 삼성전자는 조속한 시점에 장비 도입을 마무리짓고 이르면 8월부터 TSV 공법을 적용한 D램 반도체의 양산에 돌입한다.

TSV는 웨이퍼와 웨이퍼, 칩과 칩을 쌓을 때 수직으로 관통하는 비아(via) 구멍을 형성해 전기적 신호 효율성을 높이는 차세대 반도체 패키징 기술이다. TSV를 적용하면 기존 방식보다 반도체 패키지 크기를 35%가량, 전력 소비를 절반 이상 줄일 수 있다.

TSV 기술은 동종 칩뿐 아니라 메모리반도체와 시스템반도체 등 이종칩 간 적층도 가능하도록 기술이 진화하고 있다. 삼성전자는 TSV 기술을 우선 동종칩 적층에 적용할 것으로 알려졌다. 업계 관계자는 “V-낸드를 시작으로 현재 반도체는 3차원 구조로 진화 중”이라며 “TSV 기술은 서버나 모바일 D램에서 우선적으로 진행될 것으로 보인다”고 말했다.

삼성전자는 이미 2011년 TSV 기술을 확보했다. 통상 기술 확보 이후 6개월~1년 내 양산이 가능하지만, TSV 반도체 수요가 없었던 탓에 삼성전자는 그동안 TSV 반도체 양산을 미뤄왔다. 삼성전자는 지난 5월 홍콩에서 개최된 ‘2014 투자자 포럼’에서 올해 중순 TSV를 적용한 반도체 양산에 돌입, 올 하반기부터 시장에서의 성과를 확인할 수 있을 것이라 밝힌 바 있다.

업계에서는 올해 말 이후 TSV 기술이 메모리반도체와 시스템반도체 등 이종칩 패키징에서 활용될 것으로 전망하고 있다. 한 증권사 애널리스트는 “향후 D램은 TSV 기술을 통해 AP(애플리케이션 프로세서) 등 시스템반도체나 다른 로직 제품과 직접 연결되는 방향으로 전개될 것”이라며 “TSV는 메모리와 비메모리를 하나의 칩으로 구현할 수 있기 때문에 메모리와 비메모리 반도체를 모두 보유힌 종합 반도체 기업인 삼성전자가 TSV 시장을 선도해 나갈 것”이라고 내다봤다.