TGV는 고대역폭메모리(HBM) 등 반도체에 쓰이는 실리콘관통전극(TSV)과 유사한 개념이다.
램테크놀러지의 TGV 식각액 양산은 2026년 가능할 것으로 예상된다. 현재 TGV 식각액을 공동 개발 중인 삼성전기가 2026년 유리기판 양산을 목표하고 있기 때문이다. 유리기판 양산 시기가 미뤄질 것이라는 분석도 있다. 인텔, 엔비디아, AMD 등 고객사가 구체적인 유리기판...
클럽카ㆍTSV, 청원서 제출 중국산 카트 수입 최근 3년간 6배↑“중국 정부 보조금으로 점유율 키워”
중국산 저가 골프카트 공세에 어려움을 겪고 있는 미국 골프카트 제조사들이 전기자동차와 마찬가지로 고율 관세 부과를 요청했다.
29일(현지시간) 블룸버그통신에 따르면 골프카트 생산업체 ‘클럽카’와 특수차 전문 제조사인 ‘TSV’는 최근 미국무역대표부...
칩을 겹겹이 쌓아 실리콘관통전극(TSV)과 연결해 더 빠르고 에너지 효율적인 데이터 처리를 구현한다. HBM은 최근 AI 반도체 시장이 급성장하는 가운데 AI 가속기의 필수 부품으로 꼽히면서 수요가 급증하고 있다. 중국에서는 현재 양쯔메모리(YMTC)의 자회사 우한신신, 화웨이, 창신메모리(CSMT) 등이 HBM을 개발하고 있다.
조 바이든 미국 행정부는 국가 안보를 이유로...
HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 쌓아 실리콘관통전극(TSV)으로 연결한 차세대 메모리다. 많은 데이터를 빠르게 보내기 때문에 전력 소모를 얼마나 줄이느냐가 관건이다.
마이크론은 삼성전자, SK하이닉스보다 후발이지만 성장 속도가 빠르다. 마이크론은 3세대 제품인 HBM2E 출시 이후 4세대인 HBM3를 건너뛰고, 앞서 2월 업계 최초로 8단 24기가바이트(GB)...
휴롬은 지난달 28일 일본 QVC 채널 내 TSV(Today's special Value, 24시간 특집 방송)에 선정돼 라이브 방송 7회를 진행하는 동안 착즙기 H310 화이트, 블랙, 스카이블루, 사쿠라핑크 등 전 컬러 6100대가 모두 팔렸다.
휴롬 관계자는 "저가형 제품이 절반 이상을 차지하는 일본 착즙기 시장에서 비교적 고가로 분류되는 휴롬 제품만이 가진 건강 가치와 기술력...
계약 금액은 1499억 원이다. 이는 지난해 연결 매출액 1590억 원의 94.28% 규모다.
듀얼 TC 본더 그리핀은 실리콘관통전극(TSV) 공법으로 제작된 반도체 칩을 웨이퍼에 부착·적층하는 장비다.
앞서 한미반도체는 SK하이닉스에서 이 장비를 2000억 원어치 이상 수주했다. 이번 공급 계약으로 누적 수주액 3587억 원을 달성했다.
한미반도체는 HBM 제조에 필수적으로 쓰이는 장비인 열압축 접합작업기(TSV TC본더)의 글로벌 점유율 1위 업체로, SK하이닉스에 2000억 원어치 이상 수주하고 있다. 현재 ACE AI반도체포커스 ETF에서 3개 종목의 비중은 △한미반도체(27.50%) △SK하이닉스(26.46%) △삼성전자(22.63%)다.
수익률에 힘입어 ACE AI반도체포커스 ETF는 순자산액 또한 증가세를...
한미반도체는 주요 메모리 업체에 대해 TSV TC본더를 메인 벤더로 납품 중이다. TC본더는 열과 압력을 이용해 칩을 적층하고 전기적으로 연결하는 역할을 하는 HBM 생산의 핵심 장비다. 한미반도체는 전체 HBM TC본더 시장 점유율 약 65% 이상을 차지하고 있어 HBM 4 이후에도 경쟁력 수혜가 지속될 수 있다는 전망이다.
이 연구원은 "궁극적으로 더 높은...
김 연구원은 "HBM3E 점유율과 물량 증가 등이 올해 실적에서 중요하다"며 "실리콘관통전극(TSV) 공정을 적용한 128GB 모듈에서도 절대적 지위를 유지할 것"이라고 내다봤습니다. 목표주가는 기존 20만 원에서 25만 원으로 상향 조정했습니다.
한동희 SK증권 연구원도 "HBM 경쟁 우위를 통한 차별화된 수익성과 장기공급계약 기반의 실적...
HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 TSV(실리콘관통전극)로 연결한 차세대 메모리다. HBM3E는 5세대 HBM이다. 올해부터 본격적으로 상용화 궤도에 올랐다.
그간 관련 업계에서는 SK하이닉스의 HBM3E 수율이 60~70% 안팎으로 추정했다. 그러나 SK하이닉스가 이번 인터뷰를 통해 80%에 달한다는 점을 공식적으로 밝힌 셈이다.
앞서 곽노정 사장은 2일 경기도...
이는 HBM 구매자들이 AI 수요 전망에 대해 높은 신뢰도를 유지하고 있고 지속적인 가격 인상을 받아들일 의향이 있는 데다, HBM3E의 실리콘관통전극(TSV) 수율이 현재 40∼60%에 불과해 개선의 여지가 있기 때문이라고 봤다.
모든 주요 공급업체가 HBM3E 고객 인증을 통과한 것이 아닌 만큼 구매자는 안정적이고 우수한 품질의 공급을 확보하기 위해 더 높은...
김영식 제조기술 담당 부사장은 “M15x는 연면적 6만3000평 규모의 복층 팹으로, 극자외선(EUV)를 포함한 HBM 일괄 생산 공정을 갖출 예정”이라며 “실리콘관통전극(TSV) 캐파 확장 중인 M15와 인접해 있어 HBM 생산 효율을 극대화할 수 있다”고 설명했다.
이어 “용인 반도체 클러스터 부지 조성은 순조롭게 진행 중이며, 첫 팹이 들어설 1단계 부지 조성 공사...
클러스터는 2027년 준공을 목표로, 미국 인디애나주 어드밴스드패키징 시설은 2028년 하반기 가동을 목표로 사업을 추진한다.
SK하이닉스 관계자는 “AI 메모리와 일반 D램 수요에 적기 대응하기 위해서 추가적인 클린룸 공간 확보가 필요하다고 판단했다”며 “M15X는 TSV(실리콘관통전극) 캐파를 확장 중인 M15와 인접해 HBM 생산을 최적화할 수 있다”고 말했다.
SK하이닉스는 세계 최초로 TSV(Through Silicon Via) 기반 고대역폭메모리(HBM) 제품을 내놓은 이래 MR-MUF(Mass Reflow-Molded Under-Fill), 어드밴스드 MR-MUF 등 선행 기술을 접목하며 지속적인 성능 향상에 한창이다.
지난해 4월 SK하이닉스는 24기가비트(Gb) 12단 HBM3를 개발했다. 이 제품은 어드밴스드 MR-MUF 기술을 적용해 공정 효율성과 제품 성능 안정성을...
펨트론은 SK하이닉스와 함께 고대역폭 메모리(HBM) 웨이퍼와 TSV 공정 등 검사장비의 성능 평가를 진행 중이다. 이르면 올해부터 본격 양산에 나설 계획인 것으로 알려졌다. 현재 SK하이닉스는 HBM 생산성 향상을 위해 MR-MUF를 도입한 것으로 파악되는데, 펨트론은 이 공정에 필요한 검사 기술을 보유하고 있다.
SK하이닉스 관계자는 “AI 메모리와 일반 D램 수요에 적기 대응하기 위해서 추가적인 클린룸 공간 확보가 필요하다고 판단했다”며 “M15X는 TSV(실리콘관통전극) 캐파(생산능력)를 확장 중인 M15와 인접해 HBM 생산을 최적화 할 수 있다”고 강조했다.
고객 맞춤형 제품 생산에도 박차를 가한다. SK하이닉스는 최근 글로벌 파운드리 1위 기업인 대만 TSMC와...
MUF는 반도체에 수천 개의 미세 구멍을 뚫어 위아래로 연결하는 실리콘관통전극(TSV) 공정 후 반도체 사이에 주입하는 재료다. 수직으로 쌓아 올린 여러 개의 반도체를 단단히 굳혀 접합하는 역할을 한다.
한편, 시그네틱스는 MUF 관련 기술을 다수 보유 중이다. 시그네틱스 지난해 3분기 보고서에 따르면 '2Dies MUF Package'와 'Hybrid(FC+DA) MUF Package...
M15X는 TSV 캐파 확장 중인 M15와 인접해 있어 HBM 생산을 최적화할 수 있다는 장점도 고려됐다.
TSV(Through Silicon Via)는 D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 상호연결 기술이다.
M15X와 함께 SK하이닉스는 약 120조 원이 투입되는 용인 클러스터 등 계획된 국내 투자를 차질 없이 진행한다는...
이 부사장은 반도체 다운턴(하강 국면) 위기를 기회로 바꾼 고대역폭 메모리(HBM)의 실리콘관통전극(TSV) 기술처럼 미래를 위한 다양한 요소 기술 개발이 중요하다고 언급했다
이 부사장은 "TSV는 AI 시대를 예견하고 개발한 기술은 아니지만, 오늘날 대표적인 AI 반도체 기술로 손꼽히고 있다"며 "이처럼 우리는 어떻게 급변할지 모르는...
HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이를 쌓아 올린 뒤 이를 실리콘관통전극(TSV) 기술로 수직 연결해 만들어진다. 베이스 다이는 그래픽처리장치(GPU)와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행한다.
SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나, HBM4부터는 로직 선단 공정을 활용할 계획이다. 이 다이를 생산하는...