삼성·하이닉스,세계 반도체시장 독주 시작됐다

양사,1분기 최대 실적 발표... 대만업체는 ‘적자‘

삼성전자와 하이닉스가 세계 반도체시장에서 독재체제를 구축하고 있다. 최근 2년간 벌어진 '치킨게임'에서 승리한 후 굳히기에 들어갔다는 분석이다.

22일 1분기 실적발표를 한 하이닉스는 예상치를 뛰어 넘는 어닝서프라이즈를 기록했다. 비수기인 1분기지만 연결기준 2조8210억원으로 분기 사상 최대 매출을 기록한 것.

영업이익은 7990억원, 순이익은 8220억원을 기록했다. 영업이익률은 28%로 전분기 25% 대비 3%포인트 증가했다.

하이닉스는 전통적으로 비수기인 1분기임에도 불구하고 분기 사상 최대 매출을 달성할 수 있었던 이유에 대해 전반적으로 메모리 반도체 수요가 견조한 가운데 D램의 판매 수량이 증가했고, D램 가격도 상승했기 때문이라고 설명했다.

삼성전자의 반도체 부문 실적도 놀랍다. 지난 6일 이 회사는 올 1분기 매출액 34조원, 영업이익 4조3000억원 수준의 실적 전망치를 공개했다.

삼성전자가 부문별 실적 전망치를 공개하지 않았지만 업계와 증권가는 반도체로만 2조원 안팎의 영업이익을 올렸을 것으로 추정한다. 지난해 반도체 부문의 연간 영업이익 2조4000억원에 육박하는 수치다.

양사의 이 같은 실적은 미국 반도체 회사인 마이크론의 1분기 영업이익 4603억원을 크게 웃도는 실적이다. 대만 반도체업체는 적자를 기록할 정도로 심각한 상황. 대만의 D램업체인 난야와 이노테라는 지난 1분기에 각각 12억 대만달러씩의 영업적자를 기록했다.

전 분기 대비 적자전환이다. 두 회사의 매출도 전 분 기대비 각각 15%와 10%씩 감소한 것으로 나타났다. 영업이익률에 있어서도 각각 -9%, -11%를 기록했다. 반도체 호황기란 말이 무색한 수치다.

이는 기술력의 차이가 이같은 결과를 가져왔다는 분석이다.D램의 경우 삼성전자는 지난해 1월 40나노급 기술을 개발하고 7월부터 40나노급 2Gb 제품을 양산에 들어갔다. 올 2월 말에는 40나노급 4Gb 제품도 출시했다. 30나노급 D램도 1월 개발을 완료하고 올 하반기에 양산할 예정이다.

하이닉스는 현재 메인 메모리 제품 중 60%에 도달한 DDR3 제품의 비중을 올해 말까지 80% 이상으로 끌어올리고 40나노급 제품의 성공적인 공정 전환과 30나노급 제품의 연내 개발을 완료해 후발업체들과의 기술경쟁력 격차를 더욱 확대한다는 계획이다

반면 대만 난야와 이노테라의 경우는 50나노 미세공정 기술 비중도 낮은 것으로 알려졌다.

낸드 플래시는 삼성전자가 세계 최초로 20나노급 공정의 32Gb MLC(Multi-Level Cell) 낸드플래시를 이 달부터 양산하기 시작했다. 하이닉스도 지난 2월에 20나노급 제품 개발에 성공했고 올 하반기부터 양산에 들어간다는 방침이다.

박현 푸르덴셜투자증권 차장은 "삼성전자와 하이닉스가 보유한 D램 반도체 기술력이 대만 업체들보다 1년6개월가량 앞섰고 일본 엘피다나 미국 마이크론에 비해서도 1년 이상 앞선 것으로 보고 있다"고 말했다.

향후 전망도 좋다. 시장전문가들은 연내 D램 수급 상황이 제한적인 공급과 PC 수요 증가로 타이트하게 유지될 것으로 보고 있다.

지난해 마이크로소프트(MS)의 윈도7 출시했고 올해 초 인텔이 CPU 신제품을 내놓는 등 PC 교체수요가 늘고있다는 점도 호재다.

또 스마트폰과 태블릿 PC 등 수요가 증가하면서 하반기에도 낸드플래시 시장 상황이 좋을 것으로 예상된다. 오는 7월 출시될 것으로 보이는 애플 아이폰 4세대의 판매량을 600만대만 잡아도 플래시 수요가 5%가까이 신규 창출된다는 분석이다.

이가근 IBK투자증권 연구원은 "아이폰 4세대의 경우 4기가바이트 DDR D램과 32/64GB 낸드를 탑재할 것으로 알려졌다"며 "이후 출시될 스마트폰은 이 표준을 추종할 가능성이 크기 때문에 반도체 수요 급증이 예상된다"고 밝혔다.