SK하이닉스 312단 낸드 샘플 공개…2025년 양산 '선공'삼성전자, 2024년 9세대 이어 2030년 1000단 V낸드 개발"낸드 불황 D램보다 심해…적층 기술이 곧 경쟁력"
SK하이닉스가 8일(현지시간) 미국 샌타클래라 컨벤션센터에서 열린 '플래시 메모리 서밋(FMS) 2023'에서 세계 최초로 321단 1테라비트(Tb) TLC(트리플레벨셀) 4D 낸드플래시 샘플을 공개하면서...
SK하이닉스가 321단 낸드플래시 샘플을 공개했습니다. 2025년 상반기부터 321단 낸드를 양산하겠다는 구체적인 출사표까지 던졌는데요. 업계의 관심이 모인 건 SK하이닉스의 이번 발표가 기존 낸드의 한계를 돌파했기 때문입니다.
SK하이닉스의 이번 발표로 한동안 잠잠했던 반도체 업계의 낸드 적층 기술 경쟁에 다시 한번 불이 붙을 것으로 보입니다. 그런데...
'K-반도체'가 첨단 반도체 산업의 심장부인 미국 실리콘밸리에 차세대 낸드플래시 초격차 기술을 일제히 공개했다. SK하이닉스는 세계 최초로 300단 이상의 낸드 개발을 공식화했다. 삼성전자는 업계 최고 성능의 8세대 V낸드 기반 데이터센터용 SSD(솔리드스테이트드라이브)를 선보였다.
SK하이닉스, 삼성전자는 8일 샌타클래라 컨벤션센터에서...
이정배 사장은 DS부문 경영 현황 설명에서 "메모리는 30년간 1위 업체로서 사업 경쟁우위를 지속 유지하며 4세대 10나노급 D램 비중 확대, 7세대 V낸드 사업화 개시 등 차세대 기술 리더십을 강화하며 미래를 대비하고 있다"며 "파운드리는 역대 최대 매출을 경신하며 고객 수주를 지속 확대해 가고 있고 응용처 다변화, 포트폴리오 강화를 통해 글로벌...
신규 컨트롤러와 7세대 V낸드 탑재전력 효율 70% 높이고 소비전력 줄여
삼성전자는 5나노 기반 신규 컨트롤러를 탑재한 PC용 고성능 NVMe SSD 'PM9C1a'를 양산한다고 12일 밝혔다. 삼성전자가 PC용 SSD에 5나노 기반 컨트롤러를 탑재한 것은 이번이 처음이다.
삼성전자는 PM9C1a에 첨단 5나노 파운드리 공정을 적용해 자체 설계한 신규 컨트롤러와...
낸드플래시 시장에선 지난 20년간 1위 자리를 지켰다. 이변이 없는 한 지난해에도 삼성전자의 막강한 ‘글로벌 지위’는 유지된 것으로 보인다.
메모리반도체 기술력은 ‘속도’와 ‘용량’, ‘소비전력’이 좌우한다. 삼성전자의 메모리반도체 기술은 이러한 삼박자를 고루 갖춘 ‘세계 최초’ 타이틀을 늘 달고 다닌다.
삼성전자의 메모리반도체 기술 개발...
플래시 제품개발 전문가 이병일 DS부문 메모리사업부 플래시 PA1팀 상무는 신공정 이해도와 최적화 노하우를 바탕으로 V낸드 신제품 적기 개발 및 제품 특성 개선 등에 기여했다는 평가를 받는다.
기술을 중시하는 이 회장의 경영 철학이 임원 인사에 반영되면서 여성 기술 인재들도 다수 임원으로 발탁됐다.
이금주 반도체 연구소 D램 공정개발팀 부사장은...
삼성전자, 세계 최고 용량 ‘1테라 8세대 V낸드’ 양산 시작2024년 9세대 V낸드 출시 예정…고용량화 전장 사업 ‘고삐’SK하이닉스, 238단 낸드 개발…"1000단까지 적층 경쟁 치열"
삼성전자와 SK하이닉스가 첨단 낸드플래시 기술력을 바탕으로 '메모리 반도체 혹한기' 극복에 나섰다.
삼성전자는 7일 세계 최고 용량의 ‘1Tb(테라비트) 8세대 V낸드’...
삼성전자는 세계 최고 용량의 1Tb(테라비트) 8세대 V낸드 양산에 들어갔다고 7일 밝혔다.
삼성전자에 따르면 1Tb TLC(트리플레벨셀) 8세대 V낸드는 업계 최고 수준의 비트 밀도의 고용량제품이다. 웨이퍼당 비트 집적도가 이전 세대보다 대폭 향상됐다.
8세대 V낸드는 최신 낸드플래시 인터페이스 토글(Toggle) DDR 5.0이 적용돼 최대 2.4Gbps의 데이터 입출력...
올해 8세대 V낸드 기반 1Tb TLC 제품을 양산하고 △5세대 10나노급 D램 양산(2023년) △9세대 V낸드 양산(2024년) △자동차 메모리 반도체 1위 달성(2025년) △1000단 V낸드 개발(2030년) 등에 나선다.
이 밖에도 3일(현지시간) 파운드리 포럼 열고 선단 파운드리 공정과 차세대 패키징 적층 기술 개발계획도 밝혔다. 2025년에는 2나노, 2027년에는 1.4나노 공정을 도입해 글로벌...
삼성전자는 메모리 반도체 부문에서 2023년 5세대 10나노급 D램, 2024년 9세대 V낸드를 각각 양산하고 2030년에는 1000단 V낸드를 개발한다. 2030년 시스템반도체 세계 시장 1위를 견인할 파운드리 부문에서는 2027년 1.4나노 공정을 도입할 계획이다.
시설투자도 늘렸다. 삼성전자는 올해 반도체 부문 47조7000억 원, 디스플레이 3조 원 등을 포함해 총 54조 원을...
제논 가스는 3차원 V낸드 등 첨단 반도체 생산에 필수적으로 사용되는 희귀가스 중 하나다. 공기 중에 극미량이 포함되어 있어 대형 공기분리장치를 보유한 제철소에서 주로 생산되며, 현재 전량 수입에 의존하고 있다.
이에 삼성전자는 포스코와 '반도체용 제논 가스 사업협력'을 위한 양해각서를 체결하고, 2024년부터 제논 가스를 공급받기로 했다.
삼성전자는...
사업 부문별 실적은 공개되지 않았으나 대표적인 현금 창출원이었던 D램과 낸드플래시 등 메모리 반도체의 업황 둔화가 발목을 잡았다는 분석이 지배적이다.
금융투자업계에서는 3분기 반도체(DS) 부문 영업이익이 6조 원에서 7조 원 사이인 것으로 보고 있다. 지난 2분기 DS 부문의 영업이익이 9조9800억 원을 기록했던 것과 비교해 약 30% 급감한 규모다....
지난 5일 열린 ‘삼성 테크 데이’ 행사에서 5세대 10나노급 D램을 내년 양산하고, 2024년 9세대 V낸드를 양산하겠다는 계획을 내놨다.
앞서 경계현 삼성전자 DS 부문장 사장도 반도체 경기 사이클과 관계없이 꾸준히 투자를 이어가겠다는 뜻을 밝혔다.
경 사장은 "경기 사이클이 빨라지면서 불황기에 투자를 적게 한 것이 호황기에는 안 좋은 결과를...
최신 V낸드 기술을 탑재해 초고속 데이터 처리 능력을 갖춘 990 PRO(10월 출시), 내구성과 빠른 처리 속도가 특징인 SSD(솔리드스테이트드라이브) T7 등을 전시해 메모리반도체의 기술리더십을 뽐냈다.
삼성전자는 IFA 전시 공간 중앙에 있는 가로 길이 17m 대형 스크린을 활용해 2030 부산세계박람회(엑스포) 유치를 위한 홍보영상을 상영한다.
LG전자 혁신 제품...
삼성전자는 최신 V낸드 기술을 탑재해 초고속 데이터 처리 능력을 갖춘 990 PRO(10월 출시), 내구성과 빠른 처리 속도가 특징인 SSD(솔리드스테이트드라이브) T7 등을 전시한다.
삼성전자는 IFA 전시 공간 중앙에 위치한 가로 길이 17m 대형 스크린을 활용해 2030 부산세계박람회(엑스포) 유치를 위한 홍보영상을 상영한다. 또 IFA 전시 기간 동안 전시장 입구에서...
최신 V낸드 기술과 새롭게 설계한 컨트롤러를 적용해 업계 최고 수준의 성능을 구현했다는 설명이다.
990 PRO의 연속읽기ㆍ연속쓰기 성능은 각각 최대 7450MB/s, 6,900MB/s다. 임의읽기ㆍ임의쓰기는 각각 최대 1400K IOPS(초당 입력ㆍ출력 명령어 처리 수), 1550K IOPS다.
특히 990 PRO는 △고성능 그래픽 게임 △4Kㆍ8K 고화질 비디오 △3D 렌더링 △빅데이터...
삼성전자는 UFS 4.0 컨트롤러와 7세대 V낸드를 탑재해 업계 최고 수준의 플래시메모리 성능을 구현했다.
삼성전자 UFS 4.0 플래시메모리는 연속읽기와 연속쓰기 속도는 이전 세대(UFS 3.1) 대비 각각 2배(초당 4200MB), 1.6배(초당 2800MB)로 빨라졌다.
에너지 효율도 크게 증가했다. 삼성전자 UFS 4.0 플래시메모리는 1mA당 6.0MB/s의 연속읽기 성능을...
그러면서 "낸드는 V낸드 적층 수가 늘면서 128단 기술 우위를 기반으로 멀티스택이 적용된 노드에서도 격차를 벌려가겠다"며 "최근 AI 서비스 구현을 위한 필수 기술인 인메모리 컴퓨팅 기술 최초로 구현했으며 지속적인 미세화를 위한 연구개발을 집중할 것"이라고 강조했다.
GOS(게임최적화서비스) 이슈와 관련해 삼성이 자체 개발한 모바일...