국내 양대 반도체 제조사인 삼성전자와 SK하이닉스가 차세대 메모리 ‘M램’ 개발에 속도를 낸다. M램은 낸드플래시와 같이 전력 공급없이도 정보를 계속 보관할 수 있고 무제한에 가까운 반복 기록과 재생이 가능하다. 특히 기존 메모리에서 기술적 한계인 10㎚ 이하에서도 집적이 가능해 메모리 제품의 한계 극복을 위한 유일한 대안으로 꼽히고 있다.
삼성전자 관계자는 5일 “차세대 M램 연구개발 강화를 위해 내년부터 ‘삼성 글로벌 M램 이노베이션’ 프로젝트를 가동한다”고 밝혔다. 삼성전자가 반도체 분야에서 글로벌 대외 프로젝트에 나선 것은 이번이 처음이다.
지난 2011년 미국의 M램 개발업체인 그란디스를 인수합병한 삼성전자는 이번 프로젝트를 통해 차세대 메모리 시장에서도 한발 앞서 나가겠다는 전략이다. 삼성전자는 오는 9월28일까지 국내외 대학 및 연구기관을 대상으로 프로젝트 참가 신청을 받는다. 제안서를 검토한 후, 오는 12월 프로젝트 파트너를 선정할 방침이다. 이번 프로젝트에 참여하는 대학 및 연구기관 등은 삼성전자와 M램과 관련한 연구개발을 수행하게 된다.
삼성전자 관계자는 “차세대 M램 개발에 속도를 내기 위해 협업 대상을 넓히려는 차원”이라고 말했다. 이외에 차세대 메모리 관련 우수인재 영입과 기술 확보에도 도움이 될 것으로 보인다. 삼성전자는 오는 2015년부터 M램을 대량 생산한다는 로드맵도 세운 것으로 알려졌다.
삼성전자가 대규모 협업 프로젝트를 가동한 반면, SK하이닉스는 일본 도시바와 M램을 공동 개발하고 있다. 세계 메모리반도체 시장 점유율 3위인 도시바는 M램의 기술 및 개발 능력 면에서 최고의 경쟁력을, 2위 SK하이닉스는 업계 최고 수준의 메모리 반도체 기술과 원가 경쟁력을 갖추고 있다. 차세대 M램은 다양한 화합물 신소재를 사용하기 때문에 상용화를 위해서는 원천기술과 함께 대량생산할 수 있는 공정기술 모두를 보유해야 한다.
SK하이닉스는 최근 차세대 메모리 분야에 정통한 국내외 인재 영입에도 사력을 다하고 있다. 회사 관계자는 “시기는 다소 유동적이나 2015년 M램 상용화에 들어갈 계획”이라고 밝혔다.