지난해 행사에서는 2026년까지 최첨단 2나노미터(㎚·1㎚=10억분의 1m) 전장 솔루션 양산을 준비하고, 업계 최초로 5㎚ 내장형 M램(eMRAM) 개발 계획을 밝힌 바 있다. eMRAM은 높은 온도에서도 안정적으로 동작할 수 있는 전장용 차세대 핵심 메모리 반도체다. 현재 14㎚ 공정의 eMRAM 제품은 개발을 완료한 것으로 알려졌다.
이재용 삼성전자 회장은 3월 유럽 출장 당시...
이 회장은 최근 삼성전자 화성캠퍼스 반도체연구소에서 차세대 메모리반도체로 꼽히는 ‘M램’ 개발 상황을 점검했다. M램은 D램과 낸드플래시의 장점을 결합해 중앙처리장치(CPU) 기능까지 대체할 수 있는 첨단 반도체다. 데이터처리 속도가 D램보다 10배 이상 빠르고 생산단가는 낮은 것이 특징이다. 이 회장은 “반도체연구소를 두 배로 키우겠다”고 밝혔다....
이 회장은 차세대 메모리반도체로 꼽히는 ‘M램’ 개발 담당 직원들도 만나 격려했다. M램은 D램과 낸드플래시의 장점을 결합해 중앙처리장치(CPU) 기능까지 대체할 수 있는 반도체다. 데이터처리 속도가 D램보다 10배 이상 빠르고 생산단가는 낮은 것이 특징이다.
삼성전자는 반도체 업황 부진으로 재고자산이 늘고 영업이익이 급감했지만 인위적 감산은 하지 않고...
삼성전자 관계자는 "이번 연구는 시스템 반도체 공정과 접목해 대량 생산이 가능한 비휘발성 메모리인 M램을 세계 최초로 인-메모리 컴퓨팅으로 구현하고, 차세대 저전력 인공지능 칩 기술의 지평을 확장했다는데 큰 의미가 있다"고 설명했다.
앞서 삼성전자는 하버드대 연구진과 지난해 9월 뉴로모픽 반도체 비전을 제시한 논문을 '네이처 일렉트로닉스'에...
파운드리 사업부 PA2팀장 정기태 부사장은 M램, P램 등 뉴메모리 분야 차세대 공정기술 전문가로 파운드리 공정 경쟁력 강화에 기여했다.
반도체연구소 플래시 TD팀장 신유균 부사장은 V낸드 선행제품 개발을 주도했다. 생산기술연구소장 양장규 부사장은 반도체 설비 기술 전문가 반도체 미세공정 한계 극복에 기여했다.
삼성전자는 "경영 성과와 성장...
파운드리 사업부 PA2팀장 정기태 부사장은 M램, P램 등 뉴메모리 분야 차세대 공정기술 전문가다. CIS 공정 개발 및 세계 최초 eM램 양산 등 파운드리 공정 경쟁력 강화에 기여했다.
반도체연구소 플래시 TD팀장 신유균 부사장은 V낸드 선행제품 개발을 주도했다. 생산기술연구소장 양장규 부사장은 반도체 설비 기술 전문가 반도체 미세공정 한계 극복에 기여했다....
삼성전자를 비롯한 글로벌 반도체 업계가 M램과 P램 등 차세대 제품 개발 경쟁에 속도를 내고 있다.
기존 D램과 낸드플래시로는 반도체산업 성장에 한계가 있다는 판단에 따른 것이다. 특히 불황을 타개하고 지속 성장하기 위해선 패러다임을 바꿀 새 제품이 필요하다는 데 인식을 같이하고 있다.
11일 반도체 업계에 따르면 'M램 글로벌 혁신 포럼'이 12일...
고려대 신소재공학부 이경진 교수 연구팀이 국제공동연구를 통해 새로운 자성소재를 적용해 MDW(Magnetic Domain Wall)-M램의 소비 전력을 95% 이상 절감시킬 수 있는 원천기술을 세계 최초로 개발했다.
이 연구 결과는 현지시간 18일 세계적인 학술지 '네이처 일렉트로닉스(Nature Electronics)'에 발표됐다.
D램은 초고속 데이터처리, 고밀도 저장, 저전력 구동 등...
M램(Magnetic RAM), PC램(Phase Change RAM), Re럄(Resistive RAM)과 같은 차세대 메모리는 기존 메모리에 비해 차별화된 장점을 가지고 있지만 대량생산이 어려운 신소재에 기반을 둬 상용화에 어려움을 겪고 있다.
어플라이드 머티어리얼즈는 차세대 메모리에 사용되는 핵심 물질인 새로운 금속 물질들을 원자층 단위의 정밀도로 증착할 수 있는 새로운 대량 생산...
삼성전자가 파운드리(칩 위탁생산) 사업에서 차세대 M램 시대를 열었다.
삼성전자는 ‘28나노 FD-SOI(완전공핍형 실리콘 온 인슐레이터) 공정 기반 eM램(embedded Magnetic Random Access Memory, 내장형 M램)’ 솔루션 양산 제품을 첫 출하했다고 6일 밝혔다.
메모리 반도체 세계 1위인 삼성전자는 파운드리 등 비메모리 분야에서도 2030년까지 세계 1위에 오른다는...
실제 2011년 SK하이닉스와 도시바는 차세대 메모리로 손꼽히는 ‘M램’의 공동 개발에 나서기로 계약을 맺기도 했다.
업계 관계자는 “도시바메모리 투자는 최 회장의 뚝심이 주효했다”며 “낸드 시장 공략에 나선 중국 기업들의 공세를 막아서는 것을 넘어서서 이번 승부수가 또 어떤 성과로 이어질 지 주목하고 있다”고 말했다.
약 1800억 원이 들어가는데 인프라를 투자하면서 원가도 절감해야돼 점점 난이도가 높아지고 있다”고 말했다.
그는 미래의 메모리 기술의 핵심으로 ‘나노 소재’를 언급했다. 그는 “나노기술을 융합한 새로운 메모리반도체를 개발해야한다”면서 “삼성이나 SK하이닉스나 차세대 메모리로는 PC램이 유력하고 STT-M램 개발도 열심히 진행하고 있다”고 밝혔다.
한때 기술유출 문제로 법정 공방을 벌였으면서도 글로벌 경쟁에서 우위를 점하기 위해 D램의 대체재로 주목받는 차세대 메모리 STT-M램을 공동으로 개발하고 있기 때무이다.
이들의 애증의 역사는 2014년부터 시작됐다. 2014년 7월 도시바가, SK하이닉스가 부정한 방법으로 자사 기술을 빼냈다면서 이른바‘산업 스파이’건으로 1100억 엔(약 1조1186억원) 규모의...
낸드 플래시 기술의 발달에 따라 더욱 성능이 개선된 새로운 3D 낸드 플래시 구조를 제시하고 더욱 성능을 개선하기 위한 기술이다. 또한 도시바와 공동 연구를 진행해온 차세대 반도체 ‘STT-M램’의 연구 성과를 발표한다. 양사는 STT-M램은 4Gb로 STT-M램에선 세계 최대 용량을 달성한 것으로 알려졌다.
삼성전자는 올 2분기 2011년 인수한 차세대 메모리반도체 자기저항램(M램) 업체 그란디스를 청산했다. 삼성전자 반도체사업부로 M램 연구개발(R&D) 업무를 편입해 업무 효율을 높이려는 전략이다. M램은 전원을 꺼도 정보가 지워지지 않는 낸드플래시의 비휘발성 특징을 가지면서 기존 낸드와 D램의 성능을 능가하는 차세대 메모리다.
2012년부터 진행돼 온...
15%, 9% 뛰었다.
한편, 양사의 발표에 대해 업계에선 “다른 반도체 기업 역시 차세대 비휘발성 메모리로 저항성 램(ReRAM), 자기저항성 램(M램) 등이 개발 중”이라며 “인텔과 마이크론의 3D XPoint 기술이 타사보다 나은 지 현재로선 판단하기 어렵고 내년이나 내후년에 그 실체를 알 수 있을 것”라는 회의론도 제기됐다.
양사는 공정 미세화의 한계에 대응하기 위한 새로운 기술을 확보할 수 있게 돼 양사가 메모리 반도체 선두 업체로의 입지를 더욱 강화할 수 있을 것으로 기대하고 있다.
한편 SK하이닉스는 도시바와 오랜 협력 관계를 유지해왔다. 2007년 특허 상호 라이선스 계약을 체결한 바 있으며, 2011년부터 차세대 메모리인 ‘STT-M램’의 공동개발을 진행해 오고 있다.
신문은 도시바와 SK하이닉스가 이르면 2016년 스마트폰 등 모바일 기기 성능 대폭 향상시킬 신형 반도체 메모리(M램) 양산에 들어간다고 전했다.
M램(자기기록식 메모리)은 현재 D램보다 기억 용량이 10배 커지지만 소비전력은 D램의 3분의 2로 줄어든다. 특히 전원을 꺼도 데이터가 지워지지 않은 것이 특징이다.
경쟁업체인 미국 마이크론테크놀로지는 이르면...
미국 마이크론테크놀로지와 일본의 도쿄일렉트론 등 미국과 일본 반도체 관련 기업 20곳 이상이 차세대 반도체 ‘M램(자기기록식 메모리)’ 양산 기술을 공동개발한다고 24일(현지시간) 니혼게이자이 신문이 보도했다.
마이크론테크놀로지와 도쿄일렉트론 등은 2016년까지 기술개발을 끝내고 이르면 2018년에 M램 양산에 들어간다는 계획이다.
공동개발에는 반도체...
그는 또 “IT기기 자체의 수적 성장은 그다지 기대할 수 없지만, 스마트 폰과 태블릿이 크게 시장을 리드할 것”이라며 “압도적인 에너지 절약과 비용절감이 키워드가 되기 위해 M램, 3차원 입체트랜지스터, 450mm 웨이퍼 등의 차세대기술이 주목을 끌 것”이라고 강조했다.
와타루 사장은 “2016년 이후는 새로운 앱 및 반도체 기술이 속도를 내고, 새로운 도약의...