기술적인 측면에서는 무리하게 1나노미터(㎚·10억 분의 1m) 선단 공정을 앞당기기 보다는 완성도를 높이는 전략을 택했다.
특히 세계 최초로 적용한 ‘게이트 올 어라운드(GAA)’ 기술을 더 강화해 3㎚ 이하 선단 공정 경쟁력을 높일 계획이다. GAA는 반도체를 구성하는 트랜지스터 게이트(전류가 드나드는 문)와 채널(전류가 흐르는 길)이 닿는 면을 4개로 늘린...
"유망 팹리스 MPW 지원 늘려…새 고객사로""3나노미터 GAA 공정 수율 끌어 올려야"
전문가들은 삼성전자가 반도체 시장 초격차를 벌리기 위해 그 어느 때보다 변화와 도전이 필요한 시점이라고 강조했다. 특히 파운드리 부문에선 기존 고객사들과의 네트워킹 강화뿐만 아니라 새로운 고객사 확보를 위한 투자·지원 등의 노력도 적극적으로 병행해야...
인텔, 삼성전자, TSMC를 포함한 칩메이커들은 특히 반도체의 전력 효율성을 높이기 위해 2nm나노 공정에서 GAA(Gate-All-Around)를 도입한 칩을 생산하기 시작했다. 2025년 첨단 반도체 분야에 대한 생산능력은 17% 증가할 것으로 예상된다.
아짓 마노차 SEMI CEO는 "클라우드 컴퓨팅에서 엣지 디바이스에 이르기까지 AI의 확산은 고성능 칩 개발 경쟁을...
1나노미터((㎚·10억 분의 1m)급 공정 도입 시기를 앞당기자 삼성전자도 기존 계획을 수정할 것이란 가능성이 나오기도 했다.
그러나 삼성전자는 무리하게 첨단 공정을 앞당기는 것보다 완성도를 높이는 편을 택했다. 특히 삼성전자는 세계 최초로 적용한 ‘게이트 올 어라운드(GAA)’ 기술을 강화해 3㎚ 이하 선단 공정 경쟁력을 높여 나갈 계획이다....
삼성전자는 3㎚ 공정에 게이트 올 어라운드(GAA) 트랜지스터 기술을 최초로 적용해 2022년부터 양산 중이며, 올해 하반기에 2세대 3㎚ 공정 양산을 시작할 계획이다. GAA는 기존 핀펫(FinFET) 기술 대비 전류가 흐르는 채널을 늘려 데이터 속도와 전력 효율을 높인 기술이다.
삼성전자는 파운드리와 메모리, 어드밴스드 패키지 사업을 모두 보유하고 있는...
AMDㆍARM 등 고객사 임원 기조연설AMD와 3나노GAA 공정 협력 가능성1나노급 공정 로드맵 더 앞당길 수도
삼성전자가 미국에서 대규모 파운드리 포럼 행사를 열고, 사업 확장에 본격적으로 시동을 건다.
이번 행사는 고객사 협력 강화와 기술 혁신 방안에 초점을 둘 것으로 보인다. 특히 TSMC, 인텔 등 경쟁사들이 앞다퉈 1나노미터(㎚·10억 분의 1m)급 첨단...
삼성전자는 시스템반도체 부분에서는 2022년 3나노미터(㎚·10억분의 1m) 게이트올어라운드(GAA) 공정을 세계 최초 양산하고, 미래 첨단 반도체 수요에 대응하기 위한 신규 파운드리 공장을 미국 테일러에 착공하는 등 중장기 성장 기반을 다졌다.
특히 메모리 사업에서 포트폴리오를 고부가ㆍ고용량 제품 중심으로 최적화해 나간다는 전략이다. 고성능...
그는 이어 "로직 파워를 줄이고 성능을 높여야 다양한 응용에서AI의 지능을 키울 수 있다"며 "고객들이 GAA 2나노를 원하는 이유"라고 설명했다. 경 사장은 "성공적인 기술 개발을 통해 이들이 2나노 제품개발로 이어지도록 할 것"이라고 강조했다.
마지막으로 경 사장은 "'마하-1'에 대한 고객들의 관심 또한 증가하고 있다...
파운드리는 업계 최초 GAA 3나노 공정으로 모바일 AP 제품의 안정적인 양산을 시작하고, 2025년 GAA 2나노 선단 공정의 양산을 준비할 계획이다.
HBM에 시장에선 선두를 탈환할 계획이다. 경계현 삼성전자 DS부문 사장은 전날 열린 주주총회에서 "HBM4 등과 같은 신공정을 최고의 경쟁력으로 개발해 다시 업계를 선도할 것"이라고 강조했다.
엔비디아와의 HBM...
파운드리는 업계 최초 GAA 3나노 공정으로 모바일 AP 제품의 안정적인 양산을 시작하고 2025년 GAA 2나노 선단 공정의 양산을 준비할 계획이다.
이날 경계현 사장은 “반도체는 지난 1월부터 흑자 기조로 돌아섰고 액수를 정확하게 말씀드릴 순 없지만 (추후 실적발표에서) 궤도에 올라가는 모습을 보실 수 있을 것”이라며 “근원적인 경쟁력을 회복시켜 업황...
파운드리는 업계 최초 GAA 3나노 공정으로 모바일 AP 제품의 안정적인 양산을 시작하고 2025년 GAA 2나노 선단 공정의 양산을 준비할 계획이다. 또 오토모티브, RF(Radio Frequency) 등 특수공정의 완성도를 향상하고 4/5/8/14나노 공정의 성숙도를 높여 고객 포트폴리오를 확대할 방침이다.
삼성전자 DS부문은 2030년까지 기흥 연구개발(R&D) 단지에 20조 원을 투입하는...
삼성은 3나노 공정에서 TSMC보다 먼저 게이트올어라운드(GAA) 기술을 적용해 승부수를 던졌지만 아직 큰 효과를 보지 못하고 있다.
최대 시장인 중국의 불황과 중국 기업 저가 공세에 밀려 수출이 쪼그라든 석유화학 업체들의 주총장에서도 주주들의 원성이 이어질 전망이다.
LG화학은 지난해 매출 55조2498억 원, 영업이익 2조5292억 원을 기록했다. 2022년보다...
특히 삼성전자는 3㎚ 이하 첨단 공정에 필수적으로 꼽히는 게이트올어라운드(GAA) 기술에서 경쟁사보다 우위를 차지하고 있다는 평가를 받는다.
지난달 마크 저커버그 메타 CEO 방한 이후에는 메타가 삼성 파운드리의 2㎚ 공정을 통해 AI 칩을 생산할 것이란 가능성이 나오기도 했다. 저커버그는 TSMC의 높은 의존도에 관해 우려를 표명한 바 있다. 메타는 현재...
삼성전자는 2022년 6월 세계 최초로 이 기술을 3㎚ 공정에 적용했다. 경쟁사인 TSMC와 인텔은 내년에야 GAA를 적용하기 때문에 향후 안정적인 수율 확보 면에서 삼성 파운드리가 유리할 것으로 보인다.
업계에서는 지난달 마크 저커버그 메타 CEO 방한 이후 메타가 삼성 파운드리의 2㎚ 공정을 통해 AI 칩을 생산할 것이란 가능성이 나오기도 했다. 실제로 저커버그는...
3나노미터(nm·10억 분의 1m) 공정 기술력을 강화한다. Arm의 IP에 삼성전자가 세계 최초로 양산에 성공한 차세대 트랜지스터 구조인 ‘게이트올어라운드’(GAA) 공정을 적용한다. GAA는 파운드리 시장에서 이른바 ‘게임체인저’로 불린다. 삼성전자가 첨단 기술 경쟁에서 앞서나가고 있다고 평가 받는 분야다.
삼성전자는 최첨단 GAA 공정에 Arm의 차세대...
삼성전자는 2022년 6월 세계 최초로 GAA를 3나노미터(nm·10억 분의 1m) 공정에 도입한 바 있다.
삼성전자는 이번 협업은 다년간 Arm 중앙처리장치(CPU) IP를 삼성 파운드리의 다양한 공정에 최적화해 양산한 협력의 연장선이라고 설명했다. 삼성 파운드리는 10년 이상 Arm과 협력을 이어오고 있다. 2018년 7월에는 Arm과 7nm, 5nm 핀펫 공정 기술로 협력 확대를...
삼성전자는 2022년 6월 세계 최초로 차세대 공정 기술인 ‘게이트올어라운드’(GAA) 기술을 3나노 공정에 적용했다. GAA를 적용하면 칩 크기를 획기적으로 줄이면서도 트랜지스터 용량을 대폭 늘릴 수 있다. 경쟁사인 TSMC와 인텔은 내년 2㎚부터 GAA 적용을 시작하는데, 삼성전자는 이들보다 3년을 앞선 것이기에 고객사 확보에 있어 우위에 있다는 평가다.
경...
3나노 공정에서 세계 최초로 도입한 게이트 올 어라운드(GAA) 기술력도 선보일 예정이다.
한 업계 관계자는 “삼성과 SK가 이동통신 행사에서 굳이 반도체 부스를 차린다는 것은 그만큼 고객사 확보에 열중하고 있다는 의미”라며 “특히 올해 AI 기술 확대로 반도체 시장 반등이 예상되는 만큼 주도권 경쟁이 심화할 것”이라고 말했다.
메모리 제품 외에도 고성능 게임 유저를 위한 차세대 모바일 프로세서와 파운드리 업계 최선단 3나노 게이트올어라운드(GAA) 기술력도 선보일 계획이다. GAA는 반도체 미세화의 한계를 돌파할 신기술로 꼽힌다. 데이터 처리속도와 전력 효율을 높인 만큼 AI 반도체 생산 능력을 키울 수 있다.
이번 MWC에는 경계현 사장도 참석해 고객과의 미팅을 이어갈 것으로...
삼성전자는 3나노 게이트올어라운드(GAA) 공정을 안정적으로 양산하고 2나노 첨단 공정 개발도 지속할 계획이다.
생활가전, 스마트폰 등을 담당하는 디바이스경험(DX) 부문에서는 AI 스마트폰 등 AI 제품 판매 확대에 주력한다.
구체적으로 모바일 경험(MX) 사업부에서는 최근 출시한 첫 AI 스마트폰 갤럭시 S24 등 플래그십 중심의 판매를 확대해 시장을...