회사가 최근 개발한 10나노급 6세대(1c) 미세공정 적용 16Gb(기가비트) DDR5 D램은 세계 최초로 기록됐다.
10일 SK하이닉스 뉴스룸은 좌담회를 통해 1c 기술 개발을 주도한 오태경 부사장(1c Tech TF), 조주환 부사장(DRAM 설계), 조영만 부사장(DRAM PI), 정창교 부사장(DRAM PE), 손수용 부사장(개발 TEST), 김형수 부사장(DRAM AE)이 설명하는 기술 역량과 로드맵을 소개했다.
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2024-09-10 09:46