SK하이닉스가 개발한 238단 낸드는 셀이 238겹이라는 의미다. 단이 높을수록 더 많은 데이터를 저장할 수 있어 적층 수를 높이기 위한 경쟁도 심화하는 상황이다.
SK하이닉스 관계자는 “미세 공정이 중요한 D램처럼 과거 낸드에도 미세공정을 적용했지만, 구조적인 어려움으로 적층 방식을 활용하고 있다”며 “현재 낸드에서는 제조사 간 ‘적층 경쟁’이...
238단 낸드플래시는 셀을 238겹으로 쌓아 올렸다는 의미로 적층량에 따라 데이터 저장량이 결정된다.
SK하이닉스는 2018년 개발한 낸드 96단부터 기존 3D를 넘어선 4D 제품을 선보여왔다. 4D는 3D 대비 단위당 셀 면적이 줄어들면서도 생산효율이 높아지는 장점이 있다.
SK하이닉스는 4차원 구조로 칩이 구현되는 4D를 만들기 위해 CTF(Charge Trap Flash)와 PUC(Peri...
노 사장은 “D램 1anm(A나노)와 낸드 176단은 현재 수율 개선과 함께 비중 확대가 순조롭게 이루어지고 있다”며 “238단 낸드플래시의 연내 시험 생산을 완료하고 내년 상반기에 양산에 돌입할 계획”이라고 밝혔다.
그러면서 “프리미엄 제품 전략은 고용량 및 차별적 제품 확대 두 가지로 내년 1A나노를 본격 확대하며 12Gb/16Gb LPDDR5과 16Gb/24Gb DDR5 제품들이 확대될...
SK하이닉스는 27일 2분기 실적 발표 후 진행된 콘퍼런스콜에서 미국 마이크론 232단 낸드플래시 세계 최초 양산과 관련해 “당사는 238단 낸드플래시의 연내 시험 생산을 완료하고 내년 상반기에 양산에 돌입할 계획”이라고 말했다.
이어 “최근 메모리 시장은 누가 개발을 먼저 하느냐보다는 사실 개발된 테크를 얼마나 고객 프렌들리한지, 비트그로스(비트 단위...
곽 사장의 이같은 발언은 현재 추진 중인 10나노대 5세대(1b) D램(12~13나노)과 낸드플래시 238단 기술 개발이 순조롭게 진행되고 있다는 취지로 읽힌다. D램은 회로 선폭이 가늘수록, 낸드플래시는 셀을 더 많이 쌓을수록 메모리 성능이 좋아지는 것으로 알려졌다.
곽 사장은 일각의 솔리다임(옛 인텔 낸드플래시 사업부) 분사설에 대해 사실무근이라고 밝혔다....
차세대 제품인 1b D램와 낸드플래시 238단의 제품 개발 역시 순항 중이다. 장비 입고 기준 1분기에 4조 원을 이천·청주 공장 등 인프라 구축에 투자했다.
노 사장은 “올해 D램 수요는 기존 전망인 10% 후반을 유지하면서 출하량도 같은 수준을 목표로 하고 있다”며 “2분기에는 서버를 포함한 컴퓨팅향의 수요 증가로 당사의 D램 출하량은 약 10% 중반 성장을, 낸드는...
SK하이닉스는 27일 1분기 실적 발표 후 진행된 콘퍼런스콜에서 "작년 말 양산을 시작한 1a 나노미터 D램과 176단 낸드는 현재 수율 계산과 함께 비중 확대가 이뤄지고 있으며 1bㆍ238단 제품 개발 역시 순조롭다"며 "다만 장비 수급 어려움으로 1a D램ㆍ176단 낸드 양산 일정이 연초 계획 대비 일부 지연될 가능성이 있다"고 설명했다.