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  • 日 니치아, 영국에서 서울반도체 특허침해 제소
    이번 소송의 대상이 되는 니치아의 특허는 p형 화합물 반도체 제조방법에 관한 어닐링(annealing) 특허로 질화갈륨(GaN)계 LED를 대량생산하기 위해서는 필수적인 특허라는 것이다. 니치아의 어닐링 특허는 p형 질화갈륨(GaN)계 화합물 층을 400℃ 이상의 온도로 가열해 일정시간 유지한 다음 실온에서 냉각시킴으로써 양호한 특성의 반도체를 제조하는 것이...
    2008-09-17 13:24
  • [신기술/신제품]포스텍 출신 연구원, 세계 최초 3차원 이종집적전자소자 개발
    [신기술/신제품]포스텍 출신 연구원, 세계 최초 3차원 이종집적전자소자 개발
    포스텍 학사·석사·박사(신소재공학과) 출신의 안종현씨가 개발한 3차원 이종집적전자소자는 플라스틱 기판 위에 실리콘, 질화갈륨(GaN), 갈륨비소(GaAs), 탄소나노튜브 등의 이종 반도체 나노소재들을 집적할 수 있어 실리콘만으로 만들어지는 기존의 2차원 집적전자소자와는 달리 새로운 전자소자를 개발할 수 있을 것으로 전망된다. 특히 이 기술은 광전자...
    2006-12-15 09:33
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