이번 소송의 대상이 되는 니치아의 특허는 p형 화합물 반도체 제조방법에 관한 어닐링(annealing) 특허로 질화갈륨(GaN)계 LED를 대량생산하기 위해서는 필수적인 특허라는 것이다.
니치아의 어닐링 특허는 p형 질화갈륨(GaN)계 화합물 층을 400℃ 이상의 온도로 가열해 일정시간 유지한 다음 실온에서 냉각시킴으로써 양호한 특성의 반도체를 제조하는 것이...
주성의 LPCVD장치는 반도체 소자 공정에서 가장 많이 사용되는 실리콘 질화막 (SiN), 실리콘 산화막 (SiO2), 다결정실리콘 박막(Poly-Si) 그리고 어닐링 등을 하나의 시스템에서 생산이 가능한 특징을 가지고 있어, 사용자에게 다양한 솔루션을 제공할 수 있다.
주성은 LPCVD가 본격적인 양산체제를 갖추게 되는 2007년에는 현재 1조 이상의 시장이 형성되어있는 기존...