삼성전자-하이닉스, 차세대 반도체 시장 선점 공동 대응

반도체 3대 기술협력 추진 합의...업계 공동R&D 개시

삼성전자와 하이닉스가 차세대 반도체 국제표준 마련과 시장 선점을 위해 공동 대응에 나섰다.

양사는 25일 차세대 반도체 시장에 대한 국내 업계의 공동 대응이 필수적이라는데 공감하고 '신 메모리 공동 R&D', '반도체산업 표준화', '장비ㆍ재료 국산화 확대'를 핵심으로 하는 '반도체 3대 기술협력'을 적극 추진키로 합의했다.

특히 국내 반도체 업계는 최근 반도체산업 실적부진 장기화와 치열한 국제경쟁에 대한 근본적 대안을 마련하기 위해 대기업-대기업간 공동 R&D(연구개발)로 기술 경쟁력을 높이고, 아울러 대기업-중소기업간 기술지원으로 장비ㆍ소재 국산화를 확대하는 '포괄적 기술협력' 전략을 추진한다.

아울러 지식경제부와 반도체 업계는 차세대 반도체 제품, 장비ㆍ재료 시장 선점 및 국내 생산라인 효율성 증대를 위한 업계 공동의 '표준화 전략'을 사상 최초로 추진한다.

오는 2012년 450mm 웨이퍼로의 규격 전환에 대비해 업계는 450mm 국제 표준 선점을 통해 대규모의 신규 장비ㆍ재료 시장 주도권을 확보할 계획이다.

지경부는 8월 중 산ㆍ학ㆍ관 공동의 '표준화 협의체'를 구성하고, 장비ㆍ재료ㆍ제품의 3개 분야별 워킹그룹을 중심으로 국내 및 국제표준 활동을 병행할 예정이다.

우선 삼성전자와 하이닉스는 메모리 세계 1위에도 불구하고 핵심 원천기술은 여전히 해외에 의존하는 문제점을 극복하기 위해 테라비트급 차세대 반도체 원천기술 개발을 위한 공동 R&D를 오는 9월부터 본격 개시한다.

양사는 2012년 시장이 형성될 것으로 예상되는 'STT-MRAM'을 중점 개발할 계획으로, 향후 원천기술 선점시 연간 5억 달러 이상의 로열티 효과가 발생하게 된다.

국내 업계가 과거 공동 R&D를 통해 2000년대 메모리 1위로 도약한 것처럼 이번 공동R&D 역시 2010년대 차세대 메모리 1위로 나아가는 중요한 계기가 될 전망이다.

또한 차세대 반도체 공동 R&D를 통한 지적재산권 공동 선점은 향후 경쟁국(일본, 대만, 중국 등) 특허견제, 국제 특허분쟁 공동대응 등이 가능한 한국형 'IP 컨소시엄'으로 발전할 것으로 기대된다.

이와 함께 삼성, 하이닉스, 동부 등 반도체 대기업 3사는 지난 해부터 추진해 온 국내 '장비ㆍ재료 성능평가' 지원사업을 올 하반기부터 확대 추진한다.

삼성전자와 하이닉스는 반도체 장비ㆍ재료의 실질적인 국산화율 향상을 위한 자체 '국산화 전략'을 병행 추진해 내년까지 총 6463억원 규모의 국산 장비ㆍ재료를 추가 구매할 것으로 기대된다.

이날 지식경제부와 삼성전자, 하이닉스, 동부하이텍, 코아로직 등 업계는 '반도체 통합협회 출범식 및 발전전략 보고회'에서 '반도체산업 기술협력 협약' 및 '반도체협회 통합 MOU'를 체결했다.

한편, 이날 행사에 앞서 반도체 업계는 한국반도체산업협회 임시총회를 개최해 신임 회장으로 삼성전자 권오현 사장을 선출하고, IT-SoC협회 통합을 의결했다.