LG이노텍의 FCBGA는 미세 패터닝, 초소형 회로연결구멍(Via) 가공기술 등 독자적인 반도체용 기판 구현 기술이 적용돼, 높은 회로 집적도를 갖췄다는 평가다.
또한 LG이노텍도 유리기판 기술뿐만 아니라 고주파 잡음을 제거해 칩 신호 전달을 안정적으로 지원하는 기술 등 차세대 기술 현황도 소개했다. 이외에도 △무선주파수 시스템인패키지(RF-SiP) △FCCSP...
LG이노텍의 FCBGA는 미세 패터닝, 초소형 회로연결구멍(Via) 가공기술 등 독자적인 반도체용 기판 구현 기술이 적용돼, 높은 회로 집적도를 갖췄다는 평가다.
LG이노텍은 대면적 기판 구현에 핵심인 ‘멀티레이어 코어(MLC) 기판 기술’도 소개했다. 기판 대면적화로 기판의 뼈대 역할을 하는 코어(Core)층은 휨 현상 방지를 위해 두꺼워질 수밖에 없다. 이에...
'Glass PCB'의 대면적화에 적용된 2가지 핵심 원천기술은 이온빔 표면처리를 이용한 구리/글라스 간의 접착력 증대와 물리적 증착기법(PVD: Physical Vapor Deposition)을 이용하여 종횡비 1:10까지의 관통홀(Through Glass Via: TGV) 내벽에 구리 박막을 형성하는 기술이다.
그리고 이러한 원천기술을 바탕으로 7N/cm 이상의 구리/글라스 간의 접착력과 종횡비 1:5의 관통홀...
‘비아(Via)’라는 구멍이다. 오차 없이 정확히 뚫기 위해서는 정교한 가공 기술력이 필요하다. 삼성전기는 A4용지 두께 10분의 1 수준인 10um 비아를 구현할 수 있다.
회로 선폭과 간격도 미세화하고 있는데, 삼성전기는 머리카락 두께 20분의 1인 5um 이하 수준의 회로 선폭을 구현할 수 있는 미세회로 형성 기술을 보유하고 있다.
고성능 반도체 칩에는 고성능...
하스는 산업통상자원부에서 주관하는 소재부품기술개발사업에 대한 국책 과제(과제명: Wafer type 알루미노규산염 유리 기판 제조 및 광화학반응 기반 10㎛ 이하 Via hole 가공 기술 개발)에 선정되어 반도체 패키징용 핵심소재 국산화를 위한 기술 개발에 본격 착수한다.
이번 과제의 수행기간은 2024년 7월부터 54개월 동안 진행될 계획이며, 정부지원금 27.5억 원을...
국제 원두 가격 상승에 따라 원두 상품군 중 홀빈 11종은 1만5000원~1만8000원에서 1만8000원~2만원이 된다. VIA 8종은 5900원~1만5000원에서 6900원~1만5700원으로 인상한다. 서울 시내 한 스타벅스 매장에 음료 가격 조정 안내문이 세워져 있다. 조현호 기자 hyunho@
홀빈 11종은 1만5000~1만8000원 가격대를 1만8000원~2만0000원으로, 비아(VIA) 8종은 5900~1만5000원 가격대를 6900~1만5700원으로 각각 인상한다. 홀빈과 VIA 가격 상승은 각각 18년, 13년 만이다.
또한 에스프레소 샷, 시럽, 휘핑 등 음료 옵션인 엑스트라군은 현재 600원에서 800원으로 인상한다. 다만 스타벅스 회원에게 제공하는 무료 엑스트라 혜택은 유지한다....
ICTK는 반도체 지문으로 불리는 '비아 퍼프(VIA PUF)'라는 고유 기술을 이용해 통신장비나 기기에 복제 불가능한 신뢰점(Root of Trust)을 부여하는 방식으로 보안 패러다임을 만드는 반도체 보안 기업이다.
앞서 기관 대상 수요예측을 통해 공모가를 희망공모가 밴드 상단을 초과한 2만 원에 결정했고, 지난 7일부터 이틀간 진행한 일반 대상 공모...
ICTK는 고유한 기술인 ‘VIA PUF(비아 퍼프)’를 통해 통신장비나 기기에 복제 불가능한 신뢰점을 부여하는 방법으로 새로운 보안 패러다임을 제시한다. ICTK는 원천 기술을 활용한 보안칩과 더불어 보안모듈과 디바이스, 솔루션과 플랫폼에 걸친 다방면의 제품 라인업을 보유하고, 원가 경쟁력에서 우위를 가져 궁극적으로는 50% 이상의 높은 영업이익률...
ICTK는 ‘VIA PUF(비아 퍼프)’라는 고유한 기술을 통해 통신장비나 기기에 복제 불가능한 신뢰점(Root of Trust)을 부여하는 방법으로 새로운 보안 패러다임을 제시하는 기업이다. 현재 대표적인 고객사인 LG유플러스에 PUF 기술이 적용된 eSIM 과 USM, VPN 제품들을 제공하는 것으로 알려져 있으며, 최근 글로벌 빅테크 기업과 계약하여 내년부터 본격 공급을...
SK하이닉스는 세계 최초로 TSV(Through Silicon Via) 기반 고대역폭메모리(HBM) 제품을 내놓은 이래 MR-MUF(Mass Reflow-Molded Under-Fill), 어드밴스드 MR-MUF 등 선행 기술을 접목하며 지속적인 성능 향상에 한창이다.
지난해 4월 SK하이닉스는 24기가비트(Gb) 12단 HBM3를 개발했다. 이 제품은 어드밴스드 MR-MUF 기술을 적용해 공정 효율성과 제품 성능 안정성을...
이 대표는 “PUF 기술의 장기적 확장성과 글로벌 수요에 비해 이 기술을 가진 기업이 전 세계적으로 드물다”며 “현재 계약이 체결된 글로벌 빅테크 외에도 유사한 제품군을 가지고 있는 또 다른 글로벌 기업에서 VIA PUF 기술의 우수성을 알아보고 먼저 ICTK로 찾아오고 있다”고 했다. ICTK는 다음 달 코스닥 상장을 앞두고 있다.
ICTK는 ‘VIA PUF’라는...
TSV(Through Silicon Via)는 D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 상호연결 기술이다.
M15X와 함께 SK하이닉스는 약 120조 원이 투입되는 용인 클러스터 등 계획된 국내 투자를 차질 없이 진행한다는 방침이다.
현재 용인 클러스터의 부지 조성 공정률은 약 26%다. 목표 대비 3%포인트(p) 빠르게...
강도와 안정성을 유지하기 위해 글라스 두께를 두껍게 할 수 있는 데 반해, 그만큼 깊게 가공된 홀에 금속을 채워 상·하부 회로 간의 연결 통로를 만들고 안정적인 구리 배선이 형성된 TGV(Through Glass Via)를 만들기는 힘들다고 한다.
이러한 글라스 특성으로 인해 기판 소재로의 활용 난이도가 매우 높아 기대 성능에도 상용화에 어려움을 겪고 있다.
씨앤지하이테크...
유리기판 위에 반도체 회로를 형성하려면 글라스관통전극(Through Glass Via)을 구현하는 신규 레이저 장비가 필요하고, 식각은 물론 회로 패터닝ㆍ박막접착ㆍ기판절단 등 새로운 기술들이 요구되고 있다.
위지트는 반도체 및 디스플레이 제조의 핵심공정인 △증착(CVD, 실리콘ㆍ유리기판에 박막을 형성) △노광(PHOTO, 기판표면에 회로패턴 형성) △식각(ETCH, 패턴 외...
Rebound to depend on resolution of risks
Financial structure improvement via sale of GS Inima to be key; GS Inima EV estimated at KRW1.6tn
장문준 KB증권 연구원
◇삼성생명
조정은 적극적 매수 기회
1분기 순이익 상당히 양호, 보험이익/투자이익 모두 개선
단기납 종신 환급율 인하, 건강보험 요율 인상 등으로 신계약 여전히 호조
보험사 중 독보적 지위 유지, 최근의 조정은...
이날 더벨 보도에 따르면, 필옵틱스가 반도체 패키징용 TGV(Through Glass Via) 양산 장비를 출하한다. TGV 공정 장비는 차세대 기판이라고 불리는 글라스 기판의 관통 전극 제조 공정 장비다. 반도체용 글라스 기판 제조 장비를 양산 라인에 공급하는 건 필옵틱스가 처음이다.
TGV는 최근 업계에서 주목하고 있는 글라스 기판 제조 공정의 핵심이다. 글라스 기판에...
ICTK는 ‘비아 퍼프(VIA PUF)’로 불리는 자체 기술을 보유했다. 해당 기술은 2018년 LG유플러스의 무선공유기에 적용된 바 잇다.
한국전력 지능형전력시스템(AMI) 사업에도 참여하는 등 지속적 성장을 토대로 최근 3년간 연평균 200%의 매출 증가율을 보였다고 ICTK는 설명했다.
또 VIA PUF 기술과 함께 양자내성알고리즘(PQC)을 탑재한 보안칩을 출시해...
MWC 2024가 열리는 피라 그란비아(Fira Gran via) 8.1홀에서 오는 29일까지 열린다.
SK텔레콤은 4YFN 전시장 내 단독 부스를 마련해 스타트업 프로그램을 통해 발굴 및 육성한 AI 스타트업 15개사와 다양한 협업 사례와 정보통신기술(ICT)을 소개하며 해당 기업의 글로벌 진출을 지원한다. 이번 전시에는 음성기반 수면진단, 시각보조 음성 안내, 의료 케어 등...
삼성전자는 24Gb(기가비트) D램 칩을 TSV(Through-Silicon Via, 실리콘 관통 전극) 기술로 12단까지 적층해 업계 최대 용량인 36GB HBM3E 12H를 구현했다. TSV는 수천 개의 미세 구멍을 뚫은 D램 칩을 수직으로 쌓아 적층된 칩 사이를 전극으로 연결하는 기술이다.
HBM3E 12단 제품은 초당 최대 1280GB의 대역폭과 현존 최대 용량인 36GB를 제공해 성능과 용량 모두...