국내외 삼성 파운드리 포럼서 협력 강화 논의'메모리-생산-패키징' 턴키 솔루션 전략 강화CXLㆍ9세대 V낸드 등 AI 향 제품 개발 가속화
반도체 사업에서 반등을 노리는 삼성전자가 새로운 돌파구를 마련하기 위해 총력을 다하고 있다. 삼성전자는 메모리, 파운드리, 패키징 등 모든 서비스를 제공할 수 있는 유일한 기업인 만큼, 한 가지 사업에 집중하기보다...
삼성전자 DS, '3~4조 원' 영업이익 전망SK, 4.7조 원...18년 3분기 이후 최대 기대 낸드플래시 역시 기업용 SSD 중심 판매 ↑
삼성전자와 SK하이닉스가 1분기에 이어 2분기에도 실적 호조세를 이어갈 전망이다. 인공지능(AI) 시장의 급격한 성장으로 고대역폭 메모리(HBM) 매출이 크게 확대됐고, 그간 주춤했던 낸드 역시 기업용 솔리드스테이트드라이브(SSD)를...
삼성전자는 고성능 낸드플래시 제품 개발에도 적극적으로 나서고 있다. 지난달 업계 최초로 290단 수준의 1Tb(테라비트) 트리플레벨셀(TLC) 9세대 V낸드 양산을 시작했다. 하반기에는 쿼드레벨셀(QLC) 기반 제품도 개발할 계획이다. QLC 제품은 TLC보다 하나의 셀에 더 많은 데이터를 기록할 수 있어 저장 성능이 대폭 향상된다.
현재웅 삼성전자 상품기획실 상무는...
삼성전자가 하반기 중 쿼드레벨셀(QLC) 기반 V낸드플래시 제품을 개발한다. 인공지능(AI) 시대 늘어나는 고용량 스토리지 솔루션 수요에 적극적으로 대응하겠다는 목표다.
현재웅 삼성전자 상품기획실 상무는 21일 삼성전자 뉴스룸에 공개된 V낸드 기획·개발 담당 임원 인터뷰에서 "인공지능(AI)용 고용량 스토리지 서버에 관심이 높아지고 있다"며...
업계 최초 '1Tb TLC 9세대 V낸드' 양산 성공차세대 인터페이스 적용 등으로 기술 리더십SK하이닉스ㆍ마이크론 등 낸드 적층 경쟁 심화
삼성전자가 낸드 시장에서 업계 최초로 '1테라비트(Tb) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작했다. 인공지능(AI) 시대가 본격적으로 확장함에 따라 삼성전자는 고용량·고성능 제품을 개발해 시장 초격차를 넓힐...
업계 최초 '1Tb TLC 9세대 V낸드' 양산'채널 홀 에칭' 기술로 업계 최대 단수 뚫어
삼성전자가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔다.
삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell), 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰다.
또한 더미 채널 홀 제거 기술로...
또 9세대 V낸드, HBM4 등과 같은 신공정을 최고의 경쟁력으로 개발해 다시 업계를 선도하고 첨단공정 비중 확대 및 제조 능력 극대화를 통해 원가 경쟁력을 확보할 방침이다.
또 삼성전자는 AI 반도체 시장의 판도를 바꿀 새로운 칩 ‘마하-1’을 개발 중이라고 밝혔다. GPU와 HBM 사이의 병목현상을 줄여주는 SoC(시스템온칩) 형태의 AI 가속기로, 연말 시제품 양산이...
또 D1c D램, 9세대 V낸드, HBM4 등과 같은 신공정을 최고의 경쟁력으로 개발해 다시 업계를 선도하고 첨단공정 비중 확대 및 제조 능력 극대화를 통해 원가 경쟁력을 확보할 방침이다.
파운드리는 업계 최초 GAA 3나노 공정으로 모바일 AP 제품의 안정적인 양산을 시작하고 2025년 GAA 2나노 선단 공정의 양산을 준비할 계획이다. 또 오토모티브, RF(Radio Frequency) 등...
부진했던 낸드 플래시 시장이 점차 반등할 조짐이 보이고 있어 신제품을 내놓고 수요 선점에 나서겠다는 전략이다.
삼성전자는 업계 최초로 고성능 SD 익스프레스 인터페이스 기반의 마이크로SD 카드를 개발하고 고객사에 샘플 제공을 시작했다고 28일 밝혔다.
삼성전자 관계자는 "저전력 설계 기술과 펌웨어 최적화로 발열 등 마이크로SD 폼팩터...
행사에서 차세대 10나노 이하 D램에서 기존 2D 평면이 아닌 3D 신구조를 도입한다고 밝히기도 했다. 지난해 일본에서 열린 'VLSI 심포지엄'에서도 3D D램 연구성과가 담긴 논문을 발표했다.
한편 삼성전자는 2013년 세계 최초로 3차원 수직구조 낸드(3D V-NAND) 상용화에 성공한 바 있다. 이러한 경험을 토대로 D램에서도 3차원 수직 구조 개발에 나설 계획이다.
이외에도 D램 미세공정 양산성 확보에 크게 기여한 박세근(49) DS부문 메모리사업부 D램 PA1팀 부사장과 9세대 V낸드 완성도를 높인 황희돈(49) DS부문 CTO 반도체연구소 플래시공정개발팀 부사장 등이 승진했다.
삼성전자는 여성과 외국인 임원도 적극적으로 발탁하면서 다양성을 갖춘 조직문화를 꾀했다. 이번 여성 신임 임원은 6명, 외국인 신임 임원은...
V낸드 개발 및 사업화를 주도했고, 9세대 V낸드 개발을 위한 회로 요소기술 확보에 기여
△김일룡 DS부문 S.LSI사업부 제품기술팀장 부사장(49세)
Logic 공정 기술 전문가로 설계-공정 최적화를 통한 선단공정 안정성 확보, 수율 개선 등으로 S.LSI 제품 경쟁력 강화에 기여
삼성전자는 소프트웨어 혁신을 주도해온 전문가와 차기 신기술분야 우수인력을...
경 대표는 세계 최초 V낸드 기술 개발을 통한 3차원 메모리 시장 창출로 연 매출 낸드 20조 원, SSD 10조 원 달성 등 반도체 산업 생태계 구축과 국가 반도체 기술 R&D 역량 강화에 기여한 공로를 인정받았다.
은탑 산업훈장과 동탑 산업훈장은 각각 정지완 솔브레인홀딩스 회장, 이병기 SK하이닉스 부사장에게 돌아갔다. 정 회장은 CVD·ALD용 박막재료, CMP슬러리...
삼성전자는 9세대 V낸드에서 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수를 개발 중이다. 내년 초 양산을 위한 동작 칩을 성공적으로 확보한 상태다.
삼성전자는 셀의 평면적과 높이를 감소시켜 체적을 줄이고, 단수를 높이는 핵심 기술인 채널 홀 에칭으로 1000단 V낸드 시대를 준비해 나가겠다고 했다.
삼성전자는 이번에 차세대 HBM3E D램...
이정배 삼성전자 사장이 "D램과 낸드플래시 직접도를 극한 수준으로 높여나가고, 고객 맞춤형 제품을 포함한 차별화된 솔루션을 제안해나갈 것"이라고 말했다.
이 사장은 17일 삼성전자 뉴스룸에 올린 기고문에서 "앞으로 다가올 10나노 이하 D램과 1000단 V낸드 시대에는 새로운 구조와 소재의 혁신이 매우 중요하다"며 이같이 밝혔다....
내년 반도체 시장 규모 올해보다 10% 성장낸드플래시 등 메모리 반도체 시장 급반등삼성ㆍSK, 신제품 출시…인재 확보 치열
삼성전자와 SK하이닉스가 반도체 불황 터널의 끝을 차곡차곡 대비하고 있다.
9일 시장조사업체 테크인사이츠에 따르면 글로벌 경기침체에 따른 수요 부진으로 위축된 메모리 반도체 시장이 내년에 가파르게 회복할 전망이다. 내년...
'990 프로'시리즈 4TB는 삼성전자의 '1Tb 8세대 V낸드' 고밀도 적층 공정으로 단면(single-sided)으로 설계돼 다른 양면(double-sided) SSD보다 얇다. 단면 SSD는 양면 SSD 적용이 어려웠던 일부 슬림형 노트북을 포함한 모든 노트북에 장착할 수 있다.
삼성전자는 SSD 사용자를 위한 서비스도 강화한다. 삼성 매지션(Samsung Magician) 소프트웨어는 SSD의 펌웨어...
지난해 메모리 테크 데이에서 삼성전자는 올해 5세대 10나노급 D램을 생산하고, 2024년 9세대 V낸드를 양산할 계획이라고 발표했다. 2030년까지 데이터 저장장치인 셀을 1000단까지 쌓는 V낸드를 개발하겠다는 목표도 밝혔다.
한편 삼성전자 시스템LSI사업부는 10월 5일 새너제이에서 '시스템LSI 테크 데이' 행사를 통해 인간 기능에 근접한 최첨단 시스템 반도체...
SK하이닉스 312단 낸드 샘플 공개…2025년 양산 '선공'삼성전자, 2024년 9세대 이어 2030년 1000단 V낸드 개발"낸드 불황 D램보다 심해…적층 기술이 곧 경쟁력"
SK하이닉스가 8일(현지시간) 미국 샌타클래라 컨벤션센터에서 열린 '플래시 메모리 서밋(FMS) 2023'에서 세계 최초로 321단 1테라비트(Tb) TLC(트리플레벨셀) 4D 낸드플래시 샘플을 공개하면서...
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