안현 SK하이닉스 부사장은 “이번 제품은 최고 성능이 입증된 당사 238단 4D 낸드를 기반으로 개발돼 원가, 성능, 품질 측면에서 업계 최고 수준의 경쟁력을 확보했다"며 "앞으로 당사는 고객 인증과 양산을 순조롭게 진행해 향후 지속적으로 성장해 나갈 데이터센터용 SSD 시장에서도 글로벌 1위 AI 메모리 프로바이더(Provider)의 위상을...
지난해 행사에서는 최정달 낸드개발담당 부사장과 안현 솔루션개발담당 부사장이 ‘멀티모달 AI(Multimodal AI) 시대를 구현하는 업계 최고의 4D 낸드 기술 및 솔루션’이라는 주제로 기조연설을 진행했다.
올해 역시 최신 낸드 개발 기술 현황과 제품 샘플을 공개할 가능성도 점쳐진다. SK하이닉스는 지난해 행사에서 업계 최초로 321단 1Tb(테라비트)...
SK하이닉스는 지난해 8월 미국에서 열린 '플래시 메모리 서밋 2023'에서 '1Tb TLC 321단 4D 낸드' 샘플을 공개하며 반도체 업계 최초로 300단 이상 낸드 개발에 성공한 바 있다. SK하이닉스는 내년 상반기부터 321단 낸드를 양산할 예정이다.
마이크론은 2022년 세계 최초로 232단 낸드 양산을 시작했다. 후발주자인 중국 최대 메모리 반도체 회사 YMTC...
1983년생, 2006년 SK하이닉스 장학생 출신의 기술인재'4D를 넘어…' 낸드의 혁신 이어갈 것변혁의 순간, 중요한 것은 '유연한 대응'
"현재 개발 중인 321단 4D 낸드는 압도적인 성능으로 업계의 새로운 이정표가 될 것이라 기대하고 있습니다. 그만큼 우리에게 주어진 역할이 중요한데요. 이 제품의 경우, 성능뿐 아니라 신뢰성 확보가 핵심입니다....
특히 오 부사장은 SK하이닉스 최초로 3D 낸드 기술과 QLC 제품 개발, 그리고 4D 낸드 양산 등 프로젝트를 성공시키며 기술 혁신에 발자취를 남겼다.
오 부사장은 여성 구성원들의 성장에 '연구위원'이라는 새로운 비전을 제시할 수 있는 롤 모델이 될 수 있다는 기대감을 표했다.
그는 "연구 역량 자체에 남녀 간의 차이가 있다고 생각하지는 않다"며...
SK하이닉스는 지난 8월 공개한 321단 4D 낸드를 내년 상반기 본격 양산할 계획이다. 현존 최고층 낸드는 238단으로, 300단 이상의 낸드를 공개한 건 SK하이닉스가 처음이다. 전작 대비 생산성이 59% 향상됐다.
곽노정 SK하이닉스 사장은 10월 한국과학기술원에서 열린 강연에서 “낸드는 500단 이후가 어려운 도전이 될 것”이라며 “더 높게 쌓기 위한 기술과 함께...
이 부사장은 디램 10nm급 4세대 제품에 EUV 공정을 처음으로 적용해 양산했으며, 세계 최초층인 238단 4D 낸드 차세대 기술도 개발했다.
또 △산업 포장은 이동재 키파운드리 대표이사 △근정 포장은 김형섭 성균관대학 교수 △대통령 표창은 김형모 디에스테크노 사장, 정해수 시높시스 코리아 대표이사, 최병갑 세메스 부사장이 각각 받았다.
반도체 산업은 10년...
SK하이닉스 312단 낸드 샘플 공개…2025년 양산 '선공'삼성전자, 2024년 9세대 이어 2030년 1000단 V낸드 개발"낸드 불황 D램보다 심해…적층 기술이 곧 경쟁력"
SK하이닉스가 8일(현지시간) 미국 샌타클래라 컨벤션센터에서 열린 '플래시 메모리 서밋(FMS) 2023'에서 세계 최초로 321단 1테라비트(Tb) TLC(트리플레벨셀) 4D 낸드플래시 샘플을 공개하면서...
SK하이닉스, ‘세계 최고층’ 321단 낸드 쌓아
SK하이닉스는 8일(현지시각) 미국 산타클라라에서 개막한 ‘플래시 메모리 서밋(Flash Memory Summit·FMS) 2023’에서 321단 1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드 개발 경과를 발표하고 개발 단계의 샘플을 전시했습니다.
이번 SK하이닉스의 발표는 지난해 8월 같은 행사에서 당시 업계 최고층인 238단 낸드 4D 신제품을...
SK하이닉스, 삼성전자는 8일 샌타클래라 컨벤션센터에서 개막한 ‘플래시 메모리 서밋(FMS) 2023’에서 321단 1Tb(테라비트) TLC(트리플레벨셀) 4D 낸드 개발 경과를 소개하고 샘플을 공개했다. 메모리 업계에서 300단 이상 낸드의 구체적 개발 경과를 밝힌 건 SK하이닉스가 처음이다.
SK하이닉스 최정달 부사장(NAND개발담당)은 기조연설에서 "4D 낸드...
SK하이닉스는 8일(현지시간) 미국 산타클라라에서 개막한 ‘플래시 메모리 서밋(FMS) 2023’에서 321단 1Tb(테라비트) TLC(트리플레벨셀) 4D 낸드플래시 개발 경과를 소개하고 개발 단계의 샘플을 전시했다고 밝혔다.
SK하이닉스 최정달 부사장(NAND개발담당)은 기조연설에서 “4D 낸드 5세대 321단 제품을 개발해 낸드 기술 리더십을 공고히 할 계획”이라며...
글로벌 스마트폰 고객사와 제품 인증 진행“낸드 경쟁력으로 하반기 경영실적 반등 기대”
SK하이닉스는 238단 4D 낸드플래시 양산을 시작해 스마트폰을 생산하는 해외 고객사와 함께 제품 인증 과정을 진행하고 있다고 8일 밝혔다. 회사는 앞서 지난해 이 제품 개발에 성공했다.
SK하이닉스는 "238단 낸드를 기반으로 스마트폰과 PC용 cSSD(Client SSD)...
현재 고 부사장은 4D 낸드 플래시의 차세대 공정 개발에 집중하고 있다.
고 부사장은 “공정 미세화를 하는 D램과 적층 구조를 만들어야 하는 낸드 플래시의 공정은 많이 다를 수 있지만, 결국은 한 회사의 시스템 안에서 개발이 진행되고 있다”며 “다양한 제품 개발에 참여했던 경험 덕분에 프로젝트별로 상호 참고할 만한 부분들을 융합하는 확장된 사고를 할 수...
우상향 메모리반도체 사이클 대응작년 3분기 기준 낸드 시장 3위세계 첫 '238단 4D 낸드' 개발최고속 서버용 D램 2년 후 양산
메모리반도체 시장은 글로벌 경기 침체의 직격탄을 맞았다. 회복 사이클까지 다소 시간이 걸릴 것으로 예상되는 가운데 SK하이닉스는 차세대 메모리 기술을 통해 분위기 반전에 대비한다는 전략을 밝혔다.
3일 본지 취재를 종합하면...
PS1010은 SK하이닉스의 176단 4D 낸드가 다수 결합해 만들어진 패키지 제품으로 PCIe 5세대 인터페이스를 지원한다.
PS1010은 이전 세대 대비 읽기와 쓰기 속도가 각각 최대 130%, 49% 향상됐다. 또, 이 제품은 75% 이상 개선된 전성비를 갖춰 고객의 서버 운영 비용과 탄소 배출량을 낮춰줄 것으로 보인다.
윤재연 SK하이닉스 부사장(NAND상품기획담당)은 “서버 고객의...
지난 8월 SK하이닉스는 업계 최초로 238단 4D 낸드를 개발했다. 최근 마이크론이 양산을 시작한 232단 낸드보다 6단이나 높은 기술이다. 특히 238단 제품은 세계 최소 사이즈로 만들어져 이전 세대인 176단 대비 생산성이 34% 높은 것으로 알려졌다.
SK하이닉스는 내년 중반부터 본격 양산을 시작해 원가경쟁력을 확보하고 수익성을 높일 계획이다. SK하이닉스는...
SK하이닉스는 “최신 공정인 10나노 4세대 D램(1a)과 176단 4D 낸드의 판매 비중과 수율을 높여 원가경쟁력이 개선됐음에도 불구하고 원가 절감폭보다 가격 하락폭이 커 영업이익도 크게 줄었다”고 설명했다.
SK하이닉스는 데이터센터 서버용 메모리를 포함한 고부가 가치 제품을 통해 위기를 돌파할 계획이다. SK하이닉스는 “올해 3분기 업계 최초로 238단 4D...
SK하이닉스는 26일 3분기 실적 발표 후 진행된 콘퍼런스콜에서 “ 238단 4D 낸드의 개발 및 양산은 크게 문제가 없을 것으로 예상을 하고 있고 2023년 중반부터 양산을 시작해 공급할 계획”이라고 밝혔다.
아울러 “176단 4D 낸드의 경우 순조로운 양산 전개를 통해서 3분기 말 전체 낸드 생산의 60% 수준까지 도달하고 있다”고 설명했다.
또 “최신 공정인 10나노 4세대 D램(1a)과 176단 4D 낸드의 판매 비중과 수율을 높여 원가경쟁력이 개선됐음에도 불구하고 원가 절감폭보다 가격 하락폭이 커 영업이익도 크게 줄었다”고 덧붙였다.
SK하이닉스는 실적발표를 통해 경영환경의 불확실성이 지속하면서 메모리 반도체 산업이 전례 없는 시황 악화 상황에 직면했다고 진단했다. 메모리 주요 공급처인 PC...
SK하이닉스도 최근 238단 세계 최고층 4D 낸드 플래시 개발에 성공해 내년 상반기 양산을 목표로 하고 있다.
양사는 4세대 10나노(1a) D램 등 차세대 공정 세대교체를 통해 원가 절감에도 나선다. 업황 조기 반등 가능성에 무게를 두고 신중하고 전략적인 투자도 이어가고 있다.
삼성전자 평택캠퍼스 P3(3라인)는 올해 완공을 목표로 하고 있다. 삼성전자는 P4(4라인)...