1공장은 4분기부터 12~28나노 공정 제품을 생산할 예정이다.
TSMC 공장 생산이 본격화하면 일본은 반도체 장비와 부품은 물론 첨단 칩까지 직접 생산해 1980년대 반도체산업 전성기 재연이라는 숙원을 이룰 수 있게 된다.
경제적 파급 효과도 방대하다. 규슈경제조사협회에 따르면 TSMC 1, 2공장은 반도체 관련 설비 투자, 건설 수요 등으로...
대만 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 지난해 4분기 기준 삼성전자 파운드리 사업 시장점유율은 11.3%로 TSMC(61.3%)에 크게 뒤져있다.
애플이나 엔비디아, AMD 등 글로벌 빅테크 기업은 삼성전자가 아닌 TSMC ‘3나노(nm·10억 분의 1m)’ 공정으로 제품 생산을 추진 중인 것으로 알려졌다.
삼성전자의 3나노 2세대가 시장의 선택을 받지 못한 이유로 낮은 수율이...
기술적인 측면에서는 무리하게 1나노미터(㎚·10억 분의 1m) 선단 공정을 앞당기기 보다는 완성도를 높이는 전략을 택했다.
특히 세계 최초로 적용한 ‘게이트 올 어라운드(GAA)’ 기술을 더 강화해 3㎚ 이하 선단 공정 경쟁력을 높일 계획이다. GAA는 반도체를 구성하는 트랜지스터 게이트(전류가 드나드는 문)와 채널(전류가 흐르는 길)이 닿는 면을 4개로 늘린...
"유망 팹리스 MPW 지원 늘려…새 고객사로""3나노미터 GAA 공정 수율 끌어 올려야"
전문가들은 삼성전자가 반도체 시장 초격차를 벌리기 위해 그 어느 때보다 변화와 도전이 필요한 시점이라고 강조했다. 특히 파운드리 부문에선 기존 고객사들과의 네트워킹 강화뿐만 아니라 새로운 고객사 확보를 위한 투자·지원 등의 노력도 적극적으로 병행해야...
논문에서는 16나노·28나노 공정을 통해서 고성능 반도체 20여 개가 이미 테스트를 통과했다고 설명하고 있다. 지상에서는 밀도 차가 커 합성하기 힘들지만 우주의 무중력 상태에서 질화갈륨(GaN)과 같은 제3세대 반도체를 시험할 수 있는 장점이 있다는 것이다.
韓, 우주항공청 경쟁력 키울 기회
중국은 미국의 대중국 반도체 제재가 본격화되면서 현재 반도체 소재인...
해당 연구에 참여한 성균관대 나노공학과 재학생 A 씨는 "양자과학기술 분야 연구원을 희망한다"며 "양자 엔지니어가 다른 분야에 비해 상대적으로 적어 독자적인 연구개발을 할 수 있다"고 말했다.
서울대학교 재학생 B 씨는 한국연구재단(NRF) 부스에서 정부 주도 연구개발 방향성에 대해 묻기도 했다. B 씨가 "정부는 3대 양자 기술인...
앞서 TSMC는 2021년 3나노 공정 시험 양산을 시작으로 2022년 하반기부터 지난해 초까지 이를 위한 양산체제를 구축했다. 5나노 칩은 미국 행정부가 우려했던 ‘최첨단 AI 칩’과는 상대적으로 거리를 두고 있는 셈이다.
로이터는 익명을 요구한 소식통의 발언을 통해 “바이트댄스가 기존 비즈니스 파트너인 브로드컴과 제휴하게 돼 조달 비용을 절감하는...
인텔, 삼성전자, TSMC를 포함한 칩메이커들은 특히 반도체의 전력 효율성을 높이기 위해 2nm나노 공정에서 GAA(Gate-All-Around)를 도입한 칩을 생산하기 시작했다. 2025년 첨단 반도체 분야에 대한 생산능력은 17% 증가할 것으로 예상된다.
아짓 마노차 SEMI CEO는 "클라우드 컴퓨팅에서 엣지 디바이스에 이르기까지 AI의 확산은 고성능 칩 개발 경쟁을...
이날 수업에서 학생들은 반도체 제조공정을 이용해 나노전자총을 제작하는 실험을 진행하고 있었다.
수업을 진행하던 박규창 경희대 정보디스플레이학과 교수는 “반도체 제조 주용 공정인 박막성장, 포토리소그래피, 박막 에칭 공정을 실험을 통해 학습하고, 이를 통합해 나노전자원 제작 및 극자외선 광원 및 미세홀(실리콘관통전극 응용) 가공 기술을 실습하고...
그러면서 “어닐링 장비의 경우 내년에는 5세대(1b) 나노 이하 디램(DRAM) 공정 비중 증가에 더해 낸드(NAND) 생산에 대한 확대 적용이 어닐링 장비의 성장을 이끌 것으로 예상된다”며 “드릴러 부문 매출 중 자외선(UV) 드릴 비중이 절반 수준에 달할 정도로 성장세가 빠른 것으로 판단된다”고 덧붙였다.
1나노미터((㎚·10억 분의 1m)급 공정 도입 시기를 앞당기자 삼성전자도 기존 계획을 수정할 것이란 가능성이 나오기도 했다.
그러나 삼성전자는 무리하게 첨단 공정을 앞당기는 것보다 완성도를 높이는 편을 택했다. 특히 삼성전자는 세계 최초로 적용한 ‘게이트 올 어라운드(GAA)’ 기술을 강화해 3㎚ 이하 선단 공정 경쟁력을 높여 나갈 계획이다....
낸드플래시 역시 마찬가지로, 공급 증가요인에서 설비증설이 차지하는 비중은 3%에서 42%로 크게 증가한 반면, 기술발전의 기여도는 97%에서 58%로 크게 줄었다.
보고서는 “선단 공정의 미세화 난이도 상승과 물리적 한계 근접에 따라 기술발전보다는 설비 증설을 통한 공급능력 확대가 반도체 생산역량 확보에 더 주요한 요인으로 변화하고 있다”며 “라인...
삼성전자는 3㎚ 공정에 게이트 올 어라운드(GAA) 트랜지스터 기술을 최초로 적용해 2022년부터 양산 중이며, 올해 하반기에 2세대 3㎚ 공정 양산을 시작할 계획이다. GAA는 기존 핀펫(FinFET) 기술 대비 전류가 흐르는 채널을 늘려 데이터 속도와 전력 효율을 높인 기술이다.
삼성전자는 파운드리와 메모리, 어드밴스드 패키지 사업을 모두 보유하고 있는...
업계는 AMD가 향후 삼성 파운드리에서 3㎚ 공정에서 협력할 것으로 점치고 있는 상황이다.
앞서 리사 수 AMD 최고경영자(CEO)는 지난달 24일 벨기에 아트베르펜에서 열린 ‘아이멕테크놀로지포럼(ITF) 월드 2024’ 기조연설 무대에서 전력 효율성과 성능 향상을 위해 차세대 제품부터 3㎚ ‘게이트 올 어라운드(GAA)' 기술을 적용하겠다고 밝힌 바 있다.
GAA는...
2025년에는 3nm(나노미터·1nm=10억분의 1m) 공정으로 제조하는 MI350, 2026년에는 MI400도 출시할 예정이다.
수 CEO는 경쟁사인 엔비디아의 H200을 겨냥하며 “‘MI325X’는 이보다 2배 더 많은 메모리를 확보하고 30% 더 빠른 컴퓨팅 속도를 제공한다”고 강조했다.
앞서 젠슨황 엔비디아 CEO도 컴퓨텍스 테크 콘퍼런스 기조연설에서 차세대 AI 플랫폼 ‘루빈...
나노미터(nm·1nm=10억분의 1m) 단위의 첨단 공정이 필요한 고급 반도체를 씻어내는 물에 불순물이 남으면 수율(웨이퍼 1장당 정품 칩 생산 비율) 등이 낮아져서다. 150mm 웨이퍼 1장 세척에 통상 초순수 0.8~1톤이 투입된다.
이경혁 한국수자원공사(K-water) 수석연구원은 "초순수는 수돗물과는 비교가 안 될 정도로 순수한 물"이라며 "산업별 용도도...
황 수석 공장장은 “올해 자사의 3㎚(나노미터·10억분의 1m) 공정 생산능력이 지난해보다 3배 늘어났지만, 여전히 공급이 수요를 따라가지 못하고 있다”고 설명했다.
그는 패키징 공장인 타이중 5공장(AP5)은 2025년부터 '칩 온 웨이퍼 온 서브스트레이트'(CoWos)라는 첨단 공정을 이용한 양산에 들어가고, 자이 7공장(AP7)은 2026년부터 CoWos와 SoIC(System On...
마이크로LED, QD(퀀텀닷), 나노LED 등을 아우르는 용어다.
그간 중국과 대만 등 주요 경쟁국은 LED 산업 기반을 바탕으로 마이크로 LED 상용화 투자를 확대하고 있으나, 우리나라는 LED 칩 등의 해외 의존도가 높은 상황으로 관련 기술 확보를 위한 정부 지원 필요성이 지속해서 제기됐다.
산업부는 이번 사업을 통해 화소부터 패널, 모듈까지 공정 전(全) 주기에...
국무총리표창을 수상한 김웅래 팀장은 D램 10나노급 미세공정에 도입되는 회로 관련 설계 기술을 개발해 제품 성능 향상과 원가 절감을 이루어낸 공로를 인정받았다.
그는 모바일용 저전력 D램인 LPDDR4와 LPDDR5의 초고속·저전력 동작 기술을 개발하고 핵심 특허를 출원해 국가 IP(지식재산) 확보에 기여한 점을 높이 평가받았다.
김 팀장은 “회사의...
20일 업계에 따르면 팹리스 스타트업 딥엑스는 하반기 삼성 파운드리의 5나노미터(㎚·10억 분의 1m) 공정을 활용해 차세대 신경망처리장치(NPU) ‘DX-M1’을 양산할 계획이다. 이 제품은 로봇과 보안 시스템 등에 특화된 칩으로, 이르면 내년 고객사에 납품될 것으로 보인다.
딥엑스는 앞서 2022년 삼성 파운드리와 정부가 함께 국내 유망 팹리스 업체를 대상으로...