이어 "HBM2E부터는 외부 기대치보다 훨씬 높은 수준을 목표로 잡고 협업을 강화했다"며 "MR-MUF(대랑 칩 접합 몰딩방식), HKMG(하이케이 메탈 게이트), Low-K IMD(저 유전율 금속층간 절연물질) 등 주요 요소 기술과 현재의 기틀이 된 설계 및 테스트 기술들이 모두 이때 기반을 다지게 됐다"고 덧붙였다.
SK하이닉스는 세계 최고 용량 12단 HBM3를...
이 제품에는 누설전류를 최소화하기 위해 금속 소재 신물질을 게이트단에 적용하는 하이케이 메탈 게이트 기술을 적용해 기존 18Gbps GDDR6 D램 대비 약 30% 이상 동작 속도를 높였다.
24Gbps GDDR6 D램을 프리미엄급 그래픽 카드에 탑재할 경우 최대 초당 1.1TB의 데이터를 처리할 수 있다. 풀HD급 영화 275편을 1초 만에 처리할 수 있는 속도다.
삼성전자는 저전력 동적...
하이케이 메탈 게이트 공정 등 새로운 공정 기술 적용과 차세대 제품 구조를 통해 공정 미세화 한계도 극복할 방침이다.
삼성전자는 메모리반도체 수요 부진, 가격 하락 등 침체 우려에도 감산 계획은 없다고 밝혔다. 한진만 메모리사업부 부사장은 "현재로서 논의는 없다"고 말했다.
인간 수준 기능 시스템반도체 개발
삼성전자는...
이뿐 아니라 24Gbps GDDR6 D램에는 누설전류를 최소화하는 하이케이 메탈 게이트(HKMG) 기술도 적용됐다. 기존 18Gbps GDDR6 D램 대비 약 30% 이상 동작 속도가 향상됐다.
삼성전자는 JEDEC의 표준 규격에 맞춰 GDDR6 D램을 개발했다. 인공지능(AI)ㆍ그래픽 가속기 업체들이 쉽게 채용할 수 있도록 호환성을 확보하면서도 업계 최고 속도를 구현했다.
24Gbps GDDR6...
업계 최초로 '하이케이 메탈 게이트(HKMG)' 공정을 적용해 메모리 반도체 공정의 미세화에 따른 누설 전류를 막고, 기존 제품 대비 전력 소모를 13% 줄인 것이 특징이다. SK하이닉스도 지난해 10월 전송 속도가 최대 5600Mbps에 달하는 DDR5 제품을 세계 최초로 출시했다.
본격적인 양산을 앞두고선 첨단 기술 접목과 시장 선점을 위한 사전 준비에 바쁜...
25일 삼성전자는 '하이케이 메탈 게이트(HKMG)' 공정을 적용한 업계 최대 용량의 512GB(기가바이트) DDR5 메모리 모듈 개발을 완료했다고 밝혔다.
DDR5는 차세대 D램 규격으로, 현재 범용으로 쓰이는 DDR4 대비 2배 개선된 성능을 갖췄다. 현재 DDR4의 데이터 전송속도는 3200Mbps(메가비트)인데, 업계에선 향후 DDR5 D램 성능이 안정화되면 7000Mbps도 넘을 수 있다고...
삼성전자가 업계 최초로 '하이케이 메탈 게이트(High-K Metal GateㆍHKMG)' 공정을 적용한 업계 최대 용량의 512GB(기가바이트) DDR5 메모리 모듈을 개발했다.
DDR5는 차세대 D램 규격으로 기존의 DDR4 대비 2배 이상의 성능을 갖췄다. 향후 데이터 전송속도는 7200Mbps까지 확장될 전망이다. 이는 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편 정도를 처리할 수 있는 속도다....
2016년 SMIC의 공장 가동률은 95% 이상이었다. SMIC는 올해부터 28나노 하이케이메탈게이트(HKMG) 공정을 본격 운용한다. 또한 내년부터는 14나노 공정을 도입할 것으로 알려졌다. 이를 위해 상하이에 별도의 팹을 만든다는 계획이다. SMIC는 보급형 기술인 28나노 제품을 위주로 생산했지만, 주력을 14나노로 끌어올릴 경우 고성장이 예상된다.
디엔에프의 2분기 매출과 영업이익은 전분기 대비 34%와 47% 증가한 149억원과 40억원을 기록했다.
디엔에프는 25nm 비중확대에 따른 DPT 공급량 증가와 고객사 내 시장점유율(M/S) 확대로 하이케이 매출 확대가 예상된다. 또 오는 3분기 실적은 매출액 160억원, 영업이익 43억원을 기록할 것으로 전망된다.
협의회장인 하이케이텔레콤 홍진표 대표는 “15일이 생산직 근로자 직원 임금 지급 날이었는데 임금의 30% 밖에 못 줬다”면서 “팬택 협력사들은 사재를 털어야할 정도로 어려움을 겪고 있다”고 말했다. 이어 “청와대에도 협력사들의 의견을 전달하기 위한 방법을 고민 중”이라고 덧붙였다.
한편, 협의회 측은 이번 주 내로 팬택의 경영 정상화 방안에 대한...
TSMC에 따르면 28nm 세대에서 TSMC의 시장 점유율은 84%로, 이 가운데 폴리실리콘 타입이 약 75%, 하이케이메탈게이트(High-K Metal Gate, HKMG) 타입이 90% 이상을 각각 차지한다.
차세대 20nm 세대는 ‘Fab14’를 중심으로 2014년 1분기(1~3월)부터 웨이퍼 투입을 개시해 2분기부터는 매상을 올릴 전망이다. 20nm세대는 28nm 세대에 비해 웨이퍼 100장당 투자액이 20% 증가...
이들 패드는 28나노미터 제조 노드 이하에서 사용할 수 있도록 설계됐다. 2000시리즈는 구리 배리어, 하이케이메탈게이트(HKMG) 및 버핑 애플리케이션에서 사용되며 3000은 벌그 구리 연마에서 사용될 수 있도록 개발됐다.
다우 전자재료는 현재 이들 패드의 샘플을 고객사에 공급했으며 다양한 고객들과 베타테스트도 진행 중이다.
삼성전자는 이 달부터 32/28나노 저전력 HKMG(하이케이 메탈 게이트, High-K Metal Gate) 공정을 적용해 ST마이크로일렉트로닉스의 최신 반도체 제품에 대한 수탁생산을 본격 시작했다고 28일 밝혔다.
ST마이크로일렉트로닉스는 삼성전자를 통해 모바일기기, 가전,네트워크시스템에 탑재되는 시스템 온 칩(SoC) 제품을 생산한다.
그 동안 삼성전자와...
삼성전자는 1일 글로벌 파운드리스와 제조 공장(팹·FAB·Fabrication Facility)을 동기화해 고성능·초절전 28나노미터(nm) 하이케이메탈게이트(HKMG) 기술 기반 반도체칩 생산 라인을 확대한다고 밝혔다.
28나노 HKMG는 모바일 기기를 위해 개발된 기술로, 이 기술이 적용된 제품은 기존 45나노미터 공정 제품에 비해 △유효 전력 60% 감소 △속도 55% 증가하는 성능을...