GAA는 반도체를 구성하는 트랜지스터 게이트(전류가 드나드는 문)와 채널(전류가 흐르는 길)이 닿는 면을 4개로 늘린 차세대 기술로, 기존 핀펫(FinFET) 대비 데이터 처리 속도가 빠르고 전력 효율이 높다.
삼성전자는 GAA 기반 2㎚ 공정 로드맵에서 후면전력공급 기술(BSPDN)을 적용한 'SF2Z' 공정을 추가해 2027년까지 도입할 계획이다. BSPDN은 전류 배선층을 웨이퍼...
대외협력처장, 교무처장, 교학부총장 등 주요 보직을 역임하고 현재 행정부총장을 맡고 있다. 지난해 9월부터는 교육부 학술연구정책과의 램프(LAMP) 사업관리위원으로 활동하고 있다.
엄 신임총장은 세계 최초로 스핀 트랜지스터를 개발해 2009년 과학기술계 10대 뉴스에 선정된 바 있으며, Science 논문 2편을 게재하는 등 꾸준히 연구 활동을 해 온 물리학자다.
삼성전자는 3㎚ 공정에 게이트 올 어라운드(GAA) 트랜지스터 기술을 최초로 적용해 2022년부터 양산 중이며, 올해 하반기에 2세대 3㎚ 공정 양산을 시작할 계획이다. GAA는 기존 핀펫(FinFET) 기술 대비 전류가 흐르는 채널을 늘려 데이터 속도와 전력 효율을 높인 기술이다.
삼성전자는 파운드리와 메모리, 어드밴스드 패키지 사업을 모두 보유하고 있는...
GAA는 반도체의 기존 트랜지스터 구조인 핀펫의 한계를 극복할 수 있는 차세대 기술이다. 엔비디아와 인텔, AMD 등은 삼성전자, TSMC와 함께 내년 GAA 기술을 적용한 반도체를 대량으로 생산할 예정이다.
HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 쌓아 올려 만든 고성능 메모리다. SK하이닉스, 미국 마이크론테크놀로지 등이 만드는 이 반도체는 AI 가속기에 쓰인다. 다만 현재...
기판에 촘촘히 트랜지스터를 붙여야 했던 실리콘 반도체의 미세화한계를 극복할 대안 원천기술이 상용화 단계에 접어들었다는 의미가 있다.
해당 공정을 활용하면 차세대 디스플레이인 마이크로 발광다이오드(LED)와 차세대 반도체 기판인 유리기판의 수율을 획기적으로 끌어올릴 수 있다.
이에 애플과 인텔을 비롯한 글로벌 테기업들로부터 러브콜이 예상된다....
☆ 존 바딘 명언
“다음번 시상식엔 꼭 같이 오겠다.”
트랜지스터 개발로 유명한 미국 물리학자. 초전도이론을 완성한 그는 1956년 노벨물리학상을 받았다. 하버드에 다니는 두 아들은 공부에 방해될까 데려가지 않고 딸과 부인만 시상식에 참석했다. 스웨덴 국왕 구스타프 6세가 왜 데려오지 않았느냐는 질문에 그가 한 대답. 1972년 그는 노벨물리학상을 또 받았다....
해당 공정은 실리콘 웨이퍼 위에 전기가 통하지 않는 절연막을 만들고 그 위에 트랜지스터를 구성하는 기술로, 트랜지스터 동작 시 발생하는 누설 전류를 크게 줄일 수 있다. 삼성 파운드리는 2021년부터 2026년까지 28㎚ MPW 서비스를 총 15회 무상 제공해 600개 반도체 제작을 지원할 예정이다.
이규복 한국전자기술연구원 부원장은 “국내에 파운드리 서비스를...
중소형사업부의 김태웅 프로와 연구팀은 ‘초저곡률 구현을 위한 플렉서블 박막트랜지스터 기술’ 논문으로 우수논문상을 수상했다. 접히는 부분의 곡률이 1R(반지름이 1㎜인 원의 휜 정도)인 플렉서블 디스플레이를 구현할 수 있도록 박막트랜지스터(TFT) 관련 소재, 구조, 공정을 개발한 것이 핵심이다.
이밖에도 이동현 프로와 디스플레이연구소 모듈연구팀의...
인공지능 반도체에 가장 최적화된 GAA 트랜지스터 기술을 계속 혁신해 나가며 기술 패러다임 변화를 주도한다는 목표다.
삼성전자는 시장과 고객 수요에 신속하고 탄력적으로 대응하기 위해 경기 평택과 미국 테일러시에 파운드리 반도체 클린룸을 선제적으로 건설하고 있다. 평택과 테일러에 이어 국가산업단지로 조성 중인 용인으로 생산거점을 확대해...
이어 “A16 기술은 나노시트 트랜지스터로 칩 뒷면에서 전력을 공급할 수 있다”며 “기존의 위에서 아래로 전력을 공급하는 대신 아래에서 위로 전력을 공급해 복잡한 내부 배선을 피하고 에너지 효율을 높일 수 있다. 그만큼 AI 칩 속도도 빨라지게 된다”고 설명했다.
미세공정 주도권을 놓고 TSMC와 삼성전자, 미국 인텔의 삼파전이 치열하게 펼쳐질...
지난해 파운드리 부문의 매출은 게이트올어라운드(Gate·All·Around) 트랜지스터 아키텍처의 증가와 사물인터넷(IoT), 인공지능(AI), 클라우드, 자동차, 5세대(G) 등 여러 부문에 걸친 '성숙 공정'(Mature Node) 기기에 대한 투자 강화로 전년 대비 16% 증가했다.
메모리 부문의 매출은 전반적인 메모리 웨이퍼 팹 장비 지출 부진, 그중에서도 특히 낸드의 약세로 전년...
특히 블랙웰 아키텍처 GPU는 2080억개의 트랜지스터를 탑재한 세계에서 가장 강력한 칩이다.
엔비디아는 아마존, 델 테크놀로지스, 구글, 메타, 마이크로소프트, 오픈AI, 오라클, 테슬라 등 많은 기업이 블랙웰을 도입할 계획이라고 밝혔다.
메타 창립자 겸 CEO인 마크 저커버그는 "AI는 이미 대규모 언어 모델부터 콘텐츠 추천, 광고, 안전 시스템에...
한 관계자는 “한국 스마트폰·인공지능(AI)용 최첨단 반도체 생산업체에 더는 필요 없는 장비가 중국 공장에서 새 단장 후 다시 설치될 수 있으며, 이는 통상 미국의 통제를 받지 않는 낮은 사양의 반도체 생산에 사용된다”며 “그러나 메모리칩에 트랜지스터를 배치하는 데 사용되는 노광장비는 10년 된 중고 장비라고 해도 수리를 마치면 고급 반도체를 만드는 데...
GAA는 전류가 드나드는 ‘트랜지스터 게이트’와 전류가 흐르는 ‘채널’이 맞닿는 면을 4개로 늘려 데이터 처리 속도와 전력 효율을 대폭 높인 기술이다. 삼성전자는 2022년 6월 세계 최초로 이 기술을 3㎚ 공정에 적용했다. 경쟁사인 TSMC와 인텔은 내년에야 GAA를 적용하기 때문에 향후 안정적인 수율 확보 면에서 삼성 파운드리가 유리할 것으로 보인다....
Arm의 IP에 삼성전자가 세계 최초로 양산에 성공한 차세대 트랜지스터 구조인 ‘게이트올어라운드’(GAA) 공정을 적용하기로 했다.
GAA는 기존 핀펫(FinFET) 기술 대비 전류가 흐르는 채널을 늘려 데이터 속도와 전력 효율을 높인 기술이다. 이에 데이터 처리 속도와 전력 효율을 대폭 높일 수 있다.
삼성전자는 이번 협력으로 팹리스 기업의 최첨단 GAA 공정에...
Arm의 IP에 삼성전자가 세계 최초로 양산에 성공한 차세대 트랜지스터 구조인 ‘게이트올어라운드’(GAA) 공정을 적용한다. GAA는 파운드리 시장에서 이른바 ‘게임체인저’로 불린다. 삼성전자가 첨단 기술 경쟁에서 앞서나가고 있다고 평가 받는 분야다.
삼성전자는 최첨단 GAA 공정에 Arm의 차세대 시스템온칩(SoC) IP를 최적화하기로 했다고 21일...
GAA를 적용하면 칩 크기를 획기적으로 줄이면서도 트랜지스터 용량을 대폭 늘릴 수 있다. 경쟁사인 TSMC와 인텔은 내년 2㎚부터 GAA 적용을 시작하는데, 삼성전자는 이들보다 3년을 앞선 것이기에 고객사 확보에 있어 우위에 있다는 평가다.
경 사장은 지난해 5월 대전 한국과학기술원(KAIST) 강연에서 "2나노 공정부터는 업계 1위도 GAA를 도입할 것"이라며...
담당하고 옵토웰, 한국전자통신연구원과 한국광기술원이 질화갈륨 및 갈륨비소(GaAs) 에피 소재와 이를 이용한 레이저 다이오드 칩 개발에 참여한다.
RF머트리얼즈는 광화합물 반도체인 인듐인과 갈륨비소를 비롯해 RF화합물 반도체인 질화갈륨과 갈륨비소를 트랜지스터와 전력증폭기에 안착시킬 수 있는 패키지를 제조, 판매하는 사업을 영위하고 있다.
디이엔티는 2001년 박막 트랜지스터 액정 디스플레이(TFT-LCD) 검사장비 제조를 시작한 기업이다. 지속적인 연구 및 개발을 통해 유기발광다이오드(OLED) 공정 및 검사장비, 마이크로 액정표시장치(LED) 검사장비, 이차전지 제조장비를 개발하는 등 검사장비로 사업을 확장했다.
이차전지 사업의 경우 제조공정의 핵심장비인 레이저 노칭장비를 개발했다. 주력인...