10일 SK하이닉스 뉴스룸은 좌담회를 통해 1c 기술 개발을 주도한 오태경 부사장(1c Tech TF), 조주환 부사장(DRAM 설계), 조영만 부사장(DRAM PI), 정창교 부사장(DRAM PE), 손수용 부사장(개발 TEST), 김형수 부사장(DRAM AE)이 설명하는 기술 역량과 로드맵을 소개했다.
1c 기술은 10나노대 초반의 극미세화된 메모리 공정 기술이다. 1c 기술을 적용한 DDR5의 동작 속도는 8Gbps(초당...
2024-09-10 09:46