회사가 최근 개발한 10나노급 6세대(1c) 미세공정 적용 16Gb(기가비트) DDR5 D램은 세계 최초로 기록됐다.
10일 SK하이닉스 뉴스룸은 좌담회를 통해 1c 기술 개발을 주도한 오태경 부사장(1c Tech TF), 조주환 부사장(DRAM 설계), 조영만 부사장(DRAM PI), 정창교 부사장(DRAM PE), 손수용 부사장(개발 TEST), 김형수 부사장(DRAM AE)이 설명하는 기술 역량과 로드맵을 소개했다.
1c...
1b에 머물던 D램 최신 공정, 하이닉스가 1c까지 개발1c가 중요한 이유…많은 데이터 저장 공간 확보 관건“1c기술, D램 주력 제품에 적용…D램 리더십 지키겠다”
SK하이닉스가 이번에 개발한 10나노급 6세대 1c 미세공정을 적용한 16Gb(기가비트) DDR5 D램은 세계 최초로 기록된다. 1c란 이전 세대인 1a와 1b에 비해 더 미세한 공정을 의미한다. 더 작은...
세계 최고 성능 1b 플랫폼 확장…가장 효율화된 방식으로 1c 개발신규 소재 적용, EUV 공정 최적화 통해 원가 경쟁력 확보전력효율도 개선해 데이터센터 전력비용 최대 30% 절감연내 양산 준비 완료, 내년부터 본격 공급“최첨단 D램 제품들에 적용…고객에 차별화된 가치 제공”
SK하이닉스가 세계 최초로 10나노급 6세대 1c 미세공정을 적용한 16Gb(기가비트)...
최근에는 대만 반도체 설계 기업인 미디어텍과 업계 최고 속도인 10.7Gbps(초당 기가비트) LPDDR5X D램 동작 검증에 성공한 바 있다.
또한 향후 6단 구조 기반 24GB, 8단 구조 32GB 모듈도 가장 얇은 LPDDR D램 패키지로 개발해 고객의 요구에 최적화된 솔루션을 지속 공급할 방침이다.
온디바이스 AI 시대가 본격적으로 개화하면서 모바일 D램 시장은 빠르게...
이 제품은 업계 최고 용량인 1Tb(테라비트) 트리플레벨셀(TLC) 8세대 V낸드를 8단으로 쌓아 패키징해 테라바이트급 고용량을 구현하고, 제품 내구성을 강화했다.
삼성전자가 2015년에 처음 출시한 프로 플러스와 에보 플러스 라인업은 용량, 속도, 안정성, 호환성을 모두 갖춘 마이크로SD 카드다. 게임 콘솔, 드론, 액션 카메라, 태블릿 등 마이크로SD 카드 슬롯이...
삼성전자는 이날 업계 최고 동작 속도인 10.7Gbps(초당 기가비트)를 지원하는 LPDDR5X 기반 16GB(기가바이트) 패키지 제품과 미디어텍의 최신 플래그십 모바일 AP ‘디멘시티 9400’의 동작 검증에 성공했다고 밝혔다.
HBM3E 엔비디아 퀄테스트(품질 검증) 현황과 관련해서는 “(제가) HBM을 하고 있지 않아 뭐라고 말씀드릴 게 없다”며 선을 그었다. 삼성전자는...
Gbps는 1초당 전송되는 기가비트 단위의 데이터를 뜻한다.
삼성전자는 올해 하반기 출시 예정인 미디어텍 최신 플래그십 모바일AP '디멘시티 9400'에 LPDDR5X 기반 16GB 패키지 제품 검증을 완료하고 고성능 모바일 D램 상용화에 앞장선다.
삼성전자가 지난 4월 개발한 10.7Gbps LPDDR5X는 이전 세대 대비 동작 속도와 소비 전력을 25% 이상 개선해 저전력∙고성능...
3D D램의 기본 용량은 100Gb(기가비트)로 현재 가장 용량이 큰 D램(36Gb)의 세 배에 달해 이른바 ‘꿈의 메모리’로 꼽힌다.
삼성전자는 올해 초 미국 실리콘밸리에 있는 반도체 미주총괄(DSA)에 'R&D D램 패스파인딩' 조직을 만들고, 3D D램 개발에 주력하고 있다. 송 사장이 직접 이끌고 있으며, 지난해 하반기엔 미국 마이크론에서 3D D램 전문가로 꼽히는 이시우...
차량용 메모리 부문에서 업계 최고 동작 속도 10.7Gbps(초당 기가비트)를 지원하는 저전력·고성능 D램 'LPDDR5X'를 비롯해 △그래픽 메모리 'GDDR7' △오토SSD △업계 최저 소비전력의 'UFS 3.1' 등을 선보일 예정이다.
삼성전자는 최근 차량용 반도체 시장 공략에 공을 들이고 있다. 지난달 말에는 중국 베이징에서 열리는 아시아 최대 규모 모터쇼 '2024 오토차이나...
트렌드포스는 "향후 Gb(기가비트)당 가격은 D램 공급 업체의 신뢰성과 공급 능력에 따라 달라질 수 있으며, 이는 평균판매단가(ASP)에 불균형을 초래해 결과적으로 수익성에 영향을 미칠 수 있다"고 밝혔다.
이에 삼성전자와 SK하이닉스의 주도권 경쟁도 치열하다. 삼성전자는 HBM3E 12단 제품을 2분기 내에 양산할 예정이라고 밝혔다....
트렌드포스는 "향후 Gb(기가비트)당 가격은 D램 공급업체의 신뢰성과 공급 능력에 따라 달라질 수 있으며, 이는 평균판매단가(ASP)에 불균형을 초래해 결과적으로 수익성에 영향을 미칠 수 있다"고 밝혔다.
삼성전자와 SK하이닉스는 늘어나는 시장 수요에 대응하기 위해 생산 능력을 대폭 확대하고 있다.
김재준 삼성전자 메모리사업부...
또 1b나노 32Gb(기가비트) DDR5 기반 128GB(기가바이트) 제품의 2분기 양산 및 고객 출하할 예정이다.
낸드는 2분기 중 초고용량 64TB SSD 개발 및 샘플 제공을 통해 AI 용 수요에 적기 대응하고, 업계 최초로 V9 양산을 개시해 기술 리더십 또한 제고해 나갈 방침이다.
시스템LSI는 스마트폰 판매가 회복세를 보임에 따라 플래그십 SoC 및 센서의 안정적 공급에...
SK하이닉스는 3월 세계 최초로 양산을 시작한 HBM3E(5세대 HBM) 공급을 늘리고, 10나노미터(㎚·10억분의 1m) 5세대(1b) 기반 32Gb(기가비트) 더블데이터레이트(DDR)5 제품도 연내 출시할 예정이다.
SK하이닉스 관계자는 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 “(HBM3E는) 현재 진척도를 고려하면 가까운 시일 내 HBM3(4세대 HBM)와 비슷한 수율을 달성 가능할 것”이라며...
최근 사물인터넷(IoT), 자율주행 등 대용량 데이터 처리량이 급증하면서 데이터센터와 클라우드에서 400GbE(기가비트 이더넷) 이상의 통신속도가 요구되고 있다. 이러한 트렌드에 맞춰 두산은 데이터 처리 속도 향상과 통신 지연율을 최소화시킨 800GbE 통신네트워크용 CCL과 현재 개발중인 차세대 1600GbE 통신네트워크용 CCL을 선보인다.
FCCL은 유연하게...
메모리는 12나노급 32Gb(기가비트) DDR5 D램를 활용한 128GB(기가바이트) 대용량 모듈 개발로 시장을 선도하고, 12단 적층 HBM 선행을 통해 HBM3·HBM3E 시장의 주도권을 찾을 계획이다. 또 9세대 V낸드, HBM4 등과 같은 신공정을 최고의 경쟁력으로 개발해 다시 업계를 선도하고 첨단공정 비중 확대 및 제조 능력 극대화를 통해 원가 경쟁력을 확보할 방침이다.
또...
메모리는 12나노급 32Gb(기가비트) DDR5 D램를 활용한 128GB(기가바이트) 대용량 모듈 개발로 시장을 선도하고, 12단 적층 HBM 선행을 통해 HBM3·HBM3E 시장의 주도권을 찾을 계획이다. 또 D1c D램, 9세대 V낸드, HBM4 등과 같은 신공정을 최고의 경쟁력으로 개발해 다시 업계를 선도하고 첨단공정 비중 확대 및 제조 능력 극대화를 통해 원가 경쟁력을 확보할 방침이다....
아울러 같은 기간 HBM 매출이 전체 D램 매출에서 차지하는 비중은 8.4%에서 20.1%로 급상승할 것으로 관측했다.
트렌드포스는 "HBM의 높은 평균판매단가(ASP)와 수익성으로 메모리 부문에 상당한 자본 투자가 이뤄졌다"며 "올해 HBM의 연간 비트그로스(비트 단위로 환산한 생산량 증가율)는 260%에 이를 것"이라고 내다봤다.
HBM은 D램 여러 개를...
그는 솔라나 밈코인 봉크를 예로 들며 “작년 4분기 봉크가 급등했고, 이 기간 솔라나 네트워크 활성 주소 활동 중 상당 부분을 차지했다”라고 덧붙였다.
디파이라마의 데이터에 따르면 14일(한국시간) 기준 솔라나 체인의 가상자산 예치 총액(TVL)은 37억3100만 달러(약4조9525억 원)로 일주일간 30% 이상 상승하며 아비트럼을 제치고 3위에 올랐다. 솔라나의...
삼성전자는 24Gb(기가비트) D램 칩을 TSV(Through-Silicon Via, 실리콘 관통 전극) 기술로 12단까지 적층해 업계 최대 용량인 36GB HBM3E 12H를 구현했다. TSV는 수천 개의 미세 구멍을 뚫은 D램 칩을 수직으로 쌓아 적층된 칩 사이를 전극으로 연결하는 기술이다.
HBM3E 12단 제품은 초당 최대 1280GB의 대역폭과 현존 최대 용량인 36GB를 제공해 성능과 용량 모두...
SK하이닉스는 V7 512Gb(기가비트) TLC 낸드 플래시 제품군인 범용 플래시 스토리지(UFS) 3.1 기반 반도체, 저전력 더블데이터레이트(LPDDR)4·5X, 차량용 HBM2E 등을 전시한다. 해당 제품들은 첨단 운전자 보조 시스템(ADAS)을 구현하는데 필수적이다. 내비게이션이나 주차 등에서 운전자를 돕고, 실수로 인한 전방 충돌, 급차선 변경 등의 상황을 방지하는...