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  • 삼성전자, 최첨단 EUV 시스템반도체에 3D 적층 기술 업계최초 적용
    삼성전자, 최첨단 EUV 시스템반도체에 3D 적층 기술 업계최초 적용
    또 실리콘관통전극(TSV) 기술을 통해 시스템반도체의 데이터 처리속도를 획기적으로 향상 시킬 수 있고, 전력 효율도 높일 수 있다. TSV 기술은 와이어를 이용해 칩을 연결하는 대신 칩에 미세한 구멍을 뚫어 상단 칩과 하단 칩을 전극으로 연결하는 패키징 기술이다. 속도와 소비전력을 크게 개선할 수 있다. 이 외에도 위아래 칩의 데이터 통신...
    2020-08-13 11:00
  • 풀HD영화 124편 1초 만에 전달…SK하이닉스, 초고속 D램 ’HBM2E’ 본격 양산
    풀HD영화 124편 1초 만에 전달…SK하이닉스, 초고속 D램 ’HBM2E’ 본격 양산
    용량도 8개의 16기가비트(Gb) D램 칩을 TSV 기술로 수직 연결해 이전 세대 대비 2배 이상 늘어난 16GB를 구현했다. 초고속·고용량·저전력 특성을 지닌 HBM2E는 고도의 연산력을 필요로 하는 딥러닝 가속기, 고성능 컴퓨팅 등 차세대 인공지능(AI) 시스템에 적용될 예정이다. 기상변화, 생물의학, 우주탐사 등 차세대 기초과학과 응용과학 연구를 주도할...
    2020-07-02 11:00
  • [종합] 반도체 초격차 이어가는 삼성, 신종 코로나가 복병
    [종합] 반도체 초격차 이어가는 삼성, 신종 코로나가 복병
    삼성전자는 16Gb D램 칩에 5600개 이상의 미세한 구멍을 뚫고 총 4만 개 이상의 TSV 접합볼로 8개 칩을 수직 연결한 '초고집적 TSV 설계 기술'을 이 제품에 적용했다. 특히 이 제품은 '신호전송 최적화 회로 설계'를 활용해 총 1024개의 데이터 전달 통로에서 초당 3.2기가비트의 속도로 410기가바이트의 데이터를 처리한다. 풀HD(5기가바이트) 영화 82편을 1초에...
    2020-02-04 11:33
  • 삼성전자, AI·차세대 슈퍼컴퓨터용 초고속 D램 세계최초 출시
    삼성전자, AI·차세대 슈퍼컴퓨터용 초고속 D램 세계최초 출시
    삼성전자는 16Gb D램 칩에 5600개 이상의 미세한 구멍을 뚫고 총 4만개 이상의 TSV 접합볼로 8개 칩을 수직 연결한 '초고집적 TSV 설계 기술'을 이 제품에 적용했다. 특히 이 제품은 '신호전송 최적화 회로 설계'를 활용해 총 1024개의 데이터 전달 통로에서 초당 3.2기가비트의 속도로 410기가바이트의 데이터를 처리한다. 풀HD(5기가바이트) 영화 82편을 1초에...
    2020-02-04 08:36
  • [개장전] 증권사 추천주(10/8)
    하반기 회복후공정의 신기술(EMI, Fan-Out, TSV) 도입이 성장 기회하나금투 김경민 LG전자기대 상회한 3분기 영업이익매출액과 영업이익만 잠정 발표, 영업이익 컨센 29% 상회Valuation 매력적이나, 본격적인 주가 반등에는 모멘텀 다소 부족한국투자 조철희투자의견:매수/목표주가:8만4000원
    2019-10-08 08:20
  • [사설] 삼성 초격차 반도체 개발, 기업 활력 진작을
    삼성전자가 최첨단 반도체 패키징 기술인 ‘12단 3차원 실리콘 관통전극(3D-TSV)’ 기술을 최초로 개발했다고 7일 발표했다. 곧 이 기술을 적용한 업계 최대 용량의 24GB급 대용량 고대역폭 메모리(HBM) 제품의 양산에 들어갈 예정이다. 기존에는 D램 칩을 쌓을 때 와이어로 연결하지만, 새 기술은 칩에 머리카락 굵기 20분의 1 수준인 미세 전자통로를 뚫어 연결하는...
    2019-10-08 05:00
  • 삼성전자, 반도체 패키징도 초격차… 업계 최초 '12단 3D-TSV' 기술 개발
    삼성전자, 반도체 패키징도 초격차… 업계 최초 '12단 3D-TSV' 기술 개발
    삼성잔자는 업계 최초로 '12단 3D-TSV(3차원 실리콘 관통전극)' 기술을 개발했다고 7일 밝혔다. '12단 3D-TSV'는 기존 금선(와이어)을 이용해 칩을 연결하는 대신 반도체 칩 상단과 하단에 머리카락 굵기의 20분의 1수준인 수 마이크로미터 직경의 전자 이동 통로(TSV) 6만개를 만들어 오차 없이 연결하는 첨단 패키징 기술이다. 이 기술은 종이(100㎛)의 절반...
    2019-10-07 08:31
  • [종합] SK하이닉스, 최고속 'HBM D램' 신제품 개발…2020년 양산
    [종합] SK하이닉스, 최고속 'HBM D램' 신제품 개발…2020년 양산
    SK하이닉스가 세계 최초로 출시했던 HBM(고대역폭메모리) D램은 3차원 적층 기술인 TSV(실리콘관통적극)를 활용해 D램을 수직으로 쌓아 데이터 처리 속도를 끌어올린 제품이다. HBM D램의 차세대 제품인 HBM2E D램은 이전 규격인 HBM2 대비 처리 속도를 50% 높였다. 1024개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 460GByte(기가바이트)의 데이터를 처리해 풀HD급 영화...
    2019-08-12 13:45
  • SK하이닉스, HBM 신제품 개발…고화질 영화 124편 1초에 처리
    SK하이닉스, HBM 신제품 개발…고화질 영화 124편 1초에 처리
    HBM(고대역폭메모리)은 3차원 적층 기술인 TSV(실리콘관통적극)를 활용해 D램을 수직으로 쌓아 데이터 처리 속도를 끌어올린 제품이다. HBM D램의 차세대 제품인 HBM2E는 이전 규격인 HBM2 대비 처리 속도를 50% 높였다. 1024개의 정보 출입구(I/O)를 통해 초당 460GByte(기가바이트)의 데이터를 처리해, 풀HD급 영화 124편 분량의 데이터를 1초 만에...
    2019-08-12 11:00
  • 락앤락, 독일 최대 홈쇼핑 QVC에 텀블러 대규모 수주
    락앤락, 독일 최대 홈쇼핑 QVC에 텀블러 대규모 수주
    이에 따라 ‘오늘의 특선 상품(Today’s Special Value∙TSV)’에 선정, 올 하반기 텀블러 12만 개를 선보이게 된다. 락앤락이 유럽 QVC에서 텀블러 TSV를 수주한 것은 처음이다. 현재 독일을 비롯한 락앤락 유럽 매출의 대부분이 플라스틱 밀폐용기에서 발생하고, 50% 가량이 독일 QVC에서 나오는 만큼 향후 유럽 시장의 규모가 확대될 것으로 기대된다. 이번에 TSV에...
    2019-05-07 09:55
  • [전거래일 주요 공시] 셀트리온ㆍ카페24 외
    36%↑ △정상이엘에스, 주당 430원 현금배당 계획 △웨이브일렉트로, 자사주 958주 처분 결정 △티엘아이, 최대주주변경 수반하는 주식담보 제공 계약 해제 △엑시콘, TSV 수리구조 결정 장치 관련 특허권 취득 △KT서브마린, 76억원 규모 해저케이블 건설공사 계약 체결 △더블유에프엠, 11억원 규모 산화물계 음극재 공급계약 △경남제약, 김주선...
    2018-11-12 09:00
  • 엑시콘, 메모리칩 수율 개선 테스트장비 기술 특허 취득
    특허의 명칭은 ‘집단 고장을 고려한 불균형 배치된 TSV의 수리 구조를 결정하는 장치 및 방법’이다. 엑시콘 관계자는 “올해 4분기부터 생산되는 당사 제품에 해당 특허기술이 적용될 것”이라며 “고객사의 제품(메모리칩)의 수율을 한 단계 높일 수 있게 될 것”이라고 말했다. 이어 “내년 초에 신규 출시 예정인 ETBI (Embedded memory Tester in Burn-In system...
    2018-11-09 14:55
  • 엑시콘, TSV 수리구조 결정 장치 관련 특허권 취득
    엑시콘이 집단 고장을 고려한 불균형 배치된 관통실리콘비아(TSV)의 수리구조를 결정하는 장치 및 방법에 대한 특허권을 취득했다고 9일 공시했다. 회사 측은 "해당 특허를 당사의 모든 테스트 장비의 성능 향상 및 신제품 개발에 적용할 예정"이라고 밝혔다.
    2018-11-09 13:54
  • 삼성전자 서버 D램도 '초격차'..세계 4위 난야는 생산 축소
    삼성전자 서버 D램도 '초격차'..세계 4위 난야는 생산 축소
    삼성전자는 2014년 64GB 서버용 D램 모듈을 개발한 이후 2016년 실리콘관통전극(TSV) 기술을 적용해 128GB 대용량을 구현한 서버용 RDIMM D램 모듈을 양산한 바 있다. D램 모듈로 128GB 용량을 구현한 것 역시 첫 사례였다. 대부분의 반도체 기업들은 현재 서버용 D램 모듈 시장에서 64GB 수준에 머물러 있다. 삼성전자는 2년 만에 또다시 256GB 서버용 D램 모듈을...
    2018-10-19 08:00
  • 삼성·SK하이닉스 ‘HBM’ 개발 힘쏟는 이유는?
    삼성·SK하이닉스 ‘HBM’ 개발 힘쏟는 이유는?
    HBM은 3차원 적충 기술인 실리콘관통적극(TSV)를 활용해 D램을 수직으로 쌓은 메모리를 말한다, SK하이닉스는 올 초 열린 콘퍼런스콜에서 “올해 속도를 향상한 HBM 2세대 제품 개발을 완료, 상반기 고객 인증하고 하반기 본격 대량 양산을 시작하겠다”고 밝힌 바 있다. HBM 개발, 양산에선 SK하이닉스가 선구자 역할을 했다. SK하이닉스는 2013년 HBM을...
    2018-09-07 09:27
  • [IPO] 에이피티씨, 이달 말 코스닥 입성 “글로벌 반도체 장비 업체로 거듭날 것”
    [IPO] 에이피티씨, 이달 말 코스닥 입성 “글로벌 반도체 장비 업체로 거듭날 것”
    그러면서 “300mm 산화막 식각 장비 및 TSV(실리콘 관통전극) 식각 장비에 대한 개발도 검토하고 있어 명실상부한 글로벌 반도체 장비 전문기업으로 성장을 지속할 것”이라고 강조했다. 한편, 에이피티씨는 2015년 44억 원에서 2016년 379억 원, 2017년 411억 등 지속해서 성장하고 있다. 올해 1분기에는 203억 원의 매출을 기록했다. 반기누적 결과로는 이미 작년...
    2018-08-10 14:48
  • 한미반도체, 16일 700억원 규모 자사주 소각
    박상규 한미반도체 이사는 “상반기에 사상 최대 실적을 기록했다"며 "중국 반도체 굴기 확산과 글로벌 시장에서 서버용 반도체 수요 급성장 등으로 회사 주력장비인 비전 플레이스먼트, 신규 미들엔드(Middle-end) 장비인 TSV 듀얼 스태킹 TC 본더, 플립칩 본더 등에 대한 수요 증가세가 이어진다면 회사 주가는 아직 저평가 상태로 보인다"고...
    2018-08-07 09:52
  • 한미반도체, 상반기 영업익 356억…전년비 38.8%↑
    한미반도체, 상반기 영업익 356억…전년비 38.8%↑
    곽동신 한미반도체 부회장은 “글로벌 반도체 경기 호황과 200조 원 규모의 중국 반도체 굴기에 따른 중국향 반도체 장비 공급 증가, 미들 엔드(Middle-end) 장비인 ‘TSV 듀얼 스태킹 TC 본더’, 세계시장 점유율 1위의 ‘6세대 뉴 비전 플레이스먼트’, ‘플립칩 본더’ 등의 신규개발 장비 매출 호조로 지난해 기록한 사상 최대 실적을 다시 한 번 뛰어넘는...
    2018-07-30 09:43
  • 마이크로프랜드, 3D IC핵심소재 관련 국책과제 선정
    마이크로프랜드는 세부과제 중 ‘미세 피치 TSV 및 FO PKG Test를 위한 부품기술 개발’을 주관하게 됐다. 이로 인해 마이크로프랜드는 AI IC 시스템 구현을 위한 3D IC 패키징(PKG) 기술 개발에 있어 PKG 단계별 고밀도와 고성능 테스트솔루션(Test Solution)을 제공하게 된다. 미세 피치 TSV(실리콘관통전극)는 D램 칩을 일반 종이 두께의 절반보다 얇게 깎은 뒤 수백...
    2018-07-02 08:27
  • 삼성전자, 세계 최초 '30.72TB SAS SSD' 양산
    삼성전자, 세계 최초 '30.72TB SAS SSD' 양산
    30.72TB SAS SSD'는 2.5인치 크기에 △1TB V낸드 패키지 32개 △초고속 전용 컨트롤러 △TSV기술이 적용된 4GB D램 패키지 10개 △초고용량 전용 최신 펌웨어 기술을 탑재해 기존 제품보다 용량을 2배 올리면서도 성능을 더욱 강화했다. 또 기존 SSD의 9개 메인/서브 컨트롤러를 1개 컨트롤러로 대체하며, 내부 공간 활용성을 높이는 동시에, 임의...
    2018-02-20 11:00
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