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최우진 SK하이닉스 부사장 "패키징, 반도체 패권 경쟁 핵심…기술 우위 증명할 것"

그는 "AI 시대에 발맞춰 다양한 기능, 크기, 형태, 전력 효율 등 고객이 원하는 성능을 갖춘 ‘시그니처 메모리’에 집중하고 있다"며 "이를 구현하기 위해 고대역폭메모리(HBM) 성능의 키 역할을 하는 실리콘 관통 전극(TSV), 매스리플로우-몰디드언더필(MR-MUF) 등 기술을 고도화하면서, 메모리-비메모리 등 이종 간 결합을 도와 새로운 유형의...

2024-04-11 10:17
펨트론, HBM 이어 CXL 관련 장비 준비 완료…리드탭 인라인 검사장비는 추가 공급 논의

펨트론은 SK하이닉스와 함께 HBM 웨이퍼와 TSV 공정 등 검사장비의 성능 평가를 진행 중이다. 이르면 올해부터 본격 양산에 나설 계획인 것으로 알려졌다. 현재 SK하이닉스는 HBM 생산성 향상을 위해 어드밴스드 매스리플로우-몰디드언더필(MR-MUF)을 도입한 것으로 파악되는데, 펨트론은 이 공정에 필요한 검사 기술을 보유하고 있다. SK하이닉스에 따르면 MR-MUF 공정...

2024-03-21 10:48
SK하이닉스 부채 1조 원 늘었네? 알고 보니… HBM 미리 받은 돈

SK하이닉스는 신규 투자의 대부분을 몰디드 언더필(MR-MUF)로 불리는 새 패키징 방식과 실리콘관통전극(TSV) 기술 발전에 쏟아붓고 있다. MR-MUF는 여러 개의 D램을 쌓아 연결할 때 실리콘층 사이에 액체 물질을 한 번에 주입하고 굳히는 방식이다. 방열과 생산 수율 향상에 유리한 것으로 알려졌다. 이강욱 SK하이닉스 부사장은 "반도체 산업의 첫 50년은...

2024-03-13 13:48
SK하이닉스, 올해 AI 메모리칩 핵심 기술에 10억 달러 이상 투자

HBM은 칩을 겹겹이 쌓아 실리콘관통전극(TSV)과 연결해 더 빠르고 에너지 효율적인 데이터 처리를 구현하는 고성능 메모리의 일종이다. SK하이닉스는 올해 설비 투자 예산을 따로 공개하지 않았는데, 애널리스트들은 평균적으로 올해 약 14조 원 남짓의 투자가 이뤄질 것으로 추정했다. 패키징 사업이 전체 예산의 10%를 차지할 수 있다는 것인데, 이는...

2024-03-07 16:49
“원익IPS, 연간 영업이익 흑자전환 전망…주요 고객사 ALD 매출 증가로 목표가↑”

또한 HBM Capa 증가하며 Passivation 장비와 TSV 구리 어닐링 장비 매출이 양사 포함 700억 원 수준이 올해 반영될 것"으로 내다봤다. 그러면서 "전방 Capex는 전환투자 중심으로 집행되는 가운데, 올해 ALD 설비 출하의 증가는 DRAM의 테크 마이그레이션 방향성과 동행한다는 관점에서 긍정적으로 평가한다. DRAM 외에도 NAND와 파운드리로도 ALD...

2024-03-06 08:06
HBM도 초격차 시동… 삼성전자, 업계 최초 36GB HBM3E 12단 D램 개발

삼성전자는 24Gb(기가비트) D램 칩을 TSV(Through-Silicon Via, 실리콘 관통 전극) 기술로 12단까지 적층해 업계 최대 용량인 36GB HBM3E 12H를 구현했다. TSV는 수천 개의 미세 구멍을 뚫은 D램 칩을 수직으로 쌓아 적층된 칩 사이를 전극으로 연결하는 기술이다. HBM3E 12단 제품은 초당 최대 1280GB의 대역폭과 현존 최대 용량인 36GB를 제공해 성능과 용량 모두...

2024-02-27 11:00
손호영 SK하이닉스 부사장 "고객별 차별화된 솔루션 제공할 것"

또 HBM 핵심 기술인 TSV 공정과 SK하이닉스 독자 기술인 MR-MUF의 도입 초기부터 개발을 이끌며 AI 메모리 기술 리더십을 공고히 하는 데 큰 역할을 했다. TSV는 D램 칩에 수천 개의 미세 구멍을 뚫어 상하층 칩의 구멍을 수직 관통 전극으로 연결하는 기술이다. MR-MUF는 적층한 칩 사이에 보호재를 넣은 후 전체를 한 번에 굳히는 공정으로, 효율적이고 열 방출에도...

2024-02-27 10:23
와이씨켐, “‘HBM3E’용 차세대 코팅소재 개발 완료...글로벌 반도체 양산 평가 중”

와이씨켐은 최근 HBM 전용 TSV 포토레지스트 국산화에 성공해 글로벌 반도체 고객 기업들에게 공급하고 있다. 또한 2028년 완공을 목표로 용인 반도체 클러스터에 신규 설비 구축을 추진 중이다. 실리콘관통전극으로 불리는 TSV는 수직형태로 D램을 쌓아 직접 연결한다. 적은 공간에 대용량 데이터를 빠르게 처리할 수 있어 HBM 필수 공정 장비로 꼽히고 있다.

2024-02-23 14:12
시그네틱스, SK하이닉스이어 삼성전자도 도입 추진 HBM 'MUF' 이미 공급 중

MUF는 반도체에 수천 개의 미세 구멍을 뚫어 위아래로 연결하는 실리콘관통전극(TSV) 공정 후 반도체 사이에 주입하는 재료다. 수직으로 쌓아 올린 여러 개의 반도체를 단단히 굳혀 접합하는 역할을 한다. 삼성은 이 MUF를 단단하게 만들 수 있는 경화(몰딩) 장비를 일본에서 최근 구매한 것으로 알려졌다. 삼성은 그동안 반도체를 수직 연결할 때 독자 개발한...

2024-02-21 09:56
곽노정 SK하이닉스 사장 "美 패키징공장 부지 신중하게 검토중"

아울러 신규 반도체 생산공장인 충북 청주 M15X의 공사 재개 시점에 관한 질문에는 "시황과 고객 상황을 봐가며 해야 해서 지금은 정해진 것이 없고, 예의주시하며 신중하게 하겠다"고 답했다. 추후 청주에서 HBM을 생산할 가능성을 두고는 "현재 M15에 실리콘관통전극(TSV)을 일부 넣기로 했듯이 그런 관점에서 유연하게 대응할 것"이라고 했다.

2024-02-19 16:43
[특징주] 와이씨켐, HBM 필수 공정 TSV 슬러리 개발-양산 기대감에 상승세

SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM)를 만들기 위한 필수 공정 실리콘관통전극(TSV) 생산 능력을 2배 확대 한다는 소식에 와이씨켐(구 영창케미칼)이 상승세다. 와이씨켐은 TSV 슬러리 개발을 완료하고 양산 라인 평가를 통과했다. 25일 오전 11시 23분 현재 와이씨켐은 전일대비 690원(6.12%) 상승한 1만1960원에 거래 중이다. 최근 SK하이닉스는 HBM 등 인공지능...

2024-01-25 11:24
[컨콜] SK하이닉스 "TSV 투자 2배 이상 확대"

SK하이닉스는 25일 2023년 4분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "TSV(실리콘관통전극) 캐파를 두 배 이상 확대할 계획"이라고 밝혔다. 이어 "추가 투자는 중장기 시장 환경 등을 종합적으로 신중하게 결정할 계획"이라고 덧붙였다.

2024-01-25 09:46
피에스케이, 삼성-SK하이닉스 독점 램리서치 반도체 장비 국산화로 매출 확대 전망

ASML과 세계 3대 반도체 장비 업체인 램리서치는 HBM용 TSV 장비, 웨이퍼 식각 베벨 에치등을 독점 공급해왔다. 피에스케이는 지난해 메모리 반도체 수요감소의 직격탄을 맞았다. 지난해 3분기 매출액 2431억 원으로 전년도 3700억 원에 비해 35% 감소했고, 영업이익도 918억 원에서 381억 원으로 절반 이하로 감소했다. 전방 산업의 위축에 따른 투자 감소가 이유였다고...

2024-01-23 13:55
곽노정 SK하이닉스 대표 “AI 발전 원동력은 메모리반도체, 고객별 최적화된 솔루션 제공” [CES 2024]

SK하이닉스는 △세계 최고이자 현재 전세계 가장 많은 AI 고객들이 사용 중인 HBM3/3E △최고 용량 서버용 메모리인 하이 캐파시티(High Capacity) TSV DIMM △세계 최고속 모바일 메모리인 LPDDR5T △세계 최고의 퍼포먼스(Performance) 메모리인 DIMM까지 다양한 초고성능 제품을 시장과 산업에 공급하고 있다. 이를 통해 SK하이닉스는 AGI, 데이터센터, 모바일...

2024-01-09 04:00
‘HBM·CXL’ 발판 삼아 도약 준비…올해는 ‘삼성·SK’ 전성시대 [韓반도체 재도약]

HBM은 기존 D램과 달리 실리콘관통전극(TSV) 기술을 통해 높은 대역폭을 제공함으로써 이를 가능하게 한다. TSV는 층층이 쌓인 반도체에 미세한 구멍을 뚫어 서로 연결하는 패키징 기술이다. 전기적 신호가 직접 전달돼 전송 속도가 빠르고, 저전력으로 많은 양의 데이터를 처리할 수 있다. 삼성전자와 SK하이닉스는 현재 HBM 시장을 양분하고 있을 정도로...

2024-01-03 13:03
“다시 반도체의 시간”...삼성전자·SK하이닉스 나란히 코스피 이끈다

김동원 KB증권 연구원 “HBM은 패키징 공정기술과 실리콘관통전극(TSV) 공정 난도가 높아 개발과 실제 양산은 별개의 이슈로 판단돼 내년 마이크론은 HBM3E 실제 양산 후 수율 확보와 양산 경쟁력 확보가 관건이 될 전망”이라며 “따라서 내년 HBM 시장은 기술 경쟁력을 갖춘 업체가 이익을 가져가는 승자독식 구조 가능성이 높다”고 분석했다.

2023-12-25 13:30
“HBM 생산력 극대화”…삼성·SK, 큰손 ‘엔비디아·AMD’ 잡기 총력전

현재 HBM 양산에 필요한 실리콘관통전극(TSV) 본딩, 웨이퍼서포팅시스템(WSS) 등의 장비 발주를 시작했다. 인근 M15X 공장도 2025년 완공을 목표로 건설 중인데 이곳에서도 HBM을 생산할 것으로 보인다. AMD가 최근 최신 AI 반도체 출시를 알리면서 우리 기업들의 HBM 공급도 크게 늘어날 전망이다. 그동안 AI 반도체 시장을 주도했던 엔비디아와 경쟁할 새로운...

2023-12-12 15:44
“D램 흑자 전환에 영업손실 줄었다”…SK하이닉스, 불황 벗어나, 반등 시작하나

D램 10나노 4세대(1a)와 5세대(1b) 중심으로 공정을 전환하는 한편, HBM과 실리콘관통전극(TSV)에 대한 투자를 확대한다고 밝혔다. 정춘석 SK하이닉스 PL은 25일 열린 ‘반도체대전 2023’ 행사장에서 “HBM은 2014년 첫 제품이 나온 이래, 과거에도 이렇게 핫한 디바이스가 있었나 싶을 정도로 시장에서 주목받고 있다”며 “2026년에는 6세대인 HBM4 양산을 목표로...

2023-10-26 14:20
"D램 흑자전환"…SK하이닉스, 3분기 영업손실 전분기 比 38%↓

회사는 D램 10나노 4세대(1a)와 5세대(1b) 중심으로 공정을 전환하는 한편, HBM과 TSV에 대한 투자를 확대한다는 계획이다. 김우현 SK하이닉스 부사장은 “고성능 메모리 시장을 선도하면서 미래 AI 인프라의 핵심이 될 회사로 탄탄하게 자리매김하고 있다”며 “앞으로 HBM, DDR5 등 당사가 글로벌 수위를 점한 제품들을 통해 기존과는 다른 새로운 시장을...

2023-10-26 08:43
삼성전자, 미래 첨단 산업의 키 'D램’…향후 미래는?

◇기술 집약의 완성체…DDR5 D램 삼성전자는 DDR5 탄생의 배경에 관해 ‘HKMG(High-K Metal Gate)’ 공정과 ‘TSV(Through-Silicon Via)’ 공정을 꼽았다. HKMG 공정은 반도체 제조 과정에서 고저유전체 절연 물질과 금속 게이트를 활용해 더 미세하고 효율적인 전자 회로를 만들고, 전력 소비를 줄이는 데에 도움을 주는 기술이다. 메모리는 전하를 저장하는 셀로...

2023-10-07 09:31

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