삼성전자는 28일 열린 3분기 실적 콘퍼런스콜에서 파운드리 사업과 관련 "3나노 1세대 GAA(Gate-All-Around) 공정은 내년 상반기 양산을 목표로 진행중이다"라며 공정개발ㆍ제조ㆍ인프라 역량 혁신을 통해 3나노 2세대 GAA 공정에서 삼성의 리더십 확대를 기대한다"라고 밝혔다.
이어 "캐패시티(capacity) 경우 평택 캐파 확대 및 미국...
또한, 3나노 1세대 GAA 공정 제품 설계를 완료하는 동시에 3나노 2세대 GAA 공정 개발에 착수하는 등 기술 리더십을 이어갈 계획이다.
내년 파운드리 시장은 모바일 5G, GPU, 성숙공정 제품 등 전방위적인 수요 강세로 공급 부족 현상이 지속될 것으로 예상된다.
삼성전자는 적극적인 투자를 통해 5나노 이하 첨단공정을 중심으로 공급을 확대해 큰 폭의 실적 성장을...
이러한 문제를 해결하기 위해 파운드리 사업에선 2나노(nm·1나노미터는 10억분의 1m) 공정을 확보하기 위한 기술 개발이 진행 중이지만, 1나노 이하 기술 확보까지는 더 많은 시간이 필요할 것으로 전망된다. 공정 미세화 속도도 저하되고, 단위 면적당 원가도 계속 증가하고 있어 경제성 측면에서도 해결책이 시급한 상황이다. 이전과 같은 미세공정 개발만으로는...
삼성은 6일 개최한 ‘또 한 차원을 더하다(Adding One More Dimension)’라는 주제의 파운드리 포럼에서 내년 상반기 첨단 게이트올어라운드(GAA) 기술을 도입한 3나노미터(nm·10억분의 1m) 제품 양산을 시작하고 2025년에는 2나노 공정에 진입할 계획이라고 밝혔다.
이코노미스트는 삼성이 2019년 발표한 ‘반도체 비전 2030’을 통해 2030년까지 시스템 반도체 분야 연구...
초 삼성전자는 파운드리 포럼을 통해 GAA 기술을 기반으로 한 3나노 및 2나노 공정 양산 계획을 밝히며 기술리더십을 재확인한 바 있다.
2022년 상반기 GAA 기술을 3나노에 도입하고, 2023년에는 3나노 2세대, 2025년에는 GAA 기반 2나노 공정 양산에 들어간다는 계획이다. 특히 내년 상반기로 예고한 3나노 반도체 양산 시점은 TSMC보다 다소 빠를 것으로 예상된다.
삼성전자가 파운드리(반도체 수탁생산) 시장 1위 업체인 대만 TSMC를 따라잡기 위해 3나노(3㎚·1나노미터는 10억분의 1m) 초미세공정 선점에 승부수를 건다. 반도체 업계를 주도해온 기존 핀펫 기술과 다른 게이트올어라운드(GAA) 기술을 앞세워 내년 상반기 GAA 기술을 도입한 3나노 제품 양산을 시작하고, 2025년엔 2나노 공정에 진입할 계획이다....
파운드리는 5나노 2세대에 이어 3세대를 양산하고 차세대 트랜지스터 구조인 GAA(Gate All Around) 개발로 3나노 이하 초미세 공정 기술의 리더십을 강화할 계획이다. 또, 생산능력 확대와 생산 효율을 극대화해 물량 적기 공급에 주력하고, 고객을 다변화해 사업을 지속 성장시켜 간다는 방침이다.
시스템 LSI는 시스템온칩(SoC) 성장 기반을 확고히 하고, 픽셀 기술...
파운드리는 5나노 2세대에 이어 3세대를 양산하고 차세대 트랜지스터 구조인 GAA(Gate All Around) 개발로 3나노 이하 초미세 공정 기술의 리더십을 강화할 계획이다. 또, 생산능력 확대와 생산 효율을 극대화해 물량 적기 공급에 주력하고, 고객을 다변화해 사업을 지속 성장시켜 간다는 방침이다.
고동진 IM(IT·모바일)부문장 사장은 “스마트폰 시장은 코로나19 영향으로...
파운드리는 5나노 2세대에 이어 3세대를 양산하고 차세대 트랜지스터 구조인 GAA(Gate All Around) 개발로 3나노 이하 초미세 공정 기술의 리더십을 강화할 계획이다. 또, 생산능력(Capa) 확대와 생산 효율을 극대화해 물량 적기 공급에 주력하고, 고객을 다변화해 사업을 지속 성장시켜 간다는 방침이다.
시스템 LSI는 SoC 성장 기반을 확고히 하고, 픽셀 기술 차별화와 공급...
다만 3나노급부터는 반전의 여지가 있다고 봤다. GAA(게이트올어라운드) 등 신기술 개발 성과, 수율 개선 노력, 후공정 경쟁력 격차 축소 여부에 따라 삼성전자가 TSMC 대비 시장 점유율 등 측면에서 강세로 전환될 가능성도 존재한다는 것이다.
실제로 삼성전자는 TSMC를 따라잡기 위한 투자에 매진하고 있다. 최근 블룸버그에선 삼성전자가 3나노 공정을 증설하기...
여기에는 기존 구조와 다른 차세대 트랜지스터 구조인 ‘GAA(Gate-All-Around)’를 적용해 초미세 공정기술을 한 단계 높인다는 계획이다. 3나노 기반의 제품 생산은 2022년이 목표다.
삼성전자는 올해 의결한 경영위원회 안건 8건 중 3건이 파운드리 관련 안건일 정도로 관련 시장 장악에 고삐를 죄고 있다.
지난 2월 EUV 전용 화성 파운드리 라인 가동 계획을...
여기에는 기존 구조와 다른 차세대 트랜지스터 구조인 ‘GAA(Gate-All-Around)’를 적용해 초미세 공정기술을 한 단계 높인다는 계획이다. 3나노 기반의 제품 생산은 2022년이 목표다.
다만 올해 신종 코로나바이러스 감염증(코로나19)으로 이달 미국에서 열릴 예정이던 삼성 파운드리 포럼이 취소되는 등 불확실성에 대응해야 하는 상황이다.
또 미국의 화웨이...
하반기는 소비자용·컴퓨팅용 등으로의 응용처 다변화와 함께 미세 공정 투자를 지속하며, 5나노 핀펫(FinFET) 공정 본격 양산과 개선을 통해 경쟁력을 확보하고, GAA(Gate-All-Around) 3나노 공정 또한 지속 개발할 계획이다.
코로나19가 잠잠해지는 시기에 삼성 파운드리 포럼도 재개하며 고객사 확보에 나설 전망이다. 삼성 파운드리 포럼은 삼성전자가 매년 주요...
삼성전자는 지난해 5월 미국에서 열린 ‘삼성 파운드리 포럼’에서 미세화의 한계를 극복할 수 있는 차세대 기술인 ‘차세대 3나노GAA(Gate-All-Around) 공정’을 소개했다. 5나노 제품에 비해 칩 면적을 약 35% 이상 줄일 수 있는 것이 특징이다. 여기에 소비전력을 50% 감소시키면서 성능(처리속도)은 약 30% 향상할 수 있다.
삼성전자가 확보한 3나노 공정 기술은...
삼성전자는 'V1 라인'에서 초미세 EUV 공정 기반 7나노와 혁신적인 GAA(Gate-All-Around) 구조를 적용한 3나노 이하 차세대 파운드리 제품을 주력으로 생산할 계획이다.
이미 최첨단 공정 기술을 바탕으로 퀄컴, 바이두 등 대형 팹리스(반도체 회로 설계) 기업과 협력을 추진하며 모바일부터 HPC(하이 퍼포먼스 컴퓨팅) 분야까지 파운드리 영역을 확대해 나가고 있다....
파운드리는 EUV 5ㆍ7나노 양산 확대와 고객 다변화를 지속 추진하는 동시에 3나노GAA 공정 개발을 통한 기술 경쟁력을 강화할 방침이다.
디스플레이 사업은 중소형 디스플레이의 경우 차별화된 기술과 디자인으로 리더십을 강화하고 폴더블 등 신규 수요에 적극 대응할 예정이다. 대형 디스플레이의 경우는 공급과잉이 지속되는 가운데, QD디스플레이 중심으로...
TSMC의 경쟁자인 삼성전자는 2018년 처음 'GAA(Gate-All-Around)' 기술을 포함한 3나노 공정 로드맵을 공개했다. 지난해에는 고객사에 설계툴을 제공했고, 이달에는 최초 개발을 공식화했다.
TSMC가 삼성전자처럼 GAA 기술을 채택할지, 혹은 기존의 핀펫 기술을 채택할지에 따라 이들 경쟁 구도 또한 달라진다고 업계는 분석하고 있다.
만약 TSMC가 삼성전자와...
반도체 미세화의 한계를 극복할 수 있는 차세대 기술인 'GAA(Gate-All-Around)'를 적용한 3나노 반도체는 최근 공정 개발을 완료한 5나노 제품에 비해 칩 면적을 약 35% 이상 줄일 수 있다. 또 소비전력을 50% 감소시키면서 성능(처리속도)은 약 30% 향상시킬 수 있다.
이날 이재용 부회장은 "과거의 실적이 미래의 성공을 보장해주지 않는다"고 말했다....
삼성전자는 최근 전 세계 주요 국가에서 진행하고 있는 ‘삼성 파운드리 포럼 2019’에서 고객사들을 대상으로 3나노GAA(Gate-All-Around) 공정을 소개했다.
삼성전자의 3나노 파운드리 공정은 최신 양T산 공정인 7나노 핀펫 대비 50%의 소비전력 감소와 35% 성능 향상 효과를 얻을 수 있다.
한편, 글로벌 시장조사업체 트렌드포스는 최근 보고서에서 3분기...