삼성전자는 지난 6월부터 게이트올어라운드(GAA) 기반 3나노 1세대 양산을 시작했다. 최근 대만 TSMC가 핀펫 기반의 3나노 양산을 9월부터 돌입하고, 애플 등 대형 고객사를 확보한 것으로 알려지면서 업계의 우려도 커진 상황이다.
경 사장은 “3나노 첫 제품을 만들고 있고 내년 하반기부터 2세대를 만들 예정이다. 고객들과 이야기해보면 이 2세대에 대한 기대가 크다...
사업장 내부를 보기 직전 세미콘 스퀘어에서 최근 삼성전자가 공개한 3나노 기반 GAA(게이트올어라운드) 웨이퍼, 윤석열 대통령과 바이든 미국 대통령이 서명한 웨이퍼를 직접 볼 수 있었다. 이 밖에도 LPDDR5, HBM3 아이스볼트, EUV(극자외선 노광장비)를 첫 적용한 14노 제품, SSD PM1743 등 삼성전자 반도체의 역사와 삼성의 기술력이 담긴 제품들도 한눈에 봤다.
이후...
다음 달 파운드리 업계 1위인 TSMC가 3나노(㎚·1㎚는 10억분의 1m) 반도체를 본격 양산함에 따라 지난 6월 GAA(게이트올어라운드) 기반 3나노 양산에 돌입한 삼성전자와의 ‘3나노 전쟁’이 예고된 상태다. TSMC는 애플을 3나노 고객사로 확보한 것으로 알려졌다.
이런 위기감을 의식한 듯 최근 이 부회장은 복권 후 가장 먼저 기흥 연구·개발(R&D) 연구단지를 찾아...
또한, 삼성은 2024년 양산을 목표로 3나노GAA 2세대 공정도 개발 중이며, 이미 대형 고객사를 확보했다고 밝힌 상태다.
다만 파운드리 후발주자인 삼성전자는 여전히 점유율 면에서 TSMC에 밀리고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 1분기 파운드리 매출 점유율은 TSMC가 53.6%였고, 삼성은 16.3%에 불과했다.
이에 삼성전자는 파운드리 사업의 빠른 성장세를...
삼성전자는 지난달 세계 최초 ‘3나노GAA(게이트올어라운드) 1세대 공정’ 양산에 돌입하고 고객사 확보와 동시에 차세대 기술 개발도 이어간다.
강문수 삼성전자 파운드리사업부 부사장 “3나노GAA 2세대 공정은 2024년 양산을 목표로 계획대로 진행 중”이라며 “이미 모바일 응용처에서 복수의 대형 고객사를 확보했고, 다수의 HPC(고성능 컴퓨팅), 모바일...
삼성전자는 28일 2분기 실적 발표 후 진행된 콘퍼런스콜에서 “3나노GAA 2세대 공정은 1세대와 비교했을 때 면적, 성능, 전력 효율 등을 더 개선하는 공정”이라며 “개발 체계 개선을 통한 단계뼐 개발 검증 강화와 개발 초기 리소스 집중 투입을 통해 초기 수요 램프업을 했다”고 말했다.
이어 “2024년 양산을 목표로 계획대로 진행 중”이라며 “특히 모바일...
또 세계 최초 3나노GAA(Gate-All-Around) 공정 양산과 2억 화소 이미지센서 공급을 통해 기술 경쟁력을 한층 강화했다.
DX 부문은 2분기 매출 44조4600억 원, 영업이익 3조200억 원을 기록하며 사업부 중 가장 높은 매출액을 달성했다.
MX는 전 분기 대비 이익이 감소했으나 부품 공급 상황이 개선되고 갤럭시 S22와 갤럭시 탭 S8 시리즈 등 프리미엄 신모델 판매가...
TSMC의 경우 3나노 양산이 지연되고 있고, GAA 기술은 2025년 양산 예정인 2나노 공정부터 적용할 것으로 알려졌다.
이같은 성과로 삼성은 TSMC 추격의 발판을 마련한 것으로 평가된다. 삼성이 메모리 D램 분야에서는 세계 시장에서 압도적인 점유율 1위이지만, 비메모리의 파운드리는 TSMC가 53.6%나 차지하고 삼성은 아직 16.3%의 점유율로 한참 뒤처진다. 삼성이...
삼성전자는 이번 3나노 1세대 양산 성공을 바탕으로 내년에 GAA 기반 3나노 2세대 공정에 나설 예정이다.
TSMC는 올 하반기에 기존 핀펫 방식의 3나노 양산을 목표로 하고 있다. GAA 기술은 2025년 상반기에 2나노부터 적용할 계획이다. 인텔 또한 2024년 하반기께 GAA 기술을 2나노부터 적용할 것으로 알려졌다.
무엇보다 3나노에서 안정적인 고객사 확보가 향후 3나노...
이번에 출하된 3나노GAA 1세대 공정은 기존 5나노 핀펫 공정보다 소비 전력과 면적은 각각 45%, 16% 줄고 성능은 23% 향상됐다. 내년 양산 예정인 2세대 공정은 소비 전력 50% 줄고 면적은 35% 축소, 성능은 30% 향상될 것으로 전해졌다.
2005년 파운드리 사업에 진출한 삼성전자가 업계 1위인 TSMC를 제치고 최초로 GAA 기술을 적용한 3나노를 선보인 데는 각고의 노력이...
삼성전자는 앞서 지난달 말 세계 최초로 GAA(Gate-All-Around) 기술을 적용한 3나노 공정 양산 돌입을 발표했다. GAA 구조는 기존 공정과 비교해 전력과 면적은 줄이고 성능은 높일 수 있는 반도체 혁신 기술이다.
3나노 공정은 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술로, 대만의 TSMC와 미국 인텔 등 파운드리 경쟁사를 제치고 삼성전자가 가장 먼저 선보였다.
이...
25일 경기 화성시 삼성전자 화성캠퍼스에서 열린 ‘세계 최초 GAA 기반 3나노 양산 출하식’에서 관계자들이 3나노 반도체 양산품을 공개하고 있다. 3나노 공정은 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술이며, GAA 역시 세밀한 제어로 반도체의 효율을 높이는 차세대 핵심 기술로 알려졌다.
25일 경기 화성시 삼성전자 화성캠퍼스에서 열린 '세계 최초 GAA 기반 3나노 양산 출하식'에서 관계자들이 3나노 반도체 양산품을 출하하고 있다. 3나노 공정은 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술이며, GAA 역시 세밀한 제어로 반도체의 효율을 높이는 차세대 핵심 기술로 알려졌다.
30일 세계 최초 GAA 기반 3나노 양산과감한 투자ㆍ노력으로 4년 만에 결실초격차 기술 확보해 TSMC 추격 속도 “높은 수율로 파운드리 고객 확보해야”
삼성전자가 세계 최초로 3nm(나노미터ㆍ10억분의 1m) 파운드리(반도체 위탁생산) 공정 기반의 반도체 양산에 돌입했다. 난도가 가장 높은 선단 제품을 만들 ‘초격차 기술’을 확보한 만큼 파운드리 업계 1위인...
삼성전자는 기존 '핀펫'(fin-fet)이 아닌 게이트올어라운드(GAA) 기술을 적용했다. 반도체는 초미세화 공정이 경쟁력인 만큼 삼성전자가 업계 1위인 대만 TSMC를 꺾을 절호의 기회를 스스로 만들어 냈다.
3나노는 반도체 칩의 회로 선폭을 머리카락 굵기의 10만분의 3 수준으로 좁힌 것이다. 현재 파운드리의 최첨단 공정인 4나노보다 회로 선폭이 훨씬 미세해진 것이다....
삼성전자 3나노GAA 1세대 공정은 기존 5나노 핀펫 공정과 비교해 소비전력과 면적은 각각 45%, 16% 줄고, 성능은 23% 향상됐다. 삼성전자가 내년 양산 계획인 GAA 2세대 공정의 경우 소비전력은 절반으로 줄고 면적이 35% 축소되며 성능을 30% 향상시킬 수 있는 것으로 알려졌다.
삼성전자는 이번에 3나노 공정의 고성능 컴퓨팅(HPC)용 시스템 반도체를 초도 생산한데...
점유율 격차가 지난해 4분기 33.8%포인트였지만, 올 1분기 3.5%포인트 늘어난 37.3%로 확대됐습니다.
삼성전자는 2030년까지 파운드리를 포함한 팹리스(반도체 설계전문) 시스템 반도체 부문에서도 세계 1위에 오르겠다는 목표를 갖고 있는데요. 이번 3나노GAA 공정 양산은 TSMC를 단숨에 따라잡을 비장의 무기로 평가받습니다. TSMC 역시 올 하반기 3나노 반도체를 양산할...