특히 세계 최초로 적용한 ‘게이트 올 어라운드(GAA)’ 기술을 더 강화해 3㎚ 이하 선단 공정 경쟁력을 높일 계획이다. GAA는 반도체를 구성하는 트랜지스터 게이트(전류가 드나드는 문)와 채널(전류가 흐르는 길)이 닿는 면을 4개로 늘린 차세대 기술로, 기존 핀펫(FinFET) 대비 데이터 처리 속도가 빠르고 전력 효율이 높다.
삼성전자는 GAA 기반 2㎚ 공정...
"유망 팹리스 MPW 지원 늘려…새 고객사로""3나노미터 GAA 공정 수율 끌어 올려야"
전문가들은 삼성전자가 반도체 시장 초격차를 벌리기 위해 그 어느 때보다 변화와 도전이 필요한 시점이라고 강조했다. 특히 파운드리 부문에선 기존 고객사들과의 네트워킹 강화뿐만 아니라 새로운 고객사 확보를 위한 투자·지원 등의 노력도 적극적으로 병행해야...
인텔, 삼성전자, TSMC를 포함한 칩메이커들은 특히 반도체의 전력 효율성을 높이기 위해 2nm나노 공정에서 GAA(Gate-All-Around)를 도입한 칩을 생산하기 시작했다. 2025년 첨단 반도체 분야에 대한 생산능력은 17% 증가할 것으로 예상된다.
아짓 마노차 SEMI CEO는 "클라우드 컴퓨팅에서 엣지 디바이스에 이르기까지 AI의 확산은 고성능 칩 개발 경쟁을...
최시영 삼성전자 파운드리 사업부 사장은 이날 기조연설에서 "AI를 중심으로 모든 기술이 혁명적으로 변하는 시점에서 가장 중요한 건 AI 구현을 가능하게 하는 고성능ㆍ저전력 반도체"라며 " AI 반도체에 최적화된 '게이트 올 어라운드(GAA)' 공정 기술과 적은 전력 소비로도 고속 데이터 처리가 가능한 광학 소자 기술 등을 통해 AI 시대에 고객들이...
삼성, GAA 적용한 2㎚ 및 1.4㎚ 개발 순항2세대 공정(SF3) 하반기 목표로 추진 중TSMCㆍ인텔, 선단 공정 앞당겨, 경쟁 본격화
삼성전자가 12일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 개최한 '삼성 파운드리 포럼 2024'에서 선보인 전략은 ‘빠르게 보다는 완벽하게’ 전략으로 풀이된다. 앞서 일각에서는 최근 경쟁사들이 시장 선점을 위해 1나노미터((㎚·10억 분의...
삼성전자는 3㎚ 공정에 게이트 올 어라운드(GAA) 트랜지스터 기술을 최초로 적용해 2022년부터 양산 중이며, 올해 하반기에 2세대 3㎚ 공정 양산을 시작할 계획이다. GAA는 기존 핀펫(FinFET) 기술 대비 전류가 흐르는 채널을 늘려 데이터 속도와 전력 효율을 높인 기술이다.
삼성전자는 파운드리와 메모리, 어드밴스드 패키지 사업을 모두 보유하고 있는...
상무부, GAA 규제 초안 기술자문위에 보내엔비디아 등 내년 GAA 기술 도입해 대량 생산 예정삼성전자ㆍSK하이닉스도 영향권
조 바이든 미국 행정부가 11월 대통령 선거를 앞두고 인공지능(AI)에 사용되는 반도체 기술에 중국이 접근하는 것을 차단하기 위해 추가로 규제하는 방안을 검토하고 있다는 보도가 나왔다. 해당 수출 규제가 실제로 나온다면, 우리...
AMDㆍARM 등 고객사 임원 기조연설AMD와 3나노 GAA 공정 협력 가능성1나노급 공정 로드맵 더 앞당길 수도
삼성전자가 미국에서 대규모 파운드리 포럼 행사를 열고, 사업 확장에 본격적으로 시동을 건다.
이번 행사는 고객사 협력 강화와 기술 혁신 방안에 초점을 둘 것으로 보인다. 특히 TSMC, 인텔 등 경쟁사들이 앞다퉈 1나노미터(㎚·10억 분의 1m)급 첨단...
문승환 한국투자증권 연구원은 “AMAT는 이번 콘퍼런스콜에서 핀펫(FinFET)에서 GAA(Gate-All-Around)로의 공정 전환으로 웨이퍼 10만 장당 60억~70억 달러의 시장 성장이 예상되며, 해당 분야에서 50% 이상의 점유율을 확보할 것이라고 언급했다”고 설명했다.
그러면서 “올해 GAA 공정 전환에서의 매출은 25억 달러로 예상되며 2025년은 두 배 수준인...
삼성전자는 시스템반도체 부분에서는 2022년 3나노미터(㎚·10억분의 1m) 게이트올어라운드(GAA) 공정을 세계 최초 양산하고, 미래 첨단 반도체 수요에 대응하기 위한 신규 파운드리 공장을 미국 테일러에 착공하는 등 중장기 성장 기반을 다졌다.
특히 메모리 사업에서 포트폴리오를 고부가ㆍ고용량 제품 중심으로 최적화해 나간다는 전략이다. 고성능...
이는 지난해 전체 시스템 반도체 판매량의 약 3분의 1을 차지했다.
카운터포인트리서치는 "올해에는 GAA 기술 강화, AI, 자동차, IoT 부문 지출 증가, 신규 팹 가동, 고대역폭메모리(HBM) 지원을 위한 D램 테크놀로지 노드 전환, 낸드 지출 개선 등이 반도체 장비업체 시장의 성장을 이끌 것으로 예상한다"고 말했다.
그는 이어 "로직 파워를 줄이고 성능을 높여야 다양한 응용에서AI의 지능을 키울 수 있다"며 "고객들이 GAA 2나노를 원하는 이유"라고 설명했다. 경 사장은 "성공적인 기술 개발을 통해 이들이 2나노 제품개발로 이어지도록 할 것"이라고 강조했다.
마지막으로 경 사장은 "'마하-1'에 대한 고객들의 관심 또한 증가하고 있다...
파운드리는 업계 최초 GAA 3나노 공정으로 모바일 AP 제품의 안정적인 양산을 시작하고, 2025년 GAA 2나노 선단 공정의 양산을 준비할 계획이다.
HBM에 시장에선 선두를 탈환할 계획이다. 경계현 삼성전자 DS부문 사장은 전날 열린 주주총회에서 "HBM4 등과 같은 신공정을 최고의 경쟁력으로 개발해 다시 업계를 선도할 것"이라고 강조했다.
엔비디아와의 HBM...
파운드리는 업계 최초 GAA 3나노 공정으로 모바일 AP 제품의 안정적인 양산을 시작하고 2025년 GAA 2나노 선단 공정의 양산을 준비할 계획이다.
이날 경계현 사장은 “반도체는 지난 1월부터 흑자 기조로 돌아섰고 액수를 정확하게 말씀드릴 순 없지만 (추후 실적발표에서) 궤도에 올라가는 모습을 보실 수 있을 것”이라며 “근원적인 경쟁력을 회복시켜 업황...
파운드리는 업계 최초 GAA 3나노 공정으로 모바일 AP 제품의 안정적인 양산을 시작하고 2025년 GAA 2나노 선단 공정의 양산을 준비할 계획이다. 또 오토모티브, RF(Radio Frequency) 등 특수공정의 완성도를 향상하고 4/5/8/14나노 공정의 성숙도를 높여 고객 포트폴리오를 확대할 방침이다.
삼성전자 DS부문은 2030년까지 기흥 연구개발(R&D) 단지에 20조 원을 투입하는...
삼성은 3나노 공정에서 TSMC보다 먼저 게이트올어라운드(GAA) 기술을 적용해 승부수를 던졌지만 아직 큰 효과를 보지 못하고 있다.
최대 시장인 중국의 불황과 중국 기업 저가 공세에 밀려 수출이 쪼그라든 석유화학 업체들의 주총장에서도 주주들의 원성이 이어질 전망이다.
LG화학은 지난해 매출 55조2498억 원, 영업이익 2조5292억 원을 기록했다. 2022년보다...
특히 삼성전자는 3㎚ 이하 첨단 공정에 필수적으로 꼽히는 게이트올어라운드(GAA) 기술에서 경쟁사보다 우위를 차지하고 있다는 평가를 받는다.
지난달 마크 저커버그 메타 CEO 방한 이후에는 메타가 삼성 파운드리의 2㎚ 공정을 통해 AI 칩을 생산할 것이란 가능성이 나오기도 했다. 저커버그는 TSMC의 높은 의존도에 관해 우려를 표명한 바 있다. 메타는 현재...
美 반도체 보조금 이달 말 확정 발표삼성 테일러 팹 건설 사업 '청신호'GAA 등 첨단 공정 기술 우위 평가적자에도 R&Dㆍ시설투자 이어가
적자 터널을 걸어오던 삼성 파운드리가 다시 재도약할 기회를 엿보고 있다. 미국 정부의 반도체 기업 보조금 지원 계획이 점차 가시화하면서 현지 생산라인 확대에도 탄력이 붙을 전망이다.
특히 인공지능(AI) 시장 개화로...