이들은 삼성전자의 파운드리를 통한 5~130나노 12개 공정에 25회 MPW 서비스를 받게 된다. 내년 7월까지 월별 스케줄 내에서 원하는 공정을 선택해 과제 수행을 진행한다. 중기부는 기업당 1억 원 이내의 바우처 형태로 소요비용을 지원할 계획이다.
김녹원 딥엑스 대표는 "우리나라는 10년도 안돼 파운드리 경쟁사인 대만 TSMC를 따라잡고 있다"며 "지금은...
TSMC의 경우 3나노 양산이 지연되고 있고, GAA 기술은 2025년 양산 예정인 2나노 공정부터 적용할 것으로 알려졌다.
이같은 성과로 삼성은 TSMC 추격의 발판을 마련한 것으로 평가된다. 삼성이 메모리 D램 분야에서는 세계 시장에서 압도적인 점유율 1위이지만, 비메모리의 파운드리는 TSMC가 53.6%나 차지하고 삼성은 아직 16.3%의 점유율로 한참 뒤처진다. 삼성이...
지난달 세계 최초 3나노 공정 양산 성공기술로는 처음으로 TSMC에 6개월 앞서2026년까지 고객사 100곳→300곳 확대초격차로 ‘2030 시스템반도체 1위’ 가속
삼성전자가 지난달 세계 최초로 3nm(나노미터ㆍ10억분의 1m) 파운드리(반도체 위탁생산) 공정 기반의 반도체 양산에 돌입한 데 이어 한 달이 채 되지 않아 출하까지 완성했다.
이를 시작으로 첨단...
삼성전자는 앞서 지난달 말 세계 최초로 GAA(Gate-All-Around) 기술을 적용한 3나노 공정 양산 돌입을 발표했다. GAA 구조는 기존 공정과 비교해 전력과 면적은 줄이고 성능은 높일 수 있는 반도체 혁신 기술이다.
3나노 공정은 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술로, 대만의 TSMC와 미국 인텔 등 파운드리 경쟁사를 제치고 삼성전자가 가장 먼저 선보였다.
이...
25일 경기 화성시 삼성전자 화성캠퍼스에서 열린 ‘세계 최초 GAA 기반 3나노 양산 출하식’에서 관계자들이 3나노 반도체 양산품을 공개하고 있다. 3나노 공정은 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술이며, GAA 역시 세밀한 제어로 반도체의 효율을 높이는 차세대 핵심 기술로 알려졌다.
25일 경기 화성시 삼성전자 화성캠퍼스에서 열린 '세계 최초 GAA 기반 3나노 양산 출하식'에서 관계자들이 3나노 반도체 양산품을 출하하고 있다. 3나노 공정은 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술이며, GAA 역시 세밀한 제어로 반도체의 효율을 높이는 차세대 핵심 기술로 알려졌다.
특히 24Gbps GDDR6 D램은 EUV 노광 장비를 활용한 ‘3세대 10나노급(1z) 공정’ 기반의 16Gb(기가비트) 제품이다.
이뿐 아니라 24Gbps GDDR6 D램에는 누설전류를 최소화하는 하이케이 메탈 게이트(HKMG) 기술도 적용됐다. 기존 18Gbps GDDR6 D램 대비 약 30% 이상 동작 속도가 향상됐다.
삼성전자는 JEDEC의 표준 규격에 맞춰 GDDR6 D램을 개발했다. 인공지능(AI)ㆍ그래픽...
또한 실리콘 입자 크기를 나노화함으로써 부피 팽창 이슈를 해결해 음극재 내 실리콘 함량을 높일 수 있는 기술도 개발했다.
실리콘음극재는 현재 리튬이온전지에 대부분 사용되고 있는 흑연음극재보다 에너지밀도를 4배 정도 높일 수 있다. 전기차 주행거리 향상과 충전시간도 단축시킬 수 있는 차세대 음극재로 꼽힌다.
포스코홀딩스 관계자는 "국내외...
반도체 후공정 산업은 2015년 이후 스마트폰 산업의 침체, 파운드리 기업들의 수직 계열화 등으로 인해 성장세가 둔화되고, 수익성도 낮아졌지만, 최근 파운드리 공정 기술이 5나노 미만으로 초미세화되고, 반도체 칩의 입출력(I/O) 개수가 급격히 증가함에 따라 후공정 산업이 재차 주목받고 있다.
전세계 후공정 산업 규모는 2010년 400억 달러에서 2025년 900억...
30일 최시영 삼성전자 사장(파운드리사업부장)은 “이번에 MBCFET GAA기술을 적용한 3나노 공정의 파운드리 서비스를 세계 최초로 제공하게 됐다”고 밝혔다.
그간 삼성전자가 파운드리 업계 최초로 하이-케이 메탈 게이트(High-K Metal Gate), 핀펫(FinFET), EUV 등의 신기술을 도입하고 초미세 공정(나노)을 위한 노력이 마침내 결실을 맺었다는 평가다.
거듭 자신감...
3나노는 반도체 칩의 회로 선폭을 머리카락 굵기의 10만분의 3 수준으로 좁힌 것이다. 현재 파운드리의 최첨단 공정인 4나노보다 회로 선폭이 훨씬 미세해진 것이다.
반도체는 웨이퍼(반도체 원판)에 회로의 선폭을 가늘게 만들수록 더 많은 소자를 집적할 수 있다. 소비전력이 줄어들고 생산효율과 성능은 좋아진다. 다만 회로 선폭을 줄이는 것만으로 반도체의...
삼성전자가 이번에 양산을 시작한 3나노 공정은 반도체 제조와 관련해 가장 앞선 기술이다. 삼성전자는 차세대 트랜지스터 구조인 GAA 신기술을 적용해 3나노 제품을 공급하는 세계에서 유일한 기업이 됐다.
GAA 기술은 반도체를 구성하는 트랜지스터에서 전류가 흐르는 채널 4개 면을 게이트가 둘러싸는 구조다. 채널의 3개 면을 감싸는 기존 핀펫(FinFET) 구조와...
ASML만이 유일하게 생산하는 EUV 노광장비는 반도체 원판인 실리콘 웨이퍼에 7나노미터 이하 미세회로를 새길 수 있게 하는 장비로, 대만 TSMC와 경쟁 중인 3나노 이하 공정 판도에 지대한 영향을 끼친다. 삼성전자는 4조 원 이상을 들여 올해 생산 예정인 EUV 55대 가운데 18대를 확보한 것으로 전해졌다.
점유율 격차가 지난해 4분기 33.8%포인트였지만, 올 1분기 3.5%포인트 늘어난 37.3%로 확대됐습니다.
삼성전자는 2030년까지 파운드리를 포함한 팹리스(반도체 설계전문) 시스템 반도체 부문에서도 세계 1위에 오르겠다는 목표를 갖고 있는데요. 이번 3나노 GAA 공정 양산은 TSMC를 단숨에 따라잡을 비장의 무기로 평가받습니다. TSMC 역시 올 하반기 3나노 반도체를 양산할...
시장조사업체 트렌드포스에 따르면 삼성전자의 파운드리 시장 점유율은 지난해 4분기 18.3%에서 올해 1분기 16.3%로 2%p(포인트)가량 하락했다. 반면 TSMC는 같은 기간 52.1%에서 53.6%로 시장 점유율이 1.5%p 증가하며 삼성전자와 격차를 더 벌렸다.
초미세공정 경쟁도 치열해지고 있다. 최근 미국과 일본 정부는 최첨단 2나노 칩 생산을 위한 협력에 합의했다. TSMC도 1....