적층가공 검색결과, 3페이지

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삼성전자, 세계 최초 0.6㎜ 8단 적층칩 개발

기존 낸드플래시 적층 패키지는 칩의 웨이퍼를 60㎛ 두께로 가공해 쌓아 올려 1mm를 구현한 것이다. 지금까지 칩의 웨이퍼 두께를 30㎛ 이하로 가공하면 칩의 강도를 유지하기 어렵고, 칩의 적층 간격이 너무 좁아 안정적인 수율을 확보하기 어려운 한계를 극복한 것이다. 이번에 개발한 기술을 적용해 1mm 두께의 낸드플래시 적층칩을 구현하면 두 배...

2009-11-04 11:30
하이닉스, '웨이퍼 레벨 패키지' 적용 서버용 모듈 개발

이 제품은 '웨이퍼 레벨 패키지' 및 '평면 적층' 기술을 이용해 만들어진 초소형 서버용 모듈로 생산원가 절감 및 열 방출에 탁월한 효과가 있다. 웨이퍼 레벨 패키지는 기존 패키지 대비 면적이 절반으로 줄어들어 모듈 제작시 두 배 많은 칩을 배열해 고용량을 구현했다. '웨이퍼 레벨 패키지' 기술은 웨이퍼 가공 후 하나씩 칩을 잘라내 패키징하던 기존...

2008-12-23 11:26
하이닉스, 세계 최초 8단 적층 낸드플래시 개발

인프라를 활용해 점차 소형화 및 고용량화되는 각종 휴대용 전자기기 생산에 유리하다. 하이닉스반도체 변광유 상무는 "칩을 얇게 가공하는 신기술과 칩과 칩을 접착하는 기술 개발을 통해 단일 패키지 안에 8단 적층을 이룰 수 있었다"며 "또 패키지 재료에서 납이나 할로겐과 같은 유해물질을 사용하지 않은 친환경 제품"이라고 밝혔다.

2008-12-18 13:32
삼성전자, 차세대 패키지 기술(WSP) 세계 최초 D램 적용 성공

삼성전자는 23일 세계 최초로 관통전극형(Through Silicon Via) 칩 접속 방식인 WSP(Wafer-Level Processed Stack Package) 기술을 적용한 4단 적층 D램 칩과 모듈 개발에 성공했다고 밝혔다. 이번에 개발된 제품은 512Mb(Mega bit: 메가 비트) DDR2 D램을 4개 적층한 2Gb 대용량 D램 적층칩과 4GB(Giga Byte: 기가 바이트) 모듈이다. WSP 기술은 기존 패키지 방식인 MCP(Multi Chip Package)...

2007-04-23 11:12
삼성전자, 세계 최초 16단 반도체 다중칩 개발

또한, 이번 16단 MCP 개발로 다중칩 패키지 기술 부문에서 8단 적층 수준에서 머물고 있는 업계에 비해 약 2년 정도 앞선 기술을 보유함에 따라 차세대 패키지 분야의 리더십도한층 강화할 수 있게 됐다. 이번 16단 MCP에는 웨이퍼를 한층 얇게 가공하는 기술, 칩 절단(Sawing) 기술, 웨이퍼 재배선 및 와이어 본딩 기술 등 기존의 기술을 뛰어 넘는...

2006-11-01 11:53

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