반도체, 한국 독주체제 열었다

삼성전자에 이어 하이닉스도 30나노급 D램 양산 돌입

미 마이크론 일 엘피다 보다 1년 이상 앞서

가격경쟁도 우위...30%대 영업이익률 기록

삼성전자에 이어 하이닉스반도체도 30나노(㎚, 1㎚는 10억분의 1m) 반도체 양산에 나서며 세계 반도체 시장의 한국 업체 독주체제를 굳혔다.

하이닉스반도체는 30일 2011년 1분기부터 30나노급 2기가비트(Gb) DDR3 디(D)램 양산에 돌입한다고 밝혔다. 또한 30나노급 4Gb DDR3 D램에 대한 개발도 완료했다.

하이닉스 관계자는 “30나노급 D램 개발로 반도체 업계 최고 수준의 기술경쟁력과 원가경쟁력을 갖추게 됐다”며 “이를 통해 후발업체와의 경쟁력 격차를 더욱 벌릴 수 있게 됐다”고 말했다.

하이닉스가 이같이 자신하는 것은 30나노급 공정에 들어가면 생산성이 70% 이상 높아지기 때문이다. 이전에 300mm(12인치) 원판에 100개의 D램을 생산했다면 30나노 기술 개발로 170개를 생산할 수 있게 된 것이다.

이에 앞서 삼성전자는 지난 7월 세계 최초로 30나노 공정 D램 양산에 돌입했다.

D램 반도체 시장에서 1, 2위를 차지하고 있는 삼성전자와 하이닉스가 미국의 마이크론, 일본의 엘피다 등 경쟁업체에 비해 앞선 기술력으로 시장 영향력이 한층 강화됐다.

실제로 업계 3위를 차지하는 마이크론은 50나노, 4위인 엘피다는 여전히 60나노 공정을 주력으로 삼고 있는 것으로 알려졌다.

삼성전자와 하이닉스는 이들 후발업체에 비해 최소 1년 이상 기술력이 앞선 것으로 평가받고 있다. 이같은 기술 격차는 앞선 공정 개발로 더욱 벌어지고 있다.

가격경쟁력 면에서도 월등하다. 30나노 공정에서 생산되는 D램의 원가는 0.6달러 수준인 반면 50나노와 60나노에서 생산되는 반도체의 원가는 1달러대 후반인 것으로 알려졌다.

이같은 가격 차이로 삼성전자와 하이닉스가 최근 D램 반도체의 지속적인 가격 하락세에도 30% 대의 영업이익율을 기록하는 비법이기도 하다. 반면 엘피다는 최근 감산을 선언할 정도로 가격 하락세를 버티지 못하고 있다. 마이크론의 지속적인 영업이익 하락이란 난제에 빠져있는 상황이다.

반도체 업계 관계자는 “30나노 공정 돌입은 원가경쟁력 측면에서 경쟁업체에 비해 차원이 다른 단계에 진입한 것을 의미한다”며 “이제는 국내 반도체 업체들이 인위적인 가격 하락으로 경쟁업체를 몰아내는 치킨게임이란 말 자체도 의미가 없는 수준에 올라선 것이다”고 말했다.

한편 시장조사기관 아이서플라이에 따르면 지난 3분기 삼성전자는 40.7%, 하이닉스는 20.9%의 시장점유율을 각각 기록했다. 국내 반도체 업체들의 시장점유율이 60%를 넘어선 것은 사상 최초다.

업계에서는 30나노 기술 개발로 2011년에는 국내 반도체 업체들의 시장점유율이 70%를 넘어설 것으로 내다보고 있다. 사실상의 독주체제를 굳힌 것과 다름없다.

이승우 신영증권 연구원은 “경쟁업체에 비해 몇 발짝 앞선 기술 공정 개발로 인해 해외 업체들이 기술 격차를 좁히는 것은 더욱 어려워졌다”며 “시장점유율도 더욱 강화할 수 있게 됐다”고 말했다.