삼성, 도시바ㆍ인텔과 차세대 반도체 공동 개발

2016년까지 회로선폭 10나노m짜리 반도체칩 개발

삼성전자가 미국 인텔과 함께 일본 정부와 도시바가 주도하는 차세대 반도체 공동 개발에 참여한다.

글로벌 반도체 시장에서 경쟁관계를 유지해온 3사가 차세대 최첨단 반도체의 핵심기술 개발을 위해 이례적으로 손잡았다고 니혼게이자이신문이 29일(현지시간) 보도했다.

일본 민ㆍ관이 주도하고 삼성과 인텔이 참여한 컨소시엄은 국제적 연구조직을 설립, 오는 2016년까지 현재 사이즈의 절반 이하인 10나노m(나노=10억분의 1)짜리 회로선폭의 반도체칩을 공동 개발할 계획이다.

일본의 민ㆍ관 합작 반도체 개발 프로젝트에 해외 반도체 대기업이 참여하는 것은 처음 있는 일이다.

일본 경제산업성은 자금 지원을 통해 참여, 차세대 제품에서 일본의 경쟁력을 확보한다는 방침이다.

일본 반도체 업계의 도태와 개발비 상승의 영향으로 기존 일본기업들의 능력만으로는 개발에 한계가 있다고 판단, 세계 1, 2위인 인텔과 삼성과 제휴한 것으로 해석된다.

3사가 개발하는 최첨단 반도체 칩은 실리콘 웨퍼에 전자회로를 새기는 노광공정에 필요한 기술.

2012년부터는 파장이 지극히 짧은 자외선을 사용한 노광장치가 실용화할 것으로 예상, 이론적으로는 회로선폭이 10나노m까지 가늘어진다.

개발비로 수백억엔 규모가 들 것으로 전망돼 대기업이라도 비용부담이 적지 않다. 3사가 손잡은 것도 실용화를 서둘러 투자 회수에 속도를 내자는 이유에서다.

삼성과 도시바는 10나노m 기술을 휴대전화기 등에 사용하는 낸드형 플래시메모리 등에 이용할 예정이다.

우표만한 크기의 메모리 기억용량은 400기가바이트(기가=10억)로 현재의 3배. 고화질 영화를 100개가량 저장할 수 있다.

인텔은 PC 등의 두뇌 역할을 하는 MPU (초소형 연산처리장치)에 이용해 계산속도를 높일 계획이다.