日 엘피다ㆍ샤프, 차세대 메모리 공동 개발

차세대 메모리 개발...도시바 삼성과 경쟁 구도

일본 최대 반도체 메이커인 엘피다 메모리가 전기업체 샤프와 손잡고 신형 반도체 메모리를 공동 개발한다.

양사가 개발하는 신형 반도체 메모리는 기존의 낸드형 플래시메모리보다 정보처리 속도와 소비 전력 면에서 한층 우월하다고 니혼게이자이 신문이 13일(현지시간) 보도했다.

낸드형 플래시메모리는 현재 휴대정보 단말기 등 첨단기기에 사용되는 메모리 칩으로 도시바와 삼성전자도 차세대 메모리를 개발 중이다.

현재 소비자들은 고화질 동영상 등 대용량 데이터 저장이 가능한 휴대정보단말기를 선호한다. 따라서 읽고쓰기 속도 향상과 전력 소비 절감이 최대 과제다.

기존의 낸드형 플래시 메모리는 성능 개선을 위한 선폭의 미세화가 올해 중반을 정점으로 한계에 달했다는 관측이 나오고 있다. 따라서 차세대 메모리 개발 경쟁의 향배가 반도체 업계의 주도권을 바꿀 가능성이 높다는 지적이다.

엘피다와 샤프가 개발하는 신형 반도체 메모리는 저항 변화식 메모리(ReRAM). 이론상으로는 낸드형 플래시 메모리의 1만배의 속도로 정보를 입력할 수 있으며 소비 전력도 대폭 줄어든다.

샤프는 보유 중인 재료기술 및 제조방법에 엘피다의 미세 가공기술을 합칠 계획이다. 여기에는 산업기술종합연구소와 도쿄대학, 반도체 제조 장치 메이커들도 참여한다.

이들은 조만간 산업기술종합연구소의 연구 거점인 쓰쿠바 연구센터에서 시험 제품 개발에 들어갈 계획으로, 회로선폭은 현재 주요 메모리에 필적하는 30나노(나노=10억분의 1)m대의 미세화 기술을 사용할 예정이다.

이 제품이 만들어지면 엘피다의 생산 거점에서 양산해 샤프의 휴대전화기나 태블릿 PC 등에도 사용된다.

현재 도시바가 입체 구조의 신형 플래시 개발을 서두르고 있으며 삼성은 사업 규모의 크기를 살려 ReRAM 외에도 읽기쓰기 속도가 빠른 PRAM(상변화 메모리), 새로 쓰기 횟수에 제한이 없는 MRAM(자기 기록식 메모리) 등을 폭넓게 개발하고 있다.