[국제] 日 도시바, 20나노 메모리 전쟁 동참

2012년 20NM대 초반 플래시 메모리 양산

일본 전자업체 도시바가 글로벌 반도체 시장의 20나노대 공정의 초미세 양산 경쟁에 동참한다.

삼성전자ㆍ인텔 등 글로벌 반도체 대기업들이 잇따라 20나노대 기술을 적용한 낸드형 플래시 메모리를 양산키로 함에 따라 자극을 받고 경쟁대열에 합류키로 한 것이다.

니혼게이자이신문은 2일 도시바가 오는 2012년도를 목표로 반도체 회로의 선폭이 20NM(나노미터, 나노=10억분의1)대 초반인 플래시메모리 양산계획을 추진하고 있다고 보도했다.

이는 조만간 생산에 들어가는 20NM대 후반의 제품보다 더 미세화된 제품으로 도시바는 연내 150억엔 가량을 투자해 생산라인을 신설한다는 방침이다.

도시바가 추진하는 20NM대 초반의 플래시메모리는 휴대전화나 일반 컴퓨터, 디지털카메라 등 디지털 기기에 널리 사용되는 낸드형 플래시 메모리다.

현재 낸드형 플래시 메모리는 45NM와 32NM가 주류를 이루고 있으나 올해 안에 도시바를 포함한 반도체 기업들이 20NM대 후반의 메모리를 양산하겠다는 계획을 속속 발표했다.

메모리의 회로 선폭이 미세화할수록 작은 면적의 반도체 칩으로 대용량의 데이터를 저장할 수 있다. 또 1장의 실리콘 웨이퍼로 만들 수 있는 갯수도 증가해 생산비용을 절감할 수 있다. 이는 PC등의 가격 하락과 스마트폰 및 전자서적 단말기등의 소형ㆍ고성능화로 이어진다는 점 때문에 반도체 시장은 빠르게 진화하고 있다.

메모리의 미세화하는데는 고도의 노광기술을 빼놓을 수 없다. 20NM대 후반까지는 현재 기술로 생산이 가능하지만 20NM대 전반에서는 되도록 짧은 파장의 광원을 사용하는 극자외선(EUV) 노광기술이 필수이다.

도시바는 이미 세계 최대 반도체 노광장치업체인 네덜란드 ASML에 발주를 낸 것으로 알려졌다. 도시바는 올여름에 신공장 착공에 들어가 EUV 노광기술을 사용한 메모리 양산계획이 잡히는대로 20NM대 전반의 메모리 양산 채비를 갖출 계획이다.

인텔과 삼성, 세계최대 반도체 파운드리(수탁생산전문) 업체인 대만의 TSMC도 20NM대 초반의 낸드형 플래시 메모리를 올해 안에 생산한다고 밝힌 바 있다.

이들 업체는 10NM대 양산을 위한 연구개발도 추진하고 있어 초미세 공정을 둘러싼 경쟁은 계속될 전망이다.