삼성 · 하이닉스, 스마트폰시대 대응 '잰걸음'

공정기술 우위 바탕 모바일 시장 선도 위해

아이폰의 등장과 맞물려 스마트폰시장이 성장하면서 D램과 낸드플래시 수요가 증가하고 있는 가운데 삼성전자,하이닉스반도체가 미세공정기술 우위를 바탕으로 각각 낸드와 모바일 D램 개발과 양산에 나서고 있다.

13일 삼성전자는 빠르게 성장하는 대용량 모바일 시장 수요에 대응하기 위해 업계 최초로 '64GB(기가바이트) 모비낸드(moviNAND™)'와 '32GB 마이크로SD(microSD)' 카드 제품 양산에 들어갔다고 밝혔다.

삼성전자는 30나노급 32기가비트(Gb) MLC(Multi-Level Cell) 낸드를 탑재한 세계 최대 내장 메모리 '64GB 모비낸드'를 지난해 말에 업계 최초로 양산한 데 이어 외장 메모리 솔루션인 '32GB microSD' 카드를 세계 최초로 개발을 완료하고 다음 달부터 양산에 들어갈 예정이다.

삼성전자측은 "업계 최초로 30나노급 '64GB 모비낸드'를 양산함으로써 휴대폰에서 내장형 메모리가 외장형 카드 용량을 선도하는 시대를 열었다"고 의미를 부여했다.

모바일 D램 분야에서 이미 절반이 넘는 시장점유율로 압도적인 세계 1위인 삼성전자는 낸드플래시 등 여타 모바일 반도체 분야에서도 세계 시장을 선도한다는 방침이다.

삼성전자 메모리 전략마케팅팀장 전동수 부사장은 "올해는 모바일 기기에서 대용량 메모리 제품을 본격적으로 탑재함으로써 모바일 메모리는 PC에 버금가는 대용량 시대로 접어들게 됐다"며 "고성능 모바일 기기를 중심으로 대용량화 트렌드를 선도하고 플래시 시장의 성장을 주도해 나갈 것"이라고 밝혔다.

이날 하이닉스반도체도 세계 최초로 40나노급 기술을 적용한 모바일 D램 제품인 2기가비트(Gb) LPDDR2(Low Power DDR2)를 개발했다고 밝혔다.

하이닉스 관계자는 "업계 최대 이슈로 떠오르고 있는 스마트폰과 스마트북 등의 다양한 차세대 애플리케이션에 지원이 가능한 제품"이라며 "올해 상반기부터 양산될 예정"이라고 설명했다.

최근 몇 년 동안 고부가가가치 제품 생산 비중을 높이고 있는 하이닉스는 올해 전세계 모바일 D램 시장에서 30% 이상의 점유율을 달성하겠다는 공격적인 목표를 제시했다. 지난 2007년 하이닉스의 모바일 D램 시장 점유율은 7.1%에 불과했다.

삼성전자와 하이닉스의 이 같은 움직임은 기존 사업 역량을 바탕으로 고용량화, 저전력화, 고속화, 소형화로 급변하고 있는 모바일 시장을 선도하기 위한 것으로 풀이된다.

시장조사기관인 아이서플라이에 따르면 16Gb로 환산한 32GB이상 메모리 카드용 낸드플래시 시장은 2010년 5억3000만개에서 2013년 95억4000만개 규모로 성장할 전망이다.

또 아이서플라이는 모바일 D램 시장은 2013년까지 연평균 32.3%씩 급성장할 것이란 전망 속에 휴대폰 모바일 D램 채용율도 지난해 66% 수준에서 2012년 80%까지 성장할 것으로 보고 있다.

특히 스마트폰시장 성장은 낸드플래시 성장의 발목을 잡았던 킬러 어플리케이션 부재를 해소할 것으로 전망된다.

신한투자금융 진성혜 연구원은 "일반적인 스마트폰의 낸드플래시 탑재량은 8~32GB로 일반폰에 비해 6배 이상 높다"면서 "스마트폰은 앱스토어에서 구매한 다양한 콘텐츠 보관이 필요하기 때문"이라고 설명했다.