SK실트론, 미국 미시간에 3억 달러 투자…SiC 웨이퍼 제조 확대

향후 3년간 인력 두 배 이상 늘리고, 신규 공장 부지도 마련

SK실트론이 신사업인 실리콘 카바이드 웨이퍼(Silicon Carbide Wafer, 이하 SiC) 제조 확대를 위해 3억 달러(약 3400억 원)를 투자한다고 로이터통신이 14일(현지시간) 보도했다.

보도에 따르면 SiC 웨이퍼를 생산하는 SK실트론 CSS는 SiC 웨이퍼 제조 확대를 위해 앞으로 3년간 미시간주 베이시티에 공장 부지를 마련하고, 인력 150여 명을 확충하겠다고 밝혔다.

인력은 두 배 이상 늘리고, 14만 제곱피트(약 1만3000㎡)에 달하는 신규 부지도 증설하겠다는 것이다.

SK실트론 CSS은 현재 미시간주 오번 인근에 SiC 제조 공장을 두고 있다.

통신은 이번 투자에 대해 조 바이든 정권이 전기차 보조금과 충전망 확대를 위해 1740억 달러의 자금을 유치하고, 미국 자동차 제조 기업들이 전기차와 관련한 투자 금액을 전폭적으로 늘리는 상황에서 이뤄졌다고 설명했다.

SK실트론 CSS 최고경영자(CEO) 둥젠웨이는 로이터에 “이번 투자는 미시간을 기반으로 한 현지 EV 공급망을 개발하는 데 도움이 될 것”이라며 “미시간주를 중심으로 최종 고객(자동차 제조사)이 있기 때문”이라고 강조했다.

그러면서 “현재 고객 수요가 정말 많아 추가 투자를 검토하고 있다”라고 덧붙였다.

SiC는 기존 웨이퍼 소재인 실리콘(Si)과 비교해 전력 효율과 내구성이 뛰어난 3대 신소재(실리콘카바이드, 질화갈륨, 갈륨옥사이드) 중 하나다.

같은 크기의 반도체라도 더 많은 용량을 처리할 수 있는 만큼, 획기적으로 부품 소형화가 가능하고, 전력 소모도 줄어든다는 장점이 있다.

SK실트론은 전력 반도체 웨이퍼 시장에 진입하기 위해 2019년 9월 미국 듀폰의 SiC 웨이퍼 사업부를 약 5400억 원에 사들였다.

지난해 2월 인수 절차가 마무리된 이후, 약 1년간 SiC 웨이퍼 상용화를 위한 R&D와 생산시설 고도화가 이뤄지는 중이다. 이번 투자도 이러한 고도화 작업의 일환으로 풀이된다.

현재 전력 반도체 웨이퍼 시장에서 SK실트론은 미국 크리, II-VI(투식스)에 이어 3위를 차지하고 있다. 크리와 투식스가 각각 40%, 35% 등으로 과점하고 있는 시장이지만, 회사 측은 신규 공장 증설 등을 통해 시장점유율을 늘려나갈 계획이다.