삼성전자·하이닉스 차세대메모리 원천기술 확보에 ‘올인’

‘차세대메모리’ 특허 이전 및 공동R&D 협약식 개최

중장기적인 세계 1위 메모리 반도체 국가경쟁력 유지를 위한 정부와 업계의 공동 노력이 가속화되고 있다.

삼성전자와 하이닉스반도체는 향후 지속적인 메모리강국의 위상을 유지하기 위해서는 D램, 플래시메모리 이후의 차세대 메모리분야 원천기술 확보가 시급하다는 데 공감하고, 그간 비휘발성메모리 분야 정부 R&D사업에서 발생한 특허 8건을 구매함과 동시에 차세대 메모리소자 개발을 위한 공동 R&D를 적극 추진하기로 했다.

지난 1993년 이후 우리나라는 세계최고의 공정기술을 바탕으로 메모리 세계1위를 차지하고 있으나, 핵심 소자구조 등 원천기술은 여전히 해외에 의존하고 있는 실정이다.

특히 일본이 현재 차세대메모리 원천기술 조기개발을 통해 메모리반도체 정상탈환을 노리고 있는 가운데 향후 차세대 메모리시장을 둘러싼 국가간 경쟁이 심화될 것으로 예상되는 상황에서 금번 우리업계의 행보는 귀추가 주목된다.

◆비휘발성메모리 특허 이전

우선 삼성전자·하이닉스반도체는 산업자원부가 추진한 ‘차세대테라비트급비휘발성메모리사업’ 1단계 프로그램에서 발생한 특허 8건을 구매함으로써 차세대메모리 소자·재료분야 원천기술 확보에 발판을 마련했다.

우리 업계는 금번 이전된 특허를 바탕으로 차세대메모리 분야의 핵심 원천기술 특허 협상에서 유리한 고지를 선점할 수 있는 계기를 마련하였다는데 의의가 크다.

정부 차원에서도 R&D 성과인 지적재산권이 상당수 사장되는 문제점을 해소하면서, 기술이전에 따른 이전수입 및 기술료를 R&D 사업에 재투자함으로써, 시장친화적 국가 R&D 관리시스템 혁신사례가 될 것으로 기대된다.

특히 이 사업(주관 : 한양대학교 차세대메모리사업단)은 지적재산권 수준을 객관적으로 평가할 수 있는 국내 최초의 정부 R&D ‘다단계 질적평가’ 시스템을 도입했으며, 기업체 특허이전을 통해 국제적 수준의 원천특허로 보정함으로써 정부 R&D 성과 극대화가 가능할 전망이다.

◆차세대메모리 공동개발

아울러 삼성전자·하이닉스반도체는 테라비트급 차세대 메모리소자 원천기술 개발을 위해 올해부터 이 사업에 공동 참여하기로 합의했다.

양사는 2년간 90억원의 현금·현물을 투입할 예정이며 주기적 기술교류, 연구성과 교차평가 등을 통해 실질적인 공동 R&D를 추진할 계획으로, 과거 90년대 64M D램 개발당시 국내 업계간 협력체제가 부활될 것으로 기대된다.

이번 국내 반도체업계의 R&D 협력은 산자부가 2006년부터 추진해 온 ‘반도체·디스플레이분야 상생협력’이 이제 업계 전반에 공고화되는 성숙기에 접어든 것을 반증한다.

이러한 내용을 골자로 24일 한양대 종합기술원에서 산업자원부 김용근 차관보, 삼성전자 이원성 부사장, 하이닉스반도체 박성욱 부사장, 한양대 여홍구 부총장은 △특허이전 성약식, △공동R&D 협약식을 갖고, 향후 산·학·연·관이 차세대 메모리산업 발전에 공동노력하기로 했다.

이 자리에서 김용근 차관보는 “‘기술의 높이가 시장의 폭을 좌우하며, 원천기술의 깊이는 시장의 흐름을 지배한다’고 언급하면서 향후 우리 반도체 업계·연구계가 차세대메모리분야에서 더욱 협력해 나갈 것”을 당부했다.