[IPO]국내 유일 GaN 트랜지스터 생산 ‘RFHIC’, 9월 NH스팩8호와 합병 상장

▲조덕수 RFHIC 대표(사진=RFHIC)

무선주파수(RF·Radio Frequency) 증폭기 제조업체 알에프에이치아이씨(이하 RFHIC)가 오는 9월 엔에이치스팩8호와의 합병 상장을 통해 코스닥 시장에 입성한다.

RFHIC는 21일 서울 여의도에서 기업공개(IPO) 간담회를 열고, 다음달 14일 주주총회를 거쳐 오는 9월 1일 합병신주상장한다고 밝혔다. RFHIC는 올해 3월 엔에이치스팩8호와 합병계약을 체결했다. 합병유입자금은 차세대 신소재(GaN on Diamond)를 활용한 제품 개발 등에 사용할 예정이다.

1999년에 설립된 RFHIC는 국내 무선주파수 증폭기 제조업체로서 무선통신장비용 반도체 부품을 전문적으로 생산 및 판매하고 있다. 국내에서 유일하게 GaN(질화갈륨) 소재를 적용한 GaN 트랜지스터 및 통신용, 레이더용 전력증폭기를 생산하고 있다.

RFHIC는 성능 대비 높은 가격 때문에 인공위성 및 방산 등 제한된 용도로 사용되던 차세대 화합물 반도체 소재인 GaN을 통신용으로 대량 양산하고 적용, 기존 시장을 장악하던 실리콘 기반 LDMOS 소재와 경쟁할 수 있는 체제를 구축했다.

RFHIC는 지난 2014년 세계 1위 통신장비업체 화웨이와 거래를 시작했고, 지난해 매출액 절반을 화웨이와의 거래에서 올리며 기존 거래처인 삼성전자를 비롯한 거래처 다변화에 성공했다. 올해에는 노키아 등 신규거래처를 추가로 확보했다.

RFHIC는 통신부문에서 획득한 노하우를 바탕으로 방산부문 진출 및 사업영역을 확장하고 있다. 국내 방산업체인 LIG넥스원 및 글로벌 방산업체인 록히드 마틴(Lockheed Martin), BAE 시스템스(Systems), 레이시온(Raytheon), 에어버스방위(Airbus Defense), 해리스(Harris) 등 다양한 기업에 업체등록을 완료했으며 다양한 제품을 개발하고 있다. 향후 군사용 레이더 시스템 시장에 가격경쟁력을 지닌 제품을 공급, 시장을 빠르게 공략한다는 계획이다.

회사 관계자는 “경쟁사와의 기술 격차를 확대하기 위해 GaN on Diamond 웨이퍼를 개발·양산해 세계 최초로 무선통신시장과 방산시장에 적용할 계획”이라며 “GaN on Diamond 웨이퍼 생산을 통해 화합물 반도체 자체 제작이 가능한 소재회사로 발전할 수 있게 됐다”고 설명했다.